Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
1N5229B-TAP

1N5229B-TAP

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    1N5229B-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5229B-TAP при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5229B-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 1N5229B-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    4.3 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    22 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    1N5229
Техническая документация
1N5229B-TAP.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    1N5229B-TAP
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 4.3V 500MW DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5229B-TAP при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5229B-TAP с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 1N5229B-TAP

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    4.3 V
  • Допуск
    ±5%
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    22 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1 V
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.1 V @ 200 mA
  • Рабочая температура
    175°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Base Product Number
    1N5229
Техническая документация
1N5229B-TAP.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории