Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N4151WS-G3-08
  • В избранное
  • В сравнение
1N4151WS-G3-08

1N4151WS-G3-08

1N4151WS-G3-08
;
1N4151WS-G3-08

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    1N4151WS-G3-08
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323Все характеристики

Минимальная цена 1N4151WS-G3-08 при покупке от 1 шт 35.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4151WS-G3-08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4151WS-G3-08

1N4151WS-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE GEN PURP 50В 150mA SOD323

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 50В
    • Номинальный ток (ISM) - 150mA
    • Форма корпуса - SOD323
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение сброса
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер корпуса для компактного монтажа
  • Минусы:
    • Средний срок службы при высоких температурах
    • Относительно низкая токовая способность по сравнению с другими диодами
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Обеспечение разрыва цепи при сбросе напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Электронные блоки питания
    • Автомобильная электроника
    • Радиоприемники
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4151WS-G3-08

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    150mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 50 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 nA @ 50 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-76, SOD-323
  • Исполнение корпуса
    SOD-323
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4151

Техническая документация

 1N4151WS-G3-08.pdf
pdf. 0 kb
  • 15000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    35 ₽
  • 100
    17.7 ₽
  • 1000
    11.4 ₽
  • 6000
    8.5 ₽
  • 15000
    7.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    1N4151WS-G3-08
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323Все характеристики

Минимальная цена 1N4151WS-G3-08 при покупке от 1 шт 35.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4151WS-G3-08 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4151WS-G3-08

1N4151WS-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DIODE GEN PURP 50В 150mA SOD323

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 50В
    • Номинальный ток (ISM) - 150mA
    • Форма корпуса - SOD323
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение сброса
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер корпуса для компактного монтажа
  • Минусы:
    • Средний срок службы при высоких температурах
    • Относительно низкая токовая способность по сравнению с другими диодами
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного напряжения
    • Обеспечение разрыва цепи при сбросе напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Электронные блоки питания
    • Автомобильная электроника
    • Радиоприемники
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4151WS-G3-08

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    150mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 50 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 nA @ 50 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-76, SOD-323
  • Исполнение корпуса
    SOD-323
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4151

Техническая документация

 1N4151WS-G3-08.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VSSA210-M3/61TDIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC
    31Кешбэк 4 балла
    BAV19W-E3-18DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123
    31Кешбэк 4 балла
    BAV20W-E3-18DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123
    31Кешбэк 4 балла
    GSD2004W-E3-08Диод: DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123
    33Кешбэк 4 балла
    BAT81S-TRDIODE SCHOTTKY 40V 30MA DO35
    33Кешбэк 4 балла
    BAV20WS-G3-08DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    1N4448WS-G3-08Диод: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    BAV19WS-E3-08Диод: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    BAV19WS-G3-08Диод: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    1N4448W-G3-18DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
    33Кешбэк 4 балла
    BAS16D-G3-08DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
    33Кешбэк 4 балла
    BAV20WS-HE3-08DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    1N4936-E3/73Диод: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    33Кешбэк 4 балла
    BAV21WS-G3-08Диод: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    1N4151WS-G3-08DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323
    35Кешбэк 5 баллов
    1N4933-E3/54DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
    35Кешбэк 5 баллов
    UF4002-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
    35Кешбэк 5 баллов
    BAS16WS-G3-08Транзистор: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
    35Кешбэк 5 баллов
    MSS2P3-M3/89ADIODE SCHOTTKY 30V 2A MICROSMP
    37Кешбэк 5 баллов
    MSS1P2L-M3/89ADIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
    39Кешбэк 5 баллов
    SD103A-TRDIODE SCHOTTKY 40V DO35
    39Кешбэк 5 баллов
    S1B-E3/5ATDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
    39Кешбэк 5 баллов
    1N5396-E3/54DIODE GEN PURP 500V 1.5A DO204AL
    39Кешбэк 5 баллов
    BAS16WS-HE3-18DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
    39Кешбэк 5 баллов
    BAS16WS-HE3-08Транзистор: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
    39Кешбэк 5 баллов
    SD101AW-E3-18DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123
    41Кешбэк 6 баллов
    1N4148WS-HE3-08Диод: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
    41Кешбэк 6 баллов
    VS-MBRS130L-M3/5BTDIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB
    41Кешбэк 6 баллов
    SD101BW-E3-18DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123
    41Кешбэк 6 баллов
    BAS21-HE3-08Диод: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
    41Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    IGBT транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП