1SS187,LF

1SS187, LF Toshiba Semiconductor and Storage DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение: 80В
• Номинальный ток: 100мА
• Форм-фактор: S-Mini
• Плюсы:
• Малый размер (S-Mini)
• Высокая надежность
• Устойчивость к обратному напряжению
• Минусы:
• Ограниченная способность по току (100мА)
• Маленький размер может ограничивать тепловую эффективность
• Общее назначение:
• Защита от обратного напряжения
• Диодный мост для преобразования напряжений
• Обратно связанный диод для полупроводниковых приборов
• В каких устройствах применяется:
• Телевизоры
• Мультимедийные системы
• Электронные устройства бытовой техники
• Компьютеры и периферия
• Автомобильные электронные системы