Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
1N914-T50A

1N914-T50A

1N914-T50A
;
1N914-T50A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена 1N914-T50A при покупке от 1 шт 20.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N914-T50A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N914-T50A

1N914-T50A onsemi DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR(1mA)) - 100В
    • Потребляемая токовая плотность (ISM) - 200мА
    • Форма корпуса - DO35
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер корпуса
    • Долговечность
  • Минусы:
    • Ток пропускания не очень высокий по сравнению с другими диодами
    • Не подходит для высокотоковых приложений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электрических цепях
    • Распределение нагрузки в параллельных цепях
    • Снижение уровня шума в цифровых устройствах
  • Применение:
    • Микросхемы
    • Мобильные устройства
    • Автомобильная электроника
    • Цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1N914-T50A

Техническая документация

1N914-T50A.pdf
pdf. 0 kb
  • 154575 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    20 ₽
  • 100
    9.3 ₽
  • 1000
    5.7 ₽
  • 5000
    3.2 ₽
  • 15000
    2.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена 1N914-T50A при покупке от 1 шт 20.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N914-T50A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N914-T50A

1N914-T50A onsemi DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR(1mA)) - 100В
    • Потребляемая токовая плотность (ISM) - 200мА
    • Форма корпуса - DO35
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение срабатывания
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер корпуса
    • Долговечность
  • Минусы:
    • Ток пропускания не очень высокий по сравнению с другими диодами
    • Не подходит для высокотоковых приложений
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока в электрических цепях
    • Распределение нагрузки в параллельных цепях
    • Снижение уровня шума в цифровых устройствах
  • Применение:
    • Микросхемы
    • Мобильные устройства
    • Автомобильная электроника
    • Цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1N914-T50A

Техническая документация

1N914-T50A.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории