Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N5614US
  • В избранное
  • В сравнение
1N5614US

1N5614US

1N5614US
;
1N5614US

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N5614US
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 200V 1A D5AВсе характеристики

Минимальная цена 1N5614US при покупке от 1 шт 1035.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5614US с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5614US

1N5614US Микрочип Технологии ДИОД ГЕНЕРАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ 200В 1А D5A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 200В
    • Номинальный ток (ISM) - 1А
    • Форма пакета - D5A
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Максимальный ток ограничено 1А
    • Не подходит для высокоточных приложений из-за небольшого диапазона рабочих параметров
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Приведение уровней напряжений
    • Создание однородных полей напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиоаппаратура
    • Телевизионные приемники
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5614US

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    2 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    500 nA @ 200 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SQ-MELF, A
  • Исполнение корпуса
    D-5A
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 200°C
  • Base Product Number
    1N5614

Техническая документация

 1N5614US.pdf
pdf. 0 kb
  • 165 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 035 ₽
  • 100
    961 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N5614US
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 200V 1A D5AВсе характеристики

Минимальная цена 1N5614US при покупке от 1 шт 1035.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5614US с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5614US

1N5614US Микрочип Технологии ДИОД ГЕНЕРАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ 200В 1А D5A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR) - 200В
    • Номинальный ток (ISM) - 1А
    • Форма пакета - D5A
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Максимальный ток ограничено 1А
    • Не подходит для высокоточных приложений из-за небольшого диапазона рабочих параметров
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от перенапряжений
    • Приведение уровней напряжений
    • Создание однородных полей напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Аудиоаппаратура
    • Телевизионные приемники
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5614US

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    2 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    500 nA @ 200 V
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SQ-MELF, A
  • Исполнение корпуса
    D-5A
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 200°C
  • Base Product Number
    1N5614

Техническая документация

 1N5614US.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    GS1K-LTPDIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
    30.4Кешбэк 4 балла
    SD103BWS-TPDIODE SCHOTTKY 30V 350MA SOD323
    30.4Кешбэк 4 балла
    BAS20-TPДиод: DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23
    30.4Кешбэк 4 балла
    1N5819-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO41
    30.4Кешбэк 4 балла
    SD103BW-TPDIODE SCHOTTKY 30V 350MA SOD123
    32Кешбэк 4 балла
    MMBD4148WT-TPDIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323
    32Кешбэк 4 балла
    SK14-LTPДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AA
    34Кешбэк 5 баллов
    RB520S-40-TPDIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD523
    34Кешбэк 5 баллов
    BAT54T-TPDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523
    34Кешбэк 5 баллов
    1N4006-TPДиод: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
    36Кешбэк 5 баллов
    B0530WS-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD323
    36Кешбэк 5 баллов
    SK12-LTPDIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AA
    36Кешбэк 5 баллов
    BAS70WT-TPDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT323
    36Кешбэк 5 баллов
    US1JFL-TPDIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC
    38Кешбэк 5 баллов
    ES1B-LTPDIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
    38Кешбэк 5 баллов
    1N5817-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO41
    40Кешбэк 6 баллов
    SMD16PL-TPDIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123FL
    40Кешбэк 6 баллов
    RB501V-40-TPDIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOD323
    40Кешбэк 6 баллов
    SK16-LTPDIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AA
    44Кешбэк 6 баллов
    BAS70T-TPDIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT523
    44Кешбэк 6 баллов
    SD103CWS-TPDIODE SCHOTTKY 20V 350MA SOD323
    44Кешбэк 6 баллов
    SM4003PL-TPДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
    44Кешбэк 6 баллов
    B5817WS-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
    44Кешбэк 6 баллов
    B5819W-TPDIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123
    44Кешбэк 6 баллов
    1SS400-TPDIODE GEN PURP 90V 100MA SOD523
    46Кешбэк 6 баллов
    B5818WS-TPDIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD323
    46Кешбэк 6 баллов
    SM5819PL-TPДиод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123FL
    46Кешбэк 6 баллов
    RB521S-30-TPDIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523
    46Кешбэк 6 баллов
    BAS16WT-TPDIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323
    46Кешбэк 6 баллов
    ER1J-LTPDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    47.5Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторные модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП