Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N4448W-G3-18
  • В избранное
  • В сравнение
1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18
;
1N4448W-G3-18

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    1N4448W-G3-18
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123Все характеристики

Минимальная цена 1N4448W-G3-18 при покупке от 1 шт 31.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4448W-G3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Тип: Диод общего назначения
  • Номинальное напряжение: 75В
  • Номинальный ток: 150mA
  • Форм-фактор: SOD123
  • Плюсы:
  • Высокая надежность
  • Малый размер
  • Устойчивость к перепадам напряжения
  • Минусы:
  • Низкая мощность
  • Малая теплопроводность

Общее назначение: Используется для защиты электронных схем от обратного напряжения, ограничения тока и других защитных функций.

  • Применение:
  • Маломощные электронные устройства
  • Системы управления питанием
  • Антирефлексивные системы
  • Переходные цепи
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4448W-G3-18

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    75 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    150mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    720 mV @ 5 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 75 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4448

Техническая документация

 1N4448W-G3-18.pdf
pdf. 0 kb
  • 9128 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    31 ₽
  • 100
    17.3 ₽
  • 1000
    11 ₽
  • 5000
    8.6 ₽
  • 20000
    5.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    1N4448W-G3-18
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123Все характеристики

Минимальная цена 1N4448W-G3-18 при покупке от 1 шт 31.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N4448W-G3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Тип: Диод общего назначения
  • Номинальное напряжение: 75В
  • Номинальный ток: 150mA
  • Форм-фактор: SOD123
  • Плюсы:
  • Высокая надежность
  • Малый размер
  • Устойчивость к перепадам напряжения
  • Минусы:
  • Низкая мощность
  • Малая теплопроводность

Общее назначение: Используется для защиты электронных схем от обратного напряжения, ограничения тока и других защитных функций.

  • Применение:
  • Маломощные электронные устройства
  • Системы управления питанием
  • Антирефлексивные системы
  • Переходные цепи
Выбрано: Показать

Характеристики 1N4448W-G3-18

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    75 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    150mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    720 mV @ 5 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    4 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 75 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOD-123
  • Исполнение корпуса
    SOD-123
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N4448

Техническая документация

 1N4448W-G3-18.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FFPF08S60STTUDIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L
    123Кешбэк 18 баллов
    MMSD914DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    12.9Кешбэк 1 балл
    1N3595DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35
    18.4Кешбэк 2 балла
    MMSD4148T3GДиод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    22Кешбэк 3 балла
    NTS245SFT3GDIODE SCHOTTKY 45V 2A SOD123FL
    20.2Кешбэк 3 балла
    BAS19LT1Диод: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
    7.4Кешбэк 1 балл
    DSK10C-AT1DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
    22Кешбэк 3 балла
    NSVR0240P2T5GDIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD923
    33Кешбэк 4 балла
    BAS16WT1GТранзистор: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70-3
    18.4Кешбэк 2 балла
    1N4003RLGДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
    31Кешбэк 4 балла
    MBRD330T4GDIODE SCHOTTKY 30V 3A DPAK
    112Кешбэк 16 баллов
    M1MA152KT1GDIODE GEN PURP 80V 100MA SC59
    27.6Кешбэк 4 балла
    MMSD914T1
    12.2Кешбэк 1 балл
    DS135ADDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    27.6Кешбэк 4 балла
    NRVB5100MFST1GДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN
    64Кешбэк 9 баллов
    MBRM120LT3GДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 1A POWERMITE
    61Кешбэк 9 баллов
    MBR120ESFT3GDIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123FL
    97Кешбэк 14 баллов
    DSF10TC-BTDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
    22Кешбэк 3 балла
    NRVA4007T3GDIODE GEN PURP 1000V 1A SMA
    29.4Кешбэк 4 балла
    1N4005GДиод: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
    25.7Кешбэк 3 балла
    SBAS116LT1GДиод: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
    18.4Кешбэк 2 балла
    MUR260RLGDIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL
    53Кешбэк 7 баллов
    SMMSD4148T1GДиод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    25.7Кешбэк 3 балла
    SBR80520LT1GДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123
    75Кешбэк 11 баллов
    NRVBAF360T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 4A SMA-FL
    136Кешбэк 20 баллов
    FDLL914ARECTIFIER DIODE, 0.2A, 100V, DO-
    18.4Кешбэк 2 балла
    NSR02L30NXT5GDIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DSN
    68Кешбэк 10 баллов
    1N5402RLDIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    70Кешбэк 10 баллов
    1N4003GДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
    27.6Кешбэк 4 балла
    FDLL914Диод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD80
    18.4Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП