Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
1SS372(TE85L,F)
  • В избранное
  • В сравнение
1SS372(TE85L,F)

1SS372(TE85L,F)

1SS372(TE85L,F)
;
1SS372(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    1SS372(TE85L,F)
  • Описание:
    SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DIВсе характеристики

Минимальная цена 1SS372(TE85L,F) при покупке от 1 шт 53.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1SS372(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1SS372(TE85L,F)

1SS372(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DIODE

  • Основные параметры:
    • Максимальный напряжение UBR = 370 В
    • Максимальный ток ISM = 85 А
    • Тип: малосигнальная шоттки барьерная диодная стержневая трубка
  • Плюсы:
    • Низкое напряжение срабатывания (около 0,2 В)
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер и масса
    • Устойчивость к высоким температурам
  • Минусы:
    • Высокие потери при больших токах
    • Неустойчивость к электромагнитным помехам
  • Общее назначение:
    • Используется для защиты электронных схем от обратного напряжения
    • Подходит для быстрого отключения цепей
    • Входит в состав регуляторов напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Передатчики и приемники радиосвязи
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Питание цифровых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики 1SS372(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    10 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    100mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    500 mV @ 100 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    20 µA @ 10 V
  • Емкость @ Vr, F
    20pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    USM
  • Рабочая температура pn-прехода
    125°C (Max)
  • Base Product Number
    1SS372

Техническая документация

 1SS372(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
  • 2331 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    53 ₽
  • 100
    22 ₽
  • 1000
    14 ₽
  • 6000
    8.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    1SS372(TE85L,F)
  • Описание:
    SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DIВсе характеристики

Минимальная цена 1SS372(TE85L,F) при покупке от 1 шт 53.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1SS372(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1SS372(TE85L,F)

1SS372(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DIODE

  • Основные параметры:
    • Максимальный напряжение UBR = 370 В
    • Максимальный ток ISM = 85 А
    • Тип: малосигнальная шоттки барьерная диодная стержневая трубка
  • Плюсы:
    • Низкое напряжение срабатывания (около 0,2 В)
    • Высокая скорость переключения
    • Малый размер и масса
    • Устойчивость к высоким температурам
  • Минусы:
    • Высокие потери при больших токах
    • Неустойчивость к электромагнитным помехам
  • Общее назначение:
    • Используется для защиты электронных схем от обратного напряжения
    • Подходит для быстрого отключения цепей
    • Входит в состав регуляторов напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Передатчики и приемники радиосвязи
    • Автомобильные системы
    • Системы управления двигателем
    • Питание цифровых устройств
Выбрано: Показать

Характеристики 1SS372(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    10 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    100mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    500 mV @ 100 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    20 µA @ 10 V
  • Емкость @ Vr, F
    20pF @ 0V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    USM
  • Рабочая температура pn-прехода
    125°C (Max)
  • Base Product Number
    1SS372

Техническая документация

 1SS372(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RBQ30TB45BNZC9Диод: RBQ30TB45BNZ IS SCHOTTKY BARRIER
    551Кешбэк 82 балла
    SCS302AHGC9SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
    564Кешбэк 84 балла
    RBQ30NS45BTLДиод: DIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
    574Кешбэк 86 баллов
    SCS302APC9DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO220-2
    604Кешбэк 90 баллов
    SCS302AJTLLDIODES SILICON CARBIDE
    644Кешбэк 96 баллов
    RRD20TJ10SGC9RECTIFYING DIODE : RRD20TJ10S IS
    712Кешбэк 106 баллов
    SCS304AJTLLДиод: DIODES SILICON CARBIDE
    722Кешбэк 108 баллов
    SCS308AHGC9Диод: SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
    722Кешбэк 108 баллов
    SCS304AHGC9SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
    739Кешбэк 110 баллов
    SCS304AMCДиод: DIODES SILICON CARBIDE
    750Кешбэк 112 баллов
    SCS306AJTLLDIODES SILICON CARBIDE
    891Кешбэк 133 балла
    SCS308AMCДиод: DIODES SILICON CARBIDE
    935Кешбэк 140 баллов
    SCS206AGC17DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC
    942Кешбэк 141 балл
    SCS206AJHRTLLДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO263AB
    948Кешбэк 142 балла
    SCS308AJTLLDIODES SILICON CARBIDE
    980Кешбэк 147 баллов
    SCS308APC9DIODE SC SCHKY 650V 8A TO220ACP
    1 085Кешбэк 162 балла
    SCS310AJTLLDIODES SILICON CARBIDE
    1 126Кешбэк 168 баллов
    SCS205KGC17DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC
    1 174Кешбэк 176 баллов
    SCS212AGC17DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC
    1 235Кешбэк 185 баллов
    SCS312AJTLLДиод: DIODES SILICON CARBIDE
    1 256Кешбэк 188 баллов
    SCS312AMCДиод: DIODES SILICON CARBIDE
    1 366Кешбэк 204 балла
    SCS310AHGC9SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
    1 373Кешбэк 205 баллов
    SCS210AGHRCDIODE SCHOTTKY 650V 10A TO-220-2
    1 373Кешбэк 205 баллов
    SCS310AMCДиод: SHORTER RECOVERY TIME, ENABLING
    1 381Кешбэк 207 баллов
    SCS215AGC17DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220AC
    1 389Кешбэк 208 баллов
    SCS208AJHRTLLДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO263AB
    1 402Кешбэк 210 баллов
    SCS315AJTLLDIODES SILICON CARBIDE
    1 487Кешбэк 223 балла
    SCS210AJHRTLLДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
    1 510Кешбэк 226 баллов
    SCS212AGHRCDIODE SCHOTTKY 650V 12A TO-220-2
    1 560Кешбэк 234 балла
    SCS215AEGC11650V, 15A, 3-PIN THD, SILICON-CA
    1 643Кешбэк 246 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП