Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
1N5225B-TAP
  • В избранное
  • В сравнение
1N5225B-TAP

1N5225B-TAP

1N5225B-TAP
;
1N5225B-TAP

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N5225B-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5225B-TAP при покупке от 1 шт 20.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5225B-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5225B-TAP

1N5225B-TAP Vishay Semiconductors диод:

  • DIODE ZENER 3V 500MW DO35

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение зенера (VZ): 3 В
  • Мощность (PZ): 500 мВт
  • Тип корпуса: DO35

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения зенера
  • Высокая мощность при сравнительно небольшом размере корпуса
  • Долгий срок службы

Минусы:

  • Необходимо соблюдение условий охлаждения для работы при максимальной мощности
  • Меньше подходят для высокоточных приложений из-за возможных колебаний напряжения зенера

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных схемах
  • Защита электронных компонентов от перенапряжений
  • Создание низковольтных источников питания

Применяется в:

  • Радиоприборах
  • Видеокамерах и цифровых фотоаппаратах
  • Автомобильных системах
  • Компьютерах и периферии
  • Мобильных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5225B-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    29 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    1N5225

Техническая документация

 1N5225B-TAP.pdf
pdf. 0 kb
  • 21083 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    20 ₽
  • 100
    6.6 ₽
  • 1000
    4.8 ₽
  • 10000
    4.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N5225B-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 3V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5225B-TAP при покупке от 1 шт 20.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5225B-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5225B-TAP

1N5225B-TAP Vishay Semiconductors диод:

  • DIODE ZENER 3V 500MW DO35

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение зенера (VZ): 3 В
  • Мощность (PZ): 500 мВт
  • Тип корпуса: DO35

Плюсы:

  • Высокая стабильность напряжения зенера
  • Высокая мощность при сравнительно небольшом размере корпуса
  • Долгий срок службы

Минусы:

  • Необходимо соблюдение условий охлаждения для работы при максимальной мощности
  • Меньше подходят для высокоточных приложений из-за возможных колебаний напряжения зенера

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных схемах
  • Защита электронных компонентов от перенапряжений
  • Создание низковольтных источников питания

Применяется в:

  • Радиоприборах
  • Видеокамерах и цифровых фотоаппаратах
  • Автомобильных системах
  • Компьютерах и периферии
  • Мобильных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5225B-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    3 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    29 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    1N5225

Техническая документация

 1N5225B-TAP.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1N5265B-TRДиод: DIODE ZENER 62V 500MW DO35
    20Кешбэк 3 балла
    BZD27C3V9P-E3-08Диод: DIODE ZENER 3.9V 800MW DO219AB
    20Кешбэк 3 балла
    1N5234B-TRДиод: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
    20Кешбэк 3 балла
    1N5225B-TAPДиод: DIODE ZENER 3V 500MW DO35
    20Кешбэк 3 балла
    1N5256B-TRДиод: DIODE ZENER 30V 500MW DO35
    20Кешбэк 3 балла
    1N5229B-TAPДиод: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35
    20Кешбэк 3 балла
    TZX9V1D-TRДиод: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
    20Кешбэк 3 балла
    1N4738A-TAPДиод: DIODE ZENER 8.2V 1.3W DO41
    20Кешбэк 3 балла
    BZX84C15-G3-08Диод: DIODE ZENER 15V 300MW SOT23-3
    20Кешбэк 3 балла
    BZT52B5V6-E3-08DIODE ZENER 5.6V 410MW SOD123
    20Кешбэк 3 балла
    ZPY39-TAPДиод: DIODE ZENER 39V 1.3W DO41
    20Кешбэк 3 балла
    BZX84C27-E3-08Диод: DIODE ZENER 27V 300MW SOT23-3
    20Кешбэк 3 балла
    BZX384C12-E3-18Диод: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323
    20Кешбэк 3 балла
    1N5243B-TRДиод: DIODE ZENER 13V 500MW DO35
    20Кешбэк 3 балла
    MMSZ5243B-E3-08Диод: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
    20Кешбэк 3 балла
    MMSZ5234C-E3-08Диод: DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123
    20Кешбэк 3 балла
    BZM55C2V7-TRДиод: DIODE ZENER 2.7V 500MW MICROMELF
    20Кешбэк 3 балла
    MMSZ4709-E3-18Диод: DIODE ZENER 24V 500MW SOD123
    20Кешбэк 3 балла
    BZT55C16-GS08Диод: DIODE ZENER 16V 500MW SOD80
    20Кешбэк 3 балла
    PLZ2V0B-G3/HДиод: DIODE ZENER 2.11V 960MW DO219AC
    20Кешбэк 3 балла
    BZX85B24-TRДиод: DIODE ZENER 24V 1.3W DO41
    20Кешбэк 3 балла
    BZT52C11-E3-08Диод: DIODE ZENER 11V 410MW SOD123
    20Кешбэк 3 балла
    TZX3V9C-TAPДиод: DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
    20Кешбэк 3 балла
    TZM5248B-GS08Диод: DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
    20Кешбэк 3 балла
    TZM5241B-GS08Диод: DIODE ZENER 11V 500MW SOD80
    20Кешбэк 3 балла
    BZX55B4V7-TRДиод: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
    20Кешбэк 3 балла
    BZG05C3V6-HM3-08DIODE ZENER 3.6V 1.25W DO214AC
    20Кешбэк 3 балла
    TZM5222B-GS08Диод: DIODE ZENER 2.5V 500MW SOD80
    20Кешбэк 3 балла
    TZX10D-TRДиод: DIODE ZENER 10V 500MW DO35
    20Кешбэк 3 балла
    BZX384C2V4-E3-08Диод: DIODE ZENER 2.4V 200MW SOD323
    20Кешбэк 3 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторные модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные триодные тиристоры
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП