Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
1N5225B-TAP
  • В избранное
  • В сравнение
1N5225B-TAP

1N5225B-TAP

1N5225B-TAP
;
1N5225B-TAP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N5225B-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5225B-TAP при покупке от 1 шт 18.40 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5225B-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5225B-TAP

1N5225B-TAP Vishay Semiconductors диод:

  • DIODE ZENER 3V 500MW DO35

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение зенера (VZ): 3 В
  • Мощность (PZ): 500 мВт
  • Тип корпуса: DO35

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения зенера
  • Высокая мощность при сравнительно небольшом размере корпуса
  • Долгий срок службы

Минусы:

  • Необходимо соблюдение условий охлаждения для работы при максимальной мощности
  • Меньше подходят для высокоточных приложений из-за возможных колебаний напряжения зенера

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных схемах
  • Защита электронных компонентов от перенапряжений
  • Создание низковольтных источников питания

Применяется в:

  • Радиоприборах
  • Видеокамерах и цифровых фотоаппаратах
  • Автомобильных системах
  • Компьютерах и периферии
  • Мобильных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5225B-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    29 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    1N5225

Техническая документация

 1N5225B-TAP.pdf
pdf. 0 kb
  • 21205 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18.4 ₽
  • 100
    6.1 ₽
  • 1000
    4.4 ₽
  • 10000
    4.05 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N5225B-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5225B-TAP при покупке от 1 шт 18.40 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5225B-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5225B-TAP

1N5225B-TAP Vishay Semiconductors диод:

  • DIODE ZENER 3V 500MW DO35

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение зенера (VZ): 3 В
  • Мощность (PZ): 500 мВт
  • Тип корпуса: DO35

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения зенера
  • Высокая мощность при сравнительно небольшом размере корпуса
  • Долгий срок службы

Минусы:

  • Необходимо соблюдение условий охлаждения для работы при максимальной мощности
  • Меньше подходят для высокоточных приложений из-за возможных колебаний напряжения зенера

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных схемах
  • Защита электронных компонентов от перенапряжений
  • Создание низковольтных источников питания

Применяется в:

  • Радиоприборах
  • Видеокамерах и цифровых фотоаппаратах
  • Автомобильных системах
  • Компьютерах и периферии
  • Мобильных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5225B-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    29 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    1N5225

Техническая документация

 1N5225B-TAP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SZ3C51Диод: ZENERDIODE,MELF,51V,3W,5%
    9.1Кешбэк 1 балл
    ZMY24Диод: DIODE ZENER 24V 1.3W MELF
    42Кешбэк 6 баллов
    SZ3C75Диод: ZENERDIODE,MELF,75V,3W,5%
    9Кешбэк 1 балл
    MM3Z3V6Диод: ZENERDIODE,SOD-323,3.6V,0.3W,5%
    25Кешбэк 3 балла
    SZ3C9.1DIODE ZENER 9.1V 3W MELF
    57Кешбэк 8 баллов
    ZPY12Диод: DIODE ZENER 12V 1.3W DO41
    41.4Кешбэк 6 баллов
    ZMD12Диод: ZENERDIODE,DO-213AA,12V,1W,5%
    56Кешбэк 8 баллов
    ZPY120Диод: ZENERDIODE,DO-41,120V,1.3W,5%
    15Кешбэк 2 балла
    ZMY11Диод: ZENERDIODE,MELF,11V,1.3W,5%
    35Кешбэк 5 баллов
    MM5Z12Диод: ZENERDIODE,SOD-523,12V,0.3W,5%
    7.1Кешбэк 1 балл
    SMZ24Диод: ZENERDIODE,MELF,24V,2W,5%
    54Кешбэк 8 баллов
    ZY20Диод: DIODE ZENER 20V 2W DO41
    43Кешбэк 6 баллов
    ZMY3.0GДиод: DIODE ZENER 3V 1W MELF
    32Кешбэк 4 балла
    MM5Z3V3Диод: DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD523F
    28Кешбэк 4 балла
    1N5378BДиод: DIODE ZENER 100V 5W T18
    83Кешбэк 12 баллов
    3EZ9.1ZENERDIODE,DO-15,9.1V,3W,5%
    59Кешбэк 8 баллов
    SZ3C1Диод: ZENERDIODE,MELF,0.77V,3W,5%
    88Кешбэк 13 баллов
    ZY5.6Диод: ZENERDIODE,DO-41,5.6V,2W,5%
    22.7Кешбэк 3 балла
    3EZ18Диод: ZENERDIODE,DO-15,18V,3W,5%
    32.5Кешбэк 4 балла
    Z1SMA39Диод: DIODE ZENER 39V 1W DO214AC
    58Кешбэк 8 баллов
    Z1SMA16Диод: DIODE ZENER 16V 1W DO214AC
    30.3Кешбэк 4 балла
    ZMD5.1Диод: ZENERDIODE,DO-213AA,5.1V,1W,5%
    77Кешбэк 11 баллов
    MM5Z18Диод: ZENERDIODE,SOD-523,18V,0.3W,5%
    7.1Кешбэк 1 балл
    ZY82Диод: ZENERDIODE,DO-41,82V,2W,5%
    27Кешбэк 4 балла
    MM3Z2V4Диод: ZENERDIODE,SOD-323,2.4V,0.3W,5%
    6.7Кешбэк 1 балл
    Z3SMC9.1DIODE ZENER 9.1V 3W SMC
    97Кешбэк 14 баллов
    ZPY110Диод: DIODE ZENER 110V 1.3W DO41
    42Кешбэк 6 баллов
    ZPY180Диод: ZENERDIODE,DO-41,180V,1.3W,5%
    19Кешбэк 2 балла
    ZMM22Диод: ZENERDIODE,SOD-80,22V,0.5W,5%
    12Кешбэк 1 балл
    MM1Z4690ZENERDIODE,SOD-123,5.6V,0.5W,5%
    44.5Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП