Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N4002B-G
  • В избранное
  • В сравнение
1N4002B-G

1N4002B-G

1N4002B-G
;
1N4002B-G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Comchip Technology
  • Артикул:
    1N4002B-G
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41Все характеристики

Минимальная цена 1N4002B-G при покупке от 1 шт 32.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4002B-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4002B-G

1N4002B-G Comchip Technology Диод: DIODE GEN PURP 100В 1А DO41

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UDRM): 100В
    • Номинальный ток (ID): 1А
    • Тип корпуса: DO41
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Доступная стоимость
  • Минусы:
    • Низкая эффективность при работе с частотами свыше 50кГц
    • Высокое сопротивление при обратном напряжении
  • Общее назначение:
    • Защита электронных компонентов от обратного напряжения
    • Переключение сигналов
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Электронные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4002B-G

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 1 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 100 V
  • Емкость @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-41
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4002

Техническая документация

 1N4002B-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 4103 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    32.6 ₽
  • 100
    14.8 ₽
  • 1000
    9.4 ₽
  • 5000
    7.2 ₽
  • 50000
    5.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Comchip Technology
  • Артикул:
    1N4002B-G
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 100V 1A DO41Все характеристики

Минимальная цена 1N4002B-G при покупке от 1 шт 32.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4002B-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4002B-G

1N4002B-G Comchip Technology Диод: DIODE GEN PURP 100В 1А DO41

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UDRM): 100В
    • Номинальный ток (ID): 1А
    • Тип корпуса: DO41
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Доступная стоимость
  • Минусы:
    • Низкая эффективность при работе с частотами свыше 50кГц
    • Высокое сопротивление при обратном напряжении
  • Общее назначение:
    • Защита электронных компонентов от обратного напряжения
    • Переключение сигналов
    • Регулировка напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Промышленное оборудование
    • Электронные приборы
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4002B-G

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    100 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 1 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 100 V
  • Емкость @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-41
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4002

Техническая документация

 1N4002B-G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DPG10I200PAДиод: DIODE GEN PURP 200V 10A TO220AC
    369Кешбэк 55 баллов
    DPG10I300PAДиод: DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC
    369Кешбэк 55 баллов
    DSI30-16AДиод: DIODE GEN PURP 1.6KV 30A TO220AC
    371Кешбэк 55 баллов
    DPG15I400PMДиод: DIODE GEN PURP 400V 15A TO220FP
    421Кешбэк 63 балла
    DSEI8-06AДиод: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
    452Кешбэк 67 баллов
    DPG10I400PAДиод: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC
    456Кешбэк 68 баллов
    DPG15I200PAДиод: DIODE GEN PURP 200V 15A TO220AC
    456Кешбэк 68 баллов
    DFE10I600PMДиод: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP
    464Кешбэк 69 баллов
    DMA10I1600PAДиод: DIODE GEN PURP 1600V 10A TO220AC
    468Кешбэк 70 баллов
    DSEP8-06AДиод: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
    483Кешбэк 72 балла
    DHG10I1200PAДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
    519Кешбэк 77 баллов
    DHG5I600PAДиод: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
    523Кешбэк 78 баллов
    DSEP8-12AДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
    540Кешбэк 81 балл
    DHG10I1200PMДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP
    540Кешбэк 81 балл
    DSEP8-06BДиод: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC
    540Кешбэк 81 балл
    DSEP15-06AДиод: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
    548Кешбэк 82 балла
    DSEP12-12BДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC
    562Кешбэк 84 балла
    DPG15I300PAДиод: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220AC
    562Кешбэк 84 балла
    DPG30I400HAДиод: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247
    564Кешбэк 84 балла
    DSEI12-12AДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 11A TO220AC
    597Кешбэк 89 баллов
    DSEI12-06AДиод: DIODE GEN PURP 600V 14A TO220AC
    658Кешбэк 98 баллов
    DSEP15-06BДиод: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
    666Кешбэк 99 баллов
    DPG30I300PAДиод: DIODE GEN PURP 300V 30A TO220AC
    688Кешбэк 103 балла
    DSEI12-10AДиод: DIODE GEN PURP 1KV 12A TO220AC
    690Кешбэк 103 балла
    DSEP12-12AДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A TO220AC
    692Кешбэк 103 балла
    DHG5I600PMДиод: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP
    707Кешбэк 106 баллов
    DHG10I1800PAДиод: DIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC
    717Кешбэк 107 баллов
    DSI30-12AS-TUBДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263
    749Кешбэк 112 баллов
    DHG20I1200PAДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
    751Кешбэк 112 баллов
    DLA20IM800PC-TUBДиод: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263
    757Кешбэк 113 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторные модули
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП