Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N5407GP-E3/73
  • В избранное
  • В сравнение
1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73
;
1N5407GP-E3/73

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    1N5407GP-E3/73
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADВсе характеристики

Минимальная цена 1N5407GP-E3/73 при покупке от 1 шт 457.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5407GP-E3/73 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73 Vishay General Semiconductor DIODE GEN PURP 800В 3А DO201AD

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UBR) - 800В
    • Номинальный ток прямого тока (IД) - 3А
    • Тип корпуса - DO201AD
    • Спецификация - общего назначения
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Высокая устойчивость к обратному току
    • Малый размер корпуса для эффективного использования пространства
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Меньше, чем у некоторых других типов диодов, теплопроводность
    • Не предназначен для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока
    • Обратные буферы
    • Распределение нагрузки
    • Компенсация неравномерностей напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электропитание
    • Устройства связи
    • Измерительная техника
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5407GP-E3/73

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 400 V
  • Емкость @ Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AD, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-201AD
  • Рабочая температура pn-прехода
    -50°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N5407

Техническая документация

 1N5407GP-E3/73.pdf
pdf. 0 kb
  • 978 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    457 ₽
  • 10
    293 ₽
  • 100
    200 ₽
  • 500
    166 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    1N5407GP-E3/73
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADВсе характеристики

Минимальная цена 1N5407GP-E3/73 при покупке от 1 шт 457.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5407GP-E3/73 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5407GP-E3/73

1N5407GP-E3/73 Vishay General Semiconductor DIODE GEN PURP 800В 3А DO201AD

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UBR) - 800В
    • Номинальный ток прямого тока (IД) - 3А
    • Тип корпуса - DO201AD
    • Спецификация - общего назначения
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Высокая устойчивость к обратному току
    • Малый размер корпуса для эффективного использования пространства
    • Высокая надежность
  • Минусы:
    • Меньше, чем у некоторых других типов диодов, теплопроводность
    • Не предназначен для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока
    • Обратные буферы
    • Распределение нагрузки
    • Компенсация неравномерностей напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Электропитание
    • Устройства связи
    • Измерительная техника
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5407GP-E3/73

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    800 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 400 V
  • Емкость @ Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-201AD, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-201AD
  • Рабочая температура pn-прехода
    -50°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N5407

Техническая документация

 1N5407GP-E3/73.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SE20DB-M3/IDIODE GEN PURP 200V 3.9A TO263AC
    348Кешбэк 52 балла
    1N5408GP-E3/54DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
    353Кешбэк 52 балла
    VF20100SG-E3/4WДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 20A ITO220AB
    355Кешбэк 53 балла
    V35PW45HM3/IDIODE SCHOTTKY 45V 35A SLIMDPAK
    359Кешбэк 53 балла
    VB30100S-E3/4WDIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AB
    361Кешбэк 54 балла
    GI750-E3/73DIODE GEN PURP 50V 6A P600
    361Кешбэк 54 балла
    FES8HT-E3/45DIODE GEN PURP 500V 8A TO220AC
    361Кешбэк 54 балла
    BYWB29-100-E3/81DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
    367Кешбэк 55 баллов
    AR4PMHM3_A/HDIODE AVALANCH 1KV 1.8A TO277A
    368Кешбэк 55 баллов
    BYWF29-200-E3/45DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
    368Кешбэк 55 баллов
    AU3PMHM3_A/HDIODE AVALANCH 1KV 1.4A TO277A
    370Кешбэк 55 баллов
    MBRB1645-E3/45DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB
    382Кешбэк 57 баллов
    VF30100SG-E3/4WДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 30A ITO220AB
    391Кешбэк 58 баллов
    FESF8GT-E3/45DIODE GEN PURP 400V 8A ITO220AC
    391Кешбэк 58 баллов
    VT4045BP-M3/4WДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO220AC
    406Кешбэк 60 баллов
    VFT4045BP-M3/4WДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 40A ITO220AC
    416Кешбэк 62 балла
    VB30100SG-E3/4WDIODE SCHOTTKY 100V 30A TO263AB
    427Кешбэк 64 балла
    V30DM120HM3/IDIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AC
    435Кешбэк 65 баллов
    1N5406GP-E3/54DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
    438Кешбэк 65 баллов
    SBLB10L25-E3/81DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB
    438Кешбэк 65 баллов
    V35DM120HM3/IDIODE SCHOTTKY 120V 6.3A TO263AC
    454Кешбэк 68 баллов
    FESF8DT-E3/45DIODE GEN PURP 200V 8A ITO220AC
    455Кешбэк 68 баллов
    1N5407GP-E3/73DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
    457Кешбэк 68 баллов
    RGP30M-E3/73DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
    463Кешбэк 69 баллов
    V30100S-M3/4WDIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-220AB
    469Кешбэк 70 баллов
    VB30120SG-E3/8WDIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB
    474Кешбэк 71 балл
    FESB16DT-E3/45DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
    478Кешбэк 71 балл
    V40M150C-M3/4WDIODE SCHOTTKY 150V TO220
    488Кешбэк 73 балла
    FESB16JT-E3/81Диод: DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
    495Кешбэк 74 балла
    FESB16GT-E3/45DIODE GEN PURP 400V 16A TO263AB
    495Кешбэк 74 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторные модули
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП