Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N5625-TR
  • В избранное
  • В сравнение
1N5625-TR

1N5625-TR

1N5625-TR
;
1N5625-TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N5625-TR
  • Описание:
    DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64Все характеристики

Минимальная цена 1N5625-TR при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5625-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5625-TR

1N5625-TR Vishay Semiconductors DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR(1mA)) - 400В
    • Размеры корпуса - SOD64
    • Потребляемая мощность (Pmax) - 1.3В·А = 1.3Вт
    • Ток прямого тока (ISM) - 3А
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Высокая способность к переносу импульсных напряжений
    • Малый размер корпуса для удобства монтажа
  • Минусы:
    • Высокий уровень тепловыделения при больших токах
    • Не рекомендуется для постоянного использования при токах близких к номинальному значению
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от импульсных перенапряжений
    • Изоляция линий передачи данных
    • Обеспечение безопасной работы при работе с высокими напряжениями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Электропитание и преобразование напряжений
    • Системы защиты от перенапряжений
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5625-TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Avalanche
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    3 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 400 V
  • Емкость @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    SOD-64, Axial
  • Исполнение корпуса
    SOD-64
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N5625

Техническая документация

 1N5625-TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 9458 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    291 ₽
  • 10
    88 ₽
  • 500
    71 ₽
  • 5000
    68 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N5625-TR
  • Описание:
    DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64Все характеристики

Минимальная цена 1N5625-TR при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5625-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5625-TR

1N5625-TR Vishay Semiconductors DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR(1mA)) - 400В
    • Размеры корпуса - SOD64
    • Потребляемая мощность (Pmax) - 1.3В·А = 1.3Вт
    • Ток прямого тока (ISM) - 3А
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Высокая способность к переносу импульсных напряжений
    • Малый размер корпуса для удобства монтажа
  • Минусы:
    • Высокий уровень тепловыделения при больших токах
    • Не рекомендуется для постоянного использования при токах близких к номинальному значению
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от импульсных перенапряжений
    • Изоляция линий передачи данных
    • Обеспечение безопасной работы при работе с высокими напряжениями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Электропитание и преобразование напряжений
    • Системы защиты от перенапряжений
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5625-TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Avalanche
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    3 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 400 V
  • Емкость @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    SOD-64, Axial
  • Исполнение корпуса
    SOD-64
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N5625

Техническая документация

 1N5625-TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MBR130T3GДиод: DIODE SCHOTTKY 30V 1A SOD123
    46Кешбэк 6 баллов
    CDBQC0130L-HFDIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0402
    39Кешбэк 5 баллов
    VS-10MQ100HM3/5ATDIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBD4148-7-FДиод: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    1N4007E-E3/54DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
    22.2Кешбэк 3 балла
    CGRA4004-GDIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
    57Кешбэк 8 баллов
    SS14Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC
    54Кешбэк 8 баллов
    BAS116LT1
    7.4Кешбэк 1 балл
    CTS521,L3FDIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2
    22.2Кешбэк 3 балла
    30BQ060Диод: DIODE SCHOTTKY 60V SMC
    113Кешбэк 16 баллов
    B360A-M3/61TDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
    26Кешбэк 3 балла
    GF1BRECTIFIER DIODE, 1A, 100V, DO-21
    80Кешбэк 12 баллов
    MMSD4448Диод: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123
    18.5Кешбэк 2 балла
    SL03-GS18DIODE SCHOTTKY 30V DO219
    74Кешбэк 11 баллов
    BAT30F4Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 300MA 0201
    41Кешбэк 6 баллов
    CUS10S30,H3FDIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
    39Кешбэк 5 баллов
    HSL226KRF-EDIODE SCHOTTKY 25V 0.05A
    20.4Кешбэк 3 балла
    BAS16HT1
    7.4Кешбэк 1 балл
    DSK10BDIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
    22.2Кешбэк 3 балла
    BAL99LT1Диод
    11.1Кешбэк 1 балл
    BAS70-00-E3-18DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SOT23
    18.5Кешбэк 2 балла
    FFAF10U170STURECTIFIER DIODE
    148Кешбэк 22 балла
    SL12-E3/61TДиод: DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A DO214AC
    56Кешбэк 8 баллов
    CDBU0245
    22.2Кешбэк 3 балла
    SBR1U200P1-7DIODE SBR 200V 1A POWERDI123
    48Кешбэк 7 баллов
    1N4004-E3/53Диод: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    46Кешбэк 6 баллов
    RB751S40T1DIODE SCHOTTKY 30V 30MA SOD523
    14.8Кешбэк 2 балла
    10BQ030DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB
    61Кешбэк 9 баллов
    RS1DB-13DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
    91Кешбэк 13 баллов
    GS1G-LTPДиод: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
    29.6Кешбэк 4 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП