Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
1SS422(TE85L,F)
  • В избранное
  • В сравнение
1SS422(TE85L,F)

1SS422(TE85L,F)

1SS422(TE85L,F)
;
1SS422(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    1SS422(TE85L,F)
  • Описание:
    SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DIВсе характеристики

Минимальная цена 1SS422(TE85L,F) при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1SS422(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1SS422(TE85L,F)

1SS422 (TE85L, F) Toshiba Semiconductor and Storage SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI.

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения: 400 В
    • Рейтинг тока: 2 А
    • Тип: малосигнальный шоттки барьерный диод
    • Материал: кремний
  • Плюсы:
    • Низкий напряжении ведения
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток утечки
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Высокий ток утечки при номинальном напряжении
    • Высокие потери при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых схемах
    • Защита от импульсных перенапряжений
    • Переключение сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления приводами
    • Цифровые телевизоры и мультимедийные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1SS422(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Конфигурация диода
    1 Pair Series Connection
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    30 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    100mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    500 mV @ 100 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 30 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    125°C (Max)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    SSM
  • Base Product Number
    1SS422

Техническая документация

 1SS422(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
  • 28889 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    52 ₽
  • 100
    26.5 ₽
  • 1000
    17.5 ₽
  • 6000
    10.4 ₽
  • 15000
    9.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    1SS422(TE85L,F)
  • Описание:
    SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DIВсе характеристики

Минимальная цена 1SS422(TE85L,F) при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1SS422(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1SS422(TE85L,F)

1SS422 (TE85L, F) Toshiba Semiconductor and Storage SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI.

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения: 400 В
    • Рейтинг тока: 2 А
    • Тип: малосигнальный шоттки барьерный диод
    • Материал: кремний
  • Плюсы:
    • Низкий напряжении ведения
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток утечки
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Высокий ток утечки при номинальном напряжении
    • Высокие потери при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых схемах
    • Защита от импульсных перенапряжений
    • Переключение сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления приводами
    • Цифровые телевизоры и мультимедийные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 1SS422(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Конфигурация диода
    1 Pair Series Connection
  • Тип диода
    Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    30 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    100mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    500 mV @ 100 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    50 µA @ 30 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    125°C (Max)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Исполнение корпуса
    SSM
  • Base Product Number
    1SS422

Техническая документация

 1SS422(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BAT54TWP_R1_00001SOT-363, SKY
    107Кешбэк 16 баллов
    RB085BM-40FHTLДиод: SCHOTTKY BARRIER DIODE
    220Кешбэк 33 балла
    CMPSH-3CG TR PBFREEDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23
    65Кешбэк 9 баллов
    RBR20BGE60ATL60V, 20A, TO-252, CATHODE COMMON
    526Кешбэк 78 баллов
    BAS70-04W-AQДиод: SchottkyD, 70V, 0.07A
    48Кешбэк 7 баллов
    CMSD2005S TR PBFREEDIODE ARRAY GP 300V 225MA SOT323
    133Кешбэк 19 баллов
    RB098BM-30TLSUPER LOW IR, 30V, 6A, TO-252 (D
    274Кешбэк 41 балл
    DSEC16-12AS-TRLDIODE ARRAY GP 1200V 10A TO263AB
    954Кешбэк 143 балла
    DAN202FMFHT106HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA
    70Кешбэк 10 баллов
    RB088BM-30TLSUPER LOW IR, 30V, 10A, TO-252 (
    309Кешбэк 46 баллов
    RBR15BGE40ATL40V, 15A, TO-252, CATHODE COMMON
    387Кешбэк 58 баллов
    RB298NS100FHTLDIODE ARRAY SCHOTT 100V 30A LPDS
    400Кешбэк 60 баллов
    V40PWM10C-M3/IDIODE ARRAY SCHOTT 100V SLIMDPAK
    272Кешбэк 40 баллов
    NRVSRD620VCTT4RGDIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK
    185Кешбэк 27 баллов
    SK3080CD2Диод: SCHOTTKY D2PAK 80V 30A
    271Кешбэк 40 баллов
    MMBD3004BRM_R1_00001Диод: SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SWITC
    72Кешбэк 10 баллов
    BAV199HYFHT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-6CVH02-M3/IDIODE GEN PURPOSE 200V SLIMDPAK
    180Кешбэк 27 баллов
    RB088BM-60FHTLDIODE ARRAY SCHOTT 60V 10A TO252
    258Кешбэк 38 баллов
    BAS40-05WBAS40 - HIGH SPEED SWITCHING, CL
    42Кешбэк 6 баллов
    BAS16DW-AQДиод: DIODE SOT-363 100V 0.2A 4NS
    8.8Кешбэк 1 балл
    BAW56-AU_R1_000A1Диод: SOT-23, SWITCHING
    21Кешбэк 3 балла
    RBR10BM40AFHTLДиод: DIODE ARRAY SCHOTT 40V 10A TO252
    226Кешбэк 33 балла
    RBR20BM30AFHTLДиод: DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VR 20A
    419Кешбэк 62 балла
    BAV170-TPДиод: 250MWDUALSERIESSWITCHINGDIODESOT
    31.5Кешбэк 4 балла
    BAT54A-AU_R1_000A1SOT-23, SKY
    33.3Кешбэк 4 балла
    VS-20CTH03S-M3Диод: DIODE ARRAY GP 300V 10A D2PAK
    154Кешбэк 23 балла
    CUD6-02C TR13 PBFREEDIODE GEN PURP 200V 6A DPAK
    109Кешбэк 16 баллов
    DSP8-08S-TRLDIODE ARRAY GP 800V 11A TO263
    904Кешбэк 135 баллов
    V40PWM45C-M3/IDIODE ARRAY SCHOTT 45V SLIMDPAK
    287Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП