Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные диоды
1N5712
  • В избранное
  • В сравнение
1N5712

1N5712

1N5712
;
1N5712

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N5712
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5712 при покупке от 1 шт 1076.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5712 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5712

1N5712 Microchip Technology DIODE SCHOTTKY 20V 75mA DO35

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Номинальный ток: 75mA
    • Тип диода: Шоттки
    • Форм-фактор: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая скорость восстановления
    • Малое напряжения перехода
    • Малый размер и легкость установки
    • Высокая частота использования
  • Минусы:
    • Высокие потери при больших токах
    • Низкая теплопроводность
  • Общее назначение:
    • Использование в блоках питания для сглаживания напряжения
    • Защита от обратного напряжения в электронных цепях
    • Конвертация напряжений в мелкосигнальных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Ноутбуки и планшеты
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5712

  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    20 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    75mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 35 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    150 nA @ 16 V
  • Емкость @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N5712

Техническая документация

 1N5712.pdf
pdf. 0 kb
  • 1214 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 076 ₽
  • 100
    1 000 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N5712
  • Описание:
    DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N5712 при покупке от 1 шт 1076.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5712 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5712

1N5712 Microchip Technology DIODE SCHOTTKY 20V 75mA DO35

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 20В
    • Номинальный ток: 75mA
    • Тип диода: Шоттки
    • Форм-фактор: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая скорость восстановления
    • Малое напряжения перехода
    • Малый размер и легкость установки
    • Высокая частота использования
  • Минусы:
    • Высокие потери при больших токах
    • Низкая теплопроводность
  • Общее назначение:
    • Использование в блоках питания для сглаживания напряжения
    • Защита от обратного напряжения в электронных цепях
    • Конвертация напряжений в мелкосигнальных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Ноутбуки и планшеты
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5712

  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    20 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    75mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 35 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    150 nA @ 16 V
  • Емкость @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-35 (DO-204AH)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    1N5712

Техническая документация

 1N5712.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MA4P1450-1091TRF DIODE PIN 100V 10W
    3 845Кешбэк 576 баллов
    APD2220-000Диод: RF DIODE PIN 100V DIE
    2 404Кешбэк 360 баллов
    MA4L022-134Диод: RF DIODE PIN 35V CHIP
    895Кешбэк 134 балла
    RN739DT146Диод: RF DIODE PIN 50V 100MW SMD3
    141Кешбэк 21 балл
    BAT1705WH6327XTSA1DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3
    17.5Кешбэк 2 балла
    DMV1500HFDRF DIODE STANDAR 1500V TO220FPAB
    240Кешбэк 36 баллов
    SMPA1320-079LFRF DIODE PIN 50V 250MW SC79
    587Кешбэк 88 баллов
    CDC7630-000RF DIODE SCHOTTKY 2V 75MW CHIP
    4 120Кешбэк 618 баллов
    MADP-017015-13140GRF DIODE PIN 115V
    1 195Кешбэк 179 баллов
    MA4P504-132Диод: RF DIODE PIN 500V DIE
    1 636Кешбэк 245 баллов
    APD0810-000RF DIODE PIN 100V DIE
    2 231Кешбэк 334 балла
    BAP65-02,115Диод: RF DIODE PIN 30V 715MW SOD523
    67Кешбэк 10 баллов
    BAR6302LE6327XTMA1Диод: RF DIODE PIN 50V 250MW TSLP-2
    28Кешбэк 4 балла
    SMP1340-040LFRF DIODE PIN 50V 750MW 0402
    482Кешбэк 72 балла
    MA4L021-134RF DIODE PIN 35V CHIP
    865Кешбэк 129 баллов
    BAT6302VH6327XTSA1Диод: RF DIODE SCHOTTKY 3V 100MW SC79
    112Кешбэк 16 баллов
    SMPA1302-079LFRF DIODE PIN 200V 250MW SC79
    138Кешбэк 20 баллов
    PMBD354,215Диод: RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB
    108Кешбэк 16 баллов
    MADS-011010-14150TRF DIODE SCHOTTKY 6TDFN
    467Кешбэк 70 баллов
    MADP-030015-13140GRF DIODE PIN 115V
    952Кешбэк 142 балла
    MA4P604-131RF DIODE PIN 1000V DIE
    2 092Кешбэк 313 баллов
    MA4P506-131RF DIODE PIN 500V DIE
    1 266Кешбэк 189 баллов
    BAP64-02,115Диод: RF DIODE PIN 175V 715MW SOD523
    54Кешбэк 8 баллов
    BAP64Q,125Диод: RF DIODE PIN 100V 125MW 5TSOP
    193Кешбэк 28 баллов
    MA4E1319-1RF DIODE SCHOTTKY 7V DIE
    1 011Кешбэк 151 балл
    MA4E1318RF DIODE SCHOTTKY 7V
    504Кешбэк 75 баллов
    MA4P505-131RF DIODE PIN 500V DIE
    1 419Кешбэк 212 баллов
    MA4PH236-1072TRF DIODE PIN 600V 1W
    1 551Кешбэк 232 балла
    MA4P7104F-1072TRF DIODE PIN 400V 11.5W
    1 264Кешбэк 189 баллов
    SMP1320-079LFRF DIODE PIN 50V 250MW SC79
    310Кешбэк 46 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП