Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Регулирование тока - диоды, транзисторы
1N5312
  • В избранное
  • В сравнение
1N5312

1N5312

1N5312
;
1N5312

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N5312
  • Описание:
    FED 3.9 MA DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5312 при покупке от 1 шт 3216.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5312 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5312

1N5312 Microchip Technology FED 3.9 MA DO35 — это тип диода, используемого для защиты электронных устройств от обратного напряжения. Давайте рассмотрим его основные параметры, плюсы и минусы, а также область применения.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания (UDRM): 3.9 В
    • Номинальный ток срабатывания (IDRM): 3.9 мА
    • Максимальное напряжение обратного срабатывания (URM): 40 В
    • Максимальный ток срабатывания (IRM): 600 мА
    • Тип корпуса: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая надежность при работе с высокими напряжениями
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер корпуса
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Меньше подходит для высокоточных приложений из-за нелинейности ведения
    • Необходимо соблюдать максимальный ток срабатывания
  • Общее назначение:
    • Защита электронных компонентов от обратного напряжения
    • Обеспечение безопасности в системах питания
    • Изоляция различных цепей от друг друга
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Системы связи
    • Медицинское оборудование
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5312

  • Рабочая температура
    -55°C ~ 200°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35

Техническая документация

 1N5312.pdf
pdf. 0 kb
  • 82 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 216 ₽
  • 100
    2 986 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N5312
  • Описание:
    FED 3.9 MA DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5312 при покупке от 1 шт 3216.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5312 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5312

1N5312 Microchip Technology FED 3.9 MA DO35 — это тип диода, используемого для защиты электронных устройств от обратного напряжения. Давайте рассмотрим его основные параметры, плюсы и минусы, а также область применения.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение срабатывания (UDRM): 3.9 В
    • Номинальный ток срабатывания (IDRM): 3.9 мА
    • Максимальное напряжение обратного срабатывания (URM): 40 В
    • Максимальный ток срабатывания (IRM): 600 мА
    • Тип корпуса: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая надежность при работе с высокими напряжениями
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер корпуса
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Меньше подходит для высокоточных приложений из-за нелинейности ведения
    • Необходимо соблюдать максимальный ток срабатывания
  • Общее назначение:
    • Защита электронных компонентов от обратного напряжения
    • Обеспечение безопасности в системах питания
    • Изоляция различных цепей от друг друга
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Компьютеры и ноутбуки
    • Системы связи
    • Медицинское оборудование
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5312

  • Рабочая температура
    -55°C ~ 200°C
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35

Техническая документация

 1N5312.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    1N5287FED .33 MA DO35
    3 216Кешбэк 482 балла
    1N5305FED 1.2 MA DO35
    3 779Кешбэк 566 баллов
    1N5298FED 1.1 MA DO35
    3 216Кешбэк 482 балла
    1N5306FED 2 MA DO35
    3 248Кешбэк 487 баллов
    1N5312FED 3.9 MA DO35
    3 216Кешбэк 482 балла
    1N5294SILICON CURRENT LIMITING DIODE
    3 216Кешбэк 482 балла
    1N5283SILICON CURRENT LIMITING DIODE
    3 229Кешбэк 484 балла
    1N5314FED 4.7 MA DO35
    3 253Кешбэк 487 баллов
    CL05M6FCLD/CCR SOD-123FL 150V 6MA
    71Кешбэк 10 баллов
    CL20M35-AQCL Diode, 90V, 20mA
    49Кешбэк 7 баллов
    CL40M45CLD/CCR SMB 90V 40MA
    92Кешбэк 13 баллов
    CL20M35CLD/CCR SMA 90V 20MA
    89Кешбэк 13 баллов
    CL15MDCLD/CCR DO-213AA 90V 25MA
    93Кешбэк 13 баллов
    CL20M45CLD/CCR SMB 90V 20MA
    98Кешбэк 14 баллов
    CL20M35R7CLD/CCR SMA 90V 20MA
    31Кешбэк 4 балла
    CL30MDCLD/CCR DO-213AA 90V 40MA
    91Кешбэк 13 баллов
    CL20MDCLD/CCR DO-213AA 90V 30MA
    91Кешбэк 13 баллов
    CL10MDCLD/CCR MELF 90V 20MA
    91Кешбэк 13 баллов
    1N5296SILICON CURRENT LIMITING DIODE
    815Кешбэк 122 балла
    1N5292SILICON CURRENT LIMITING DIODE
    1 331Кешбэк 199 баллов
    1N5291FED .56 MA DO35
    1 260Кешбэк 189 баллов
    SST506 SOT-23 3LCURRENT REGULATING DIODE
    1 634Кешбэк 245 баллов
    SST509 SOT-23 3LCURRENT REGULATING DIODE
    1 634Кешбэк 245 баллов
    SST508 SOT-23 3LCURRENT REGULATING DIODE
    1 634Кешбэк 245 баллов
    SST510 SOT-23 3LCURRENT REGULATING DIODE
    1 634Кешбэк 245 баллов
    SST505 SOT-23 3LCURRENT REGULATING DIODE
    1 634Кешбэк 245 баллов
    1N5302SILICON CURRENT LIMITING DIODE
    2 723Кешбэк 408 баллов
    1N5300SILICON CURRENT LIMITING DIODE
    2 723Кешбэк 408 баллов
    1N5288FED .39 MA DO35
    2 723Кешбэк 408 баллов
    1N5289FED .43 MA DO35
    741Кешбэк 111 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП