Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
2N3019S
  • В избранное
  • В сравнение
2N3019S

2N3019S

2N3019S
;
2N3019S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    2N3019S
  • Описание:
    TRANS NPN 80V 1A TO39Все характеристики

Минимальная цена 2N3019S при покупке от 1 шт 3884.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N3019S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N3019S

2N3019S Microchip Technology TRANS NPN 80V 1A TO39

  • Основные параметры:
    • Тип: транзистор NPN
    • Рейтинг напряжения: 80В
    • Рейтинг тока: 1А
    • Компактный корпус TO39
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент усиления
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Долговечность
    • Экономичность в использовании
  • Минусы:
    • Низкая скорость переключения
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Используется для регулирования напряжения
    • Применяется в качестве усилителя сигнала
    • Служит для управления нагрузкой в электрических цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Радиоэлектронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 2N3019S

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10µA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 500mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    800 mW
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-39 (TO-205AD)
  • Base Product Number
    2N3019

Техническая документация

 2N3019S.pdf
pdf. 0 kb
  • 35 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 884 ₽
  • 100
    3 607 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    2N3019S
  • Описание:
    TRANS NPN 80V 1A TO39Все характеристики

Минимальная цена 2N3019S при покупке от 1 шт 3884.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N3019S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N3019S

2N3019S Microchip Technology TRANS NPN 80V 1A TO39

  • Основные параметры:
    • Тип: транзистор NPN
    • Рейтинг напряжения: 80В
    • Рейтинг тока: 1А
    • Компактный корпус TO39
  • Плюсы:
    • Высокий коэффициент усиления
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Долговечность
    • Экономичность в использовании
  • Минусы:
    • Низкая скорость переключения
    • Не подходит для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Используется для регулирования напряжения
    • Применяется в качестве усилителя сигнала
    • Служит для управления нагрузкой в электрических цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы питания
    • Промышленное оборудование
    • Радиоэлектронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 2N3019S

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    10µA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    50 @ 500mA, 10V
  • Рассеивание мощности
    800 mW
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-39 (TO-205AD)
  • Base Product Number
    2N3019

Техническая документация

 2N3019S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    JANTX2N3700TRANS NPN 80V 1A TO18
    828Кешбэк 124 балла
    JANTX2N2369ATRANS NPN 15V TO18
    873Кешбэк 130 баллов
    2N2222AUBТранзистор: TRANS NPN 50V 0.8A SMD
    1 090Кешбэк 163 балла
    JANTX2N2907AUBTRANS PNP 60V 0.6A UB
    1 172Кешбэк 175 баллов
    2N3500Транзистор: SILICON TRANSISTOR NPN TO-39
    1 397Кешбэк 209 баллов
    2N4029TRANS PNP 80V 1A TO18
    1 674Кешбэк 251 балл
    2N2906AUBTRANS PNP 60V 0.6A UB
    1 699Кешбэк 254 балла
    2N2218ATRANS NPN 30V 0.8A TO39
    1 757Кешбэк 263 балла
    JANTX2N2484TRANS NPN 60V 0.05A TO18
    1 765Кешбэк 264 балла
    JANTX2N930TRANS NPN 45V 0.03A TO18
    1 774Кешбэк 266 баллов
    2N3700UBTRANS NPN 80V 1A UB
    1 905Кешбэк 285 баллов
    2N3501Транзистор: BI-POLAR SILICON TRANSISTOR NPN
    1 911Кешбэк 286 баллов
    JANTX2N3439TRANS NPN 350V 1A TO39
    2 154Кешбэк 323 балла
    JAN2N3439TRANS NPN 350V 1A TO39
    2 474Кешбэк 371 балл
    2N3637UBTRANS PNP 175V 1A UB
    2 680Кешбэк 402 балла
    2N3735TRANS NPN 40V 1.5A TO39
    2 717Кешбэк 407 баллов
    2N2405TRANS NPN 90V 1A TO39
    3 815Кешбэк 572 балла
    2N3019STRANS NPN 80V 1A TO39
    3 868Кешбэк 580 баллов
    2N2904AТранзистор: TRANS PNP 40V 0.6A TO39
    4 301Кешбэк 645 баллов
    JANTX2N2222AUATRANS NPN 50V 0.8A 4SMD
    4 418Кешбэк 662 балла
    2N3585TRANS NPN 300V 2A TO66
    5 386Кешбэк 807 баллов
    2N3791TRANS PNP 60V 10A TO3
    8 419Кешбэк 1 262 балла
    2N3439UATRANS NPN 350V 1A
    9 411Кешбэк 1 411 баллов
    JANTXV2N1613LТранзистор: TRANS NPN 30V 0.5A TO39
    64 960Кешбэк 9 744 балла
    BC847CE6327HTSA1TRANS NPN 45V 0.1A SOT23
    74Кешбэк 11 баллов
    2SA1576AT106QTRANS PNP 50V 0.15A UMT3
    57Кешбэк 8 баллов
    2SCR574DGTLTRANS NPN 80V 2A CPT3
    74Кешбэк 11 баллов
    2SB1386T100RTRANS PNP 20V 5A MPT3
    183Кешбэк 27 баллов
    2SD2661T100TRANS NPN 12V 2A MPT3
    198Кешбэк 29 баллов
    2SB1708TLTRANS PNP 30V 3A TSMT3
    199Кешбэк 29 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторные модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП