Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
1SV279,H3F
  • В избранное
  • В сравнение
1SV279,H3F

1SV279,H3F

1SV279,H3F
;
1SV279,H3F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    1SV279,H3F
  • Описание:
    PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR=Все характеристики

Минимальная цена 1SV279,H3F при покупке от 1 шт 66.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1SV279,H3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1SV279,H3F

1SV279, H3F Toshiba Semiconductor and Storage PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR=.

  • Основные параметры:
    • Тип: Varicap диод
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Номинальная частота: Высокочастотная (HF)
    • Кодирование: 1SV279, H3F, PB-F
    • Индуктивное сопротивление (IR): Не указано
  • Плюсы:
    • Высокая чувствительность к изменениям напряжения
    • Устойчивость к внешним шумам
    • Универсальность применения
    • Малый размер и легкость интеграции в разные устройства
  • Минусы:
    • Высокие требования к точности регулировки
    • Высокие потери при работе на больших частотах
    • Неустойчивость к перегреву
  • Общее назначение:
    • Регулировка частоты в радиоприемниках
    • Фильтрация сигналов
    • Синтезаторы частоты
    • Управление параметрами в цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Телевизоры
    • Мобильные телефоны
    • Локальные сети
    • Цифровые часы
Выбрано: Показать

Характеристики 1SV279,H3F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Емкость @ Vr, F
    6.5pF @ 10V, 1MHz
  • Отношение ёмкостей
    2.5
  • Отношение ёмкостей (параметры)
    C2/C10
  • Обратное Напряжение (Макс)
    15 V
  • Тип диода
    Single
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-79, SOD-523
  • Исполнение корпуса
    ESC
  • Base Product Number
    1SV279

Техническая документация

 1SV279,H3F.pdf
pdf. 0 kb
  • 5443 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    66 ₽
  • 100
    28.5 ₽
  • 1000
    19 ₽
  • 4000
    12 ₽
  • 12000
    11.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    1SV279,H3F
  • Описание:
    PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR=Все характеристики

Минимальная цена 1SV279,H3F при покупке от 1 шт 66.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1SV279,H3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1SV279,H3F

1SV279, H3F Toshiba Semiconductor and Storage PB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR=.

  • Основные параметры:
    • Тип: Varicap диод
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Номинальная частота: Высокочастотная (HF)
    • Кодирование: 1SV279, H3F, PB-F
    • Индуктивное сопротивление (IR): Не указано
  • Плюсы:
    • Высокая чувствительность к изменениям напряжения
    • Устойчивость к внешним шумам
    • Универсальность применения
    • Малый размер и легкость интеграции в разные устройства
  • Минусы:
    • Высокие требования к точности регулировки
    • Высокие потери при работе на больших частотах
    • Неустойчивость к перегреву
  • Общее назначение:
    • Регулировка частоты в радиоприемниках
    • Фильтрация сигналов
    • Синтезаторы частоты
    • Управление параметрами в цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Телевизоры
    • Мобильные телефоны
    • Локальные сети
    • Цифровые часы
Выбрано: Показать

Характеристики 1SV279,H3F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Емкость @ Vr, F
    6.5pF @ 10V, 1MHz
  • Отношение ёмкостей
    2.5
  • Отношение ёмкостей (параметры)
    C2/C10
  • Обратное Напряжение (Макс)
    15 V
  • Тип диода
    Single
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-79, SOD-523
  • Исполнение корпуса
    ESC
  • Base Product Number
    1SV279

Техническая документация

 1SV279,H3F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SVC220-PM-TB-EVARIABLE-CAPACITANCE DIODE (IOCA
    13.2Кешбэк 1 балл
    SVC220-TB-EFM VARICAP TWIN VR 8V
    15Кешбэк 2 балла
    MV2105RLRAVARIABLE CAPACITANCE DIODE
    15Кешбэк 2 балла
    MMVL535T1VARIABLE CAPACITANCE DIODE
    32Кешбэк 4 балла
    MV2109RLRAVARIABLE CAPACITANCE DIODE
    40Кешбэк 6 баллов
    MV2111DIODE VAR CAP SINGLE 30V 42.3PF
    91Кешбэк 13 баллов
    MV2108DIODE VAR CAP SINGLE 30V 27PF 2-
    104Кешбэк 15 баллов
    MV1403DIODE VAR CAP SINGLE 12V
    964Кешбэк 144 балла
    1SV279,H3FPB-F ESC VARICAP DIODE (HF), IR=
    66Кешбэк 9 баллов
    SVC270-TL-E-SYDIFFUSED JUNCTION TYPE SILICON V
    24.6Кешбэк 3 балла
    RKV501KG-E#P1VARIABLE CAPACITANCE DIODE
    15Кешбэк 2 балла
    RKV603KP#R0VARIABLE CAPACITANCE DIODE
    20.8Кешбэк 3 балла
    RKV600KP-1#R0VARIABLE CAPACITANCE DIODE
    20.8Кешбэк 3 балла
    RKV611KJ#R1VARIABLE CAPACITANCE DIODE
    20.8Кешбэк 3 балла
    RKV604KP-2#R0VARIABLE CAPACITANCE DIODE
    20.8Кешбэк 3 балла
    RKV500KG-E#P1VARIABLE CAPACITANCE DIODE
    26.5Кешбэк 3 балла
    HVU357TRFVARIABLE CAPACITANCE DIODE
    26.5Кешбэк 3 балла
    RKV500KG#P1VARIABLE CAPACITANCE DIODE
    26.5Кешбэк 3 балла
    HVC202BTRU-EVARIABLE CAPACITANCE DIODE
    30Кешбэк 4 балла
    RKV501KJ#P1VARIABLE CAPACITANCE DIODE
    30Кешбэк 4 балла
    HVC202ATRU-EVARIABLE CAPACITANCE DIODE
    30Кешбэк 4 балла
    RKV501KJ#R1VARIABLE CAPACITANCE DIODE
    30Кешбэк 4 балла
    RKV501KG#P1VARIABLE CAPACITANCE DIODE
    30Кешбэк 4 балла
    HVU363A3TRF-EVARIABLE CAPACITANCE DIODE
    41.6Кешбэк 6 баллов
    HVC363BTRU-EVARIABLE CAPACITANCE DIODE
    41.6Кешбэк 6 баллов
    HVU363ATRU-EVARIABLE CAPACITANCE DIODE
    41.6Кешбэк 6 баллов
    HVU365TRF-EVARIABLE CAPACITANCE DIODE
    41.6Кешбэк 6 баллов
    RKV650KP#R0VARIABLE CAPACITANCE DIODE
    43.5Кешбэк 6 баллов
    HVU358TRF-EVARIABLE CAPACITANCE DIODE
    45Кешбэк 6 баллов
    HVU358-2TRF-EVARIABLE CAPACITANCE DIODE
    45Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные диоды
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП