Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные диоды
1N5712
  • В избранное
  • В сравнение
1N5712

1N5712

1N5712
;
1N5712

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N5712
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5712 при покупке от 1 шт 1115.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5712 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5712

1N5712 Microchip Technology DIODE SCHOTTKY 20V 75mA DO35

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Номинальный ток: 75mA
    • Тип диода: Шоттки
    • Форм-фактор: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая скорость восстановления
    • Малое напряжения перехода
    • Малый размер и легкость установки
    • Высокая частота использования
  • Минусы:
    • Высокие потери при больших токах
    • Низкая теплопроводность
  • Общее назначение:
    • Использование в блоках питания для сглаживания напряжения
    • Защита от обратного напряжения в электронных цепях
    • Конвертация напряжений в мелкосигнальных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Ноутбуки и планшеты
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5712

  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    20 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    75mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 35 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    150 nA @ 16 V
  • Емкость @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N5712

Техническая документация

 1N5712.pdf
pdf. 0 kb
  • 517 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 115 ₽
  • 100
    1 036 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N5712
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5712 при покупке от 1 шт 1115.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5712 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5712

1N5712 Microchip Technology DIODE SCHOTTKY 20V 75mA DO35

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Номинальный ток: 75mA
    • Тип диода: Шоттки
    • Форм-фактор: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая скорость восстановления
    • Малое напряжения перехода
    • Малый размер и легкость установки
    • Высокая частота использования
  • Минусы:
    • Высокие потери при больших токах
    • Низкая теплопроводность
  • Общее назначение:
    • Использование в блоках питания для сглаживания напряжения
    • Защита от обратного напряжения в электронных цепях
    • Конвертация напряжений в мелкосигнальных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Ноутбуки и планшеты
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5712

  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    20 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    75mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 35 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    150 nA @ 16 V
  • Емкость @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N5712

Техническая документация

 1N5712.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMV1500SDFDRF DIODE STANDAR 1500V TO220FPAB
    189Кешбэк 28 баллов
    DMV1500SDFD6DIODE STANDAR 1500V TO220FPABFD6
    189Кешбэк 28 баллов
    DMV1500MFD5DIODE STANDAR 1500V TO220FPAB F5
    241Кешбэк 36 баллов
    DMV1500HFDRF DIODE STANDAR 1500V TO220FPAB
    248Кешбэк 37 баллов
    1N5712DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35
    1 115Кешбэк 167 баллов
    BAR6302LE6327XTMA1Диод: RF DIODE PIN 50V 250MW TSLP-2
    32Кешбэк 4 балла
    BAR6305WH6327XTSA1RF DIODE PIN 50V 250MW SOT23-3
    36Кешбэк 5 баллов
    BAR6503WE6327HTSA1RF DIODE PIN 30V 250MW SOD323-2
    38Кешбэк 5 баллов
    BAR6305E6327HTSA1Диод: RF DIODE PIN 50V 250MW SOT23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    BAR81WH6327XTSA1Диод: DIODE STANDAR 30V 100MW SOT343-4
    93Кешбэк 13 баллов
    BAT15099E6433HTMA1Диод: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4
    190Кешбэк 28 баллов
    BAT15099RE6327HTSA1Диод: DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4
    252Кешбэк 37 баллов
    SMP1345-040LFRF DIODE PIN 50V 750MW 0402
    62Кешбэк 9 баллов
    SMS3924-040LFDIODE SCHOTTKY 70V 75MW SOD882
    112Кешбэк 16 баллов
    SMS3924-079LFRF DIODE SCHOTTKY 70V 75MW SC79
    114Кешбэк 17 баллов
    SMPA1302-079LFRF DIODE PIN 200V 250MW SC79
    142Кешбэк 21 балл
    SMPA1304-011LFRF DIODE PIN 200V 250MW SOD323
    177Кешбэк 26 баллов
    SMP1330-005LFДиод: DIODE STANDARD 20V 250MW SOT23-3
    314Кешбэк 47 баллов
    SMP1320-079LFRF DIODE PIN 50V 250MW SC79
    322Кешбэк 48 баллов
    SMP1321-040LFRF DIODE PIN 100V 750MW 0402
    483Кешбэк 72 балла
    SMP1320-040LFRF DIODE PIN 50V 750MW 0402
    493Кешбэк 73 балла
    SMP1340-079LFRF DIODE PIN 50V 250MW SC79
    497Кешбэк 74 балла
    SMP1340-040LFRF DIODE PIN 50V 750MW 0402
    499Кешбэк 74 балла
    SMP1321-079LFRF DIODE PIN 100V 250MW SC79
    510Кешбэк 76 баллов
    CLA4609-086LFДиод: RF DIODE PIN 250V 3QFN
    537Кешбэк 80 баллов
    SMP1352-040LFRF DIODE PIN 200V 750MW 0402
    585Кешбэк 87 баллов
    SMP1345-087LFRF DIODE PIN 500MW 2QFN
    620Кешбэк 93 балла
    SMP1302-040LFRF DIODE PIN 200V 250MW SOD882
    632Кешбэк 94 балла
    SMS3923-079LFRF DIODE SCHOTTKY 20V 75MW SC79
    687Кешбэк 103 балла
    SMP1352-079LFRF DIODE PIN 200V 250MW SC79
    722Кешбэк 108 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП