Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N5625-TR
  • В избранное
  • В сравнение
1N5625-TR

1N5625-TR

1N5625-TR
;
1N5625-TR

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N5625-TR
  • Описание:
    DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64Все характеристики

Минимальная цена 1N5625-TR при покупке от 1 шт 302.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5625-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5625-TR

1N5625-TR Vishay Semiconductors DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR(1mA)) - 400В
    • Размеры корпуса - SOD64
    • Потребляемая мощность (Pmax) - 1.3В·А = 1.3Вт
    • Ток прямого тока (ISM) - 3А
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Высокая способность к переносу импульсных напряжений
    • Малый размер корпуса для удобства монтажа
  • Минусы:
    • Высокий уровень тепловыделения при больших токах
    • Не рекомендуется для постоянного использования при токах близких к номинальному значению
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от импульсных перенапряжений
    • Изоляция линий передачи данных
    • Обеспечение безопасной работы при работе с высокими напряжениями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Электропитание и преобразование напряжений
    • Системы защиты от перенапряжений
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5625-TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Avalanche
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    3 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 400 V
  • Емкость @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    SOD-64, Axial
  • Исполнение корпуса
    SOD-64
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N5625

Техническая документация

 1N5625-TR.pdf
pdf. 0 kb
  • 9106 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    302 ₽
  • 10
    79 ₽
  • 500
    76 ₽
  • 2500
    72 ₽
  • 12500
    69 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay Semiconductors
  • Артикул:
    1N5625-TR
  • Описание:
    DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64Все характеристики

Минимальная цена 1N5625-TR при покупке от 1 шт 302.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5625-TR с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5625-TR

1N5625-TR Vishay Semiconductors DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR(1mA)) - 400В
    • Размеры корпуса - SOD64
    • Потребляемая мощность (Pmax) - 1.3В·А = 1.3Вт
    • Ток прямого тока (ISM) - 3А
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Высокая способность к переносу импульсных напряжений
    • Малый размер корпуса для удобства монтажа
  • Минусы:
    • Высокий уровень тепловыделения при больших токах
    • Не рекомендуется для постоянного использования при токах близких к номинальному значению
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от импульсных перенапряжений
    • Изоляция линий передачи данных
    • Обеспечение безопасной работы при работе с высокими напряжениями
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Электропитание и преобразование напряжений
    • Системы защиты от перенапряжений
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5625-TR

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип диода
    Avalanche
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 3 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    3 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 400 V
  • Емкость @ Vr, F
    60pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    SOD-64, Axial
  • Исполнение корпуса
    SOD-64
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N5625

Техническая документация

 1N5625-TR.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VS-6TQ035S-M3DIODE SCHOTTKY 35V 6A TO263AB
    260Кешбэк 39 баллов
    VS-6CSH01HM3/86ADIODE 100V 6A TO277A
    260Кешбэк 39 баллов
    VS-4ECU06-M3/9ATDIODE GEN PURP 600V 4A SMC
    264Кешбэк 39 баллов
    VS-ETU3006-M3DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2
    275Кешбэк 41 балл
    SF5406-TRDIODE GEN PURP 600V 3A SOD64
    277Кешбэк 41 балл
    VS-12EWH06FNTR-M3DIODE GEN PURPOSE 600V 12A DPAK
    277Кешбэк 41 балл
    VS-5ECH06-M3/9ATDIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB
    279Кешбэк 41 балл
    VS-6EWX06FNTR-M3DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
    281Кешбэк 42 балла
    VS-HFA08TB60HN3DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
    289Кешбэк 43 балла
    BYT56A-TRDIODE AVALANCHE 50V 3A SOD64
    300Кешбэк 45 баллов
    1N5625-TRDIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
    302Кешбэк 45 баллов
    VS-8EWF06S-M3Диод: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA
    306Кешбэк 45 баллов
    BYT62-TAPDIODE AVALANCH 2.4KV 350MA SOD57
    312Кешбэк 46 баллов
    VS-ETH1506FP-M3DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP
    314Кешбэк 47 баллов
    VS-ETX0806-M3Диод: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
    316Кешбэк 47 баллов
    VS-MBRB1635-M3DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB
    318Кешбэк 47 баллов
    VS-20ETS12FP-M3Диод: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220FP
    318Кешбэк 47 баллов
    VS-16EDU06-M3/IDIODE GEN PURP 200V 1A TO263AC
    318Кешбэк 47 баллов
    VS-ETL1506FP-M3DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP
    320Кешбэк 48 баллов
    VS-ETX1506FP-M3DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP
    320Кешбэк 48 баллов
    VS-ETU1506FP-M3DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP
    320Кешбэк 48 баллов
    BYW74TAPДиод: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64
    323Кешбэк 48 баллов
    VS-ETU1506-M3Диод: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2
    323Кешбэк 48 баллов
    VS-ETH1506S-M3DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK
    325Кешбэк 48 баллов
    VS-10WQ045FNTRL-M3DIODE SCHOTTKY 10A 45V DPAK
    347Кешбэк 52 балла
    VS-20ETS08FP-M3Диод: DIODE GEN PURP 800V 20A TO220FP
    347Кешбэк 52 балла
    VS-50WQ06FNHM3DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA
    347Кешбэк 52 балла
    VS-20L15TSTRL-M3DIODE GEN PURP 15V 20A TO263AB
    348Кешбэк 52 балла
    VS-MBRB1645-M3DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB
    360Кешбэк 54 балла
    VS-MBRB1045-M3DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO263AB
    362Кешбэк 54 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП