Вход/Регистрация
RBQ30TB45BNZC9Диод: RBQ30TB45BNZ IS SCHOTTKY BARRIER
1SS406,H3F
1SS406,H3F
- Производитель:Toshiba
- Артикул:1SS406,H3F
- Описание:SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DIВсе характеристики
Минимальная цена 1SS406,H3F при покупке от 1 шт 26.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1SS406,H3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 9547 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 126.6 ₽
- 10013.3 ₽
- 10008.5 ₽
- 60005.5 ₽
- 240004.2 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Toshiba
- Артикул:1SS406,H3F
- Описание:SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DIВсе характеристики
Минимальная цена 1SS406,H3F при покупке от 1 шт 26.60 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1SS406,H3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание 1SS406,H3F
1SS406, H3F Toshiba Semiconductor and Storage SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI.
- Основные параметры:
- Максимальное напряжение (VBR): 40 В
- Рейтингная токовая характеристика (ISM): 6 А
- Максимальный ток пролета (ISM): 35 А
- Частота использования: до 25 кГц
- Плюсы:
- Низкое напряжение при переходе (VF)
- Высокая скорость переключения
- Малый размер и тонкий корпус
- Высокая надежность и долговечность
- Минусы:
- Высокие потери при больших токах
- Невозможность использования в высокочастотных приложениях
- Общее назначение:
- Изоляционные диоды для электронных схем
- Защита от обратного тока
- Компенсация разности потенциалов
- В каких устройствах применяется:
- Микросхемы
- Цифровые устройства
- Телевизоры
- Системы управления
- Автомобильные электронные системы
Выбрано: Показать
Характеристики 1SS406,H3F
Техническая документация
1SS406,H3F.pdf pdf. 0 kb