Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранители
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
1N5806
  • В избранное
  • В сравнение
1N5806

1N5806

1N5806
;
1N5806

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N5806
  • Описание:
    Диод: DO-204AP 2.5 AMP RECTIFIERВсе характеристики

Минимальная цена 1N5806 при покупке от 1 шт 1019.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5806 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5806

1N5806 Microchip Technology Диод: DO-204AP 2.5 AMP RECTIFIER

  • Основные параметры:
    • Максимальный обратный напряжение: 1000 В
    • Максимальный прямой ток: 2.5 А
    • Тип корпуса: DO-204AP
  • Плюсы:
    • Высокая способность к передаче прямого тока
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Компактный размер корпуса
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений
    • При превышении максимального обратного напряжения может произойти разрушение диода
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Блоки питания
    • Электронные устройства с преобразователями тока
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5806

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3.3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    875 mV @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    25 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 150 V
  • Емкость @ Vr, F
    25pF @ 5V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    Axial
  • Исполнение корпуса
    Axial
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N5806

Техническая документация

 1N5806.pdf
pdf. 0 kb
  • 2986 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 019 ₽
  • 100
    947 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    1N5806
  • Описание:
    Диод: DO-204AP 2.5 AMP RECTIFIERВсе характеристики

Минимальная цена 1N5806 при покупке от 1 шт 1019.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N5806 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N5806

1N5806 Microchip Technology Диод: DO-204AP 2.5 AMP RECTIFIER

  • Основные параметры:
    • Максимальный обратный напряжение: 1000 В
    • Максимальный прямой ток: 2.5 А
    • Тип корпуса: DO-204AP
  • Плюсы:
    • Высокая способность к передаче прямого тока
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Компактный размер корпуса
  • Минусы:
    • Не рекомендуется для высокочастотных приложений
    • При превышении максимального обратного напряжения может произойти разрушение диода
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Блоки питания
    • Электронные устройства с преобразователями тока
Выбрано: Показать

Характеристики 1N5806

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    3.3A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    875 mV @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    25 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 µA @ 150 V
  • Емкость @ Vr, F
    25pF @ 5V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    Axial
  • Исполнение корпуса
    Axial
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    1N5806

Техническая документация

 1N5806.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RS2MFS500NS, 2A, 1000V, FAST RECOVERY
    71Кешбэк 10 баллов
    HS1MFL75NS 1A 1000V HIGH EFFICIENT REC
    47Кешбэк 7 баллов
    TST10L200CWDIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
    241Кешбэк 36 баллов
    TST40L100CWDIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
    403Кешбэк 60 баллов
    CUHS20F30,H3FSCHOTTKY BARRIER DIODE, 30V/2A,
    67Кешбэк 10 баллов
    CLS10F40,L3FSS SCHOTTKY BARRIER DIODE, HIGH-
    84Кешбэк 12 баллов
    CUHS20F40,H3FSCHOTTKY BARRIER DIODE, 40V/2A,
    71Кешбэк 10 баллов
    CUHS20S40,H3FSCHOTTKY BARRIER DIODE, LOW VF,
    73Кешбэк 10 баллов
    CUHS15S30,H3FSBD SINGLE 30V, 1.5A, IN 2 PIN U
    67Кешбэк 10 баллов
    1SS321,LFSMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
    37Кешбэк 5 баллов
    CUHS20S30,H3FSCHOTTKY BARRIER DIODE, LOW VF,
    73Кешбэк 10 баллов
    CUHS10F60,H3FSMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
    39Кешбэк 5 баллов
    CCS15F40,L3FDIODE SCHOTTKY 40V 1.5A CST2C
    50Кешбэк 7 баллов
    1SS403E,L3FSINGLE SWITCHING DIODE 200V 0.1A
    37Кешбэк 5 баллов
    CRG07(TE85L,Q,M)Диод: DIODE GEN PURP 400V 700MA S-FLAT
    78Кешбэк 11 баллов
    TBAS16,LMDIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3
    18.7Кешбэк 2 балла
    1SS385FV,L3FSMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
    33.6Кешбэк 5 баллов
    CBS05F30,L3FX34 PB-F CST2B SBD DIODE VR:30V,
    515Кешбэк 77 баллов
    CUS357,H3FSMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI
    32Кешбэк 4 балла
    CRS15I40A(TE85L,QMDIODE SCHOTTKY 40V 1.5A S-FLAT
    110Кешбэк 16 баллов
    CMS15I40A(TE12L,QMDIODE SCHOTTKY 40V 1.5A M-FLAT
    161Кешбэк 24 балла
    CRS15I30A(TE85L,QMDIODE SCHOTTKY 30V 1.5A S-FLAT
    110Кешбэк 16 баллов
    CMS17(TE12L,Q,M)DIODE SCHOTTKY 30V 2A M-FLAT
    134Кешбэк 20 баллов
    CMH07(TE12L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
    151Кешбэк 22 балла
    BAS516,L3FDIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
    30Кешбэк 4 балла
    CMS30I30A(TE12L,QMDIODE SCHOTTKY 30V 3A M-FLAT
    112Кешбэк 16 баллов
    CMS30I40A(TE12L,QMDIODE SCHOTTKY 40V 3A M-FLAT
    164Кешбэк 24 балла
    CRH02(TE85L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 500MA S-FLAT
    78Кешбэк 11 баллов
    TRS2E65F,S1QPB-F DIODE TO-220-2L IF=2A VRRM=
    340Кешбэк 51 балл
    CRF02(TE85L,Q,M)Диод: DIODE GEN PURP 800V 500MA S-FLAT
    108Кешбэк 16 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП