Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N4448W-G3-18
  • В избранное
  • В сравнение
1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18
;
1N4448W-G3-18

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    1N4448W-G3-18
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123Все характеристики

Минимальная цена 1N4448W-G3-18 при покупке от 1 шт 33.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4448W-G3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Тип: Диод общего назначения
  • Номинальное напряжение: 75В
  • Номинальный ток: 150mA
  • Форм-фактор: SOD123
  • Плюсы:
  • Высокая надежность
  • Малый размер
  • Устойчивость к перепадам напряжения
  • Минусы:
  • Низкая мощность
  • Малая теплопроводность

Общее назначение: Используется для защиты электронных схем от обратного напряжения, ограничения тока и других защитных функций.

  • Применение:
  • Маломощные электронные устройства
  • Системы управления питанием
  • Антирефлексивные системы
  • Переходные цепи
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4448W-G3-18

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    75 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    150mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    720 mV @ 5 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 75 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4448

Техническая документация

 1N4448W-G3-18.pdf
pdf. 0 kb
  • 9128 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    33 ₽
  • 100
    18.3 ₽
  • 1000
    11.7 ₽
  • 5000
    9 ₽
  • 20000
    6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    1N4448W-G3-18
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123Все характеристики

Минимальная цена 1N4448W-G3-18 при покупке от 1 шт 33.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4448W-G3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Тип: Диод общего назначения
  • Номинальное напряжение: 75В
  • Номинальный ток: 150mA
  • Форм-фактор: SOD123
  • Плюсы:
  • Высокая надежность
  • Малый размер
  • Устойчивость к перепадам напряжения
  • Минусы:
  • Низкая мощность
  • Малая теплопроводность

Общее назначение: Используется для защиты электронных схем от обратного напряжения, ограничения тока и других защитных функций.

  • Применение:
  • Маломощные электронные устройства
  • Системы управления питанием
  • Антирефлексивные системы
  • Переходные цепи
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4448W-G3-18

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    75 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    150mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    720 mV @ 5 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 75 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4448

Техническая документация

 1N4448W-G3-18.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VSSA210-M3/61TDIODE SCHOTTKY 100V 1.7A DO214AC
    31Кешбэк 4 балла
    BAV19W-E3-18DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123
    31Кешбэк 4 балла
    BAV20W-E3-18DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD123
    31Кешбэк 4 балла
    GSD2004W-E3-08Диод: DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123
    33Кешбэк 4 балла
    BAT81S-TRDIODE SCHOTTKY 40V 30MA DO35
    33Кешбэк 4 балла
    BAV20WS-G3-08DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    1N4448WS-G3-08Диод: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    BAV19WS-E3-08Диод: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    BAV19WS-G3-08Диод: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    1N4448W-G3-18DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
    33Кешбэк 4 балла
    BAS16D-G3-08DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
    33Кешбэк 4 балла
    BAV20WS-HE3-08DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    1N4936-E3/73Диод: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    33Кешбэк 4 балла
    BAV21WS-G3-08Диод: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
    33Кешбэк 4 балла
    1N4151WS-G3-08DIODE GEN PURP 50V 150MA SOD323
    35Кешбэк 5 баллов
    1N4933-E3/54DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
    35Кешбэк 5 баллов
    UF4002-E3/54Диод: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
    35Кешбэк 5 баллов
    BAS16WS-G3-08Транзистор: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
    35Кешбэк 5 баллов
    MSS2P3-M3/89ADIODE SCHOTTKY 30V 2A MICROSMP
    37Кешбэк 5 баллов
    MSS1P2L-M3/89ADIODE SCHOTTKY 20V 1A MICROSMP
    39Кешбэк 5 баллов
    SD103A-TRDIODE SCHOTTKY 40V DO35
    39Кешбэк 5 баллов
    S1B-E3/5ATDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
    39Кешбэк 5 баллов
    1N5396-E3/54DIODE GEN PURP 500V 1.5A DO204AL
    39Кешбэк 5 баллов
    BAS16WS-HE3-18DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
    39Кешбэк 5 баллов
    BAS16WS-HE3-08Транзистор: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323
    39Кешбэк 5 баллов
    SD101AW-E3-18DIODE SCHOTTKY 400MW 60V SOD123
    41Кешбэк 6 баллов
    1N4148WS-HE3-08Диод: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323
    41Кешбэк 6 баллов
    VS-MBRS130L-M3/5BTDIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB
    41Кешбэк 6 баллов
    SD101BW-E3-18DIODE SCHOTTKY 400MW 50V SOD123
    41Кешбэк 6 баллов
    BAS21-HE3-08Диод: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23
    41Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП