Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
2N4391
  • В избранное
  • В сравнение
2N4391

2N4391

2N4391
;
2N4391

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    InterFET
  • Артикул:
    2N4391
  • Описание:
    N CHANNEL J-FET T0-18Все характеристики

Минимальная цена 2N4391 при покупке от 1 шт 2807.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N4391 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N4391

2N4391 InterFET N CHANNEL J-FET T0-18

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный J-FET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Монтаж: T0-18
    • Рейтинг напряжения между дреном и источником (Vds): 50 В
    • Рейтинг тока дrena (Ids): 100 мА
    • Рейтинг напряжения между гелем и источником (Vgs): -6 В
  • Плюсы:
    • Низкий уровень шума
    • Высокая стабильность характеристик
    • Высокая частота перехода
    • Компактный размер благодаря использованию T0-18 монтажа
  • Минусы:
    • Высокое сопротивление источника при отсутствии сигнала (высокое входное сопротивление)
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для создания балансированной цепи
  • Общее назначение:
    • Использование в логических и аналоговых схемах
    • Усилители сигнала
    • Фильтры
    • Драйверы нагрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Микроконтроллерные системы
    • Системы управления
    • Производство электроники для бытовых приборов
Выбрано: Показать

Характеристики 2N4391

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    50 mA @ 20 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    4 V @ 1 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14pF @ 20V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    30 Ohms
  • Рассеивание мощности
    1.8 W
  • Base Product Number
    2N4391

Техническая документация

 2N4391.pdf
pdf. 0 kb
  • 137 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 807 ₽
  • 10
    2 172 ₽
  • 100
    1 877 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    InterFET
  • Артикул:
    2N4391
  • Описание:
    N CHANNEL J-FET T0-18Все характеристики

Минимальная цена 2N4391 при покупке от 1 шт 2807.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N4391 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N4391

2N4391 InterFET N CHANNEL J-FET T0-18

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный J-FET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Монтаж: T0-18
    • Рейтинг напряжения между дреном и источником (Vds): 50 В
    • Рейтинг тока дrena (Ids): 100 мА
    • Рейтинг напряжения между гелем и источником (Vgs): -6 В
  • Плюсы:
    • Низкий уровень шума
    • Высокая стабильность характеристик
    • Высокая частота перехода
    • Компактный размер благодаря использованию T0-18 монтажа
  • Минусы:
    • Высокое сопротивление источника при отсутствии сигнала (высокое входное сопротивление)
    • Необходимость использования дополнительных компонентов для создания балансированной цепи
  • Общее назначение:
    • Использование в логических и аналоговых схемах
    • Усилители сигнала
    • Фильтры
    • Драйверы нагрузок
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Микроконтроллерные системы
    • Системы управления
    • Производство электроники для бытовых приборов
Выбрано: Показать

Характеристики 2N4391

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    40 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    50 mA @ 20 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    4 V @ 1 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    14pF @ 20V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    30 Ohms
  • Рассеивание мощности
    1.8 W
  • Base Product Number
    2N4391

Техническая документация

 2N4391.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    J109JFET N-CH 25V 625MW TO92
    65Кешбэк 9 баллов
    2SK715W-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    69Кешбэк 10 баллов
    2SK715U-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    69Кешбэк 10 баллов
    2SK715UJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    69Кешбэк 10 баллов
    J113SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    73Кешбэк 10 баллов
    MMBF4393LT3GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    85Кешбэк 12 баллов
    TF412ST5GТиристор: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
    92Кешбэк 13 баллов
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    93Кешбэк 13 баллов
    MMBFU310LT1GJFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
    98Кешбэк 14 баллов
    MMBFJ175LT3GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    98Кешбэк 14 баллов
    NSVJ3557SA3T1GJFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
    109Кешбэк 16 баллов
    CPH3910-TL-EТиристор: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    114Кешбэк 17 баллов
    2SK932-23-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    125Кешбэк 18 баллов
    2SK2394-6-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    129Кешбэк 19 баллов
    2SK932-22-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    139Кешбэк 20 баллов
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    151Кешбэк 22 балла
    MCH3914-7-TL-HJFET N-CH 50MA 300MW SC70FL/MCPH
    185Кешбэк 27 баллов
    MCH5908H-TL-EJFET 2N-CH 0.3W MCPH5
    209Кешбэк 31 балл
    CPH6904-TL-EJFET 2N-CH 0.7W CPH6
    210Кешбэк 31 балл
    2SK879-GR(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    104Кешбэк 15 баллов
    2SK208-R(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    127Кешбэк 19 баллов
    2SK880GRTE85LFJFET N-CH 50V 0.1W USM
    142Кешбэк 21 балл
    PN4117JFET N-CH 40V 0.35W TO92
    720Кешбэк 108 баллов
    PN4391SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    826Кешбэк 123 балла
    P1087JFET P-CH 30V 350MW TO92
    880Кешбэк 132 балла
    P1086JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    880Кешбэк 132 балла
    PN4117AJFET N-CH 40V 0.35W TO92
    920Кешбэк 138 баллов
    2N4391N CHANNEL J-FET T0-18
    2 807Кешбэк 421 балл
    2N4392N CHANNEL J-FET T0-18
    2 809Кешбэк 421 балл
    2N4393N CHANNEL J-FET T0-18
    2 809Кешбэк 421 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - TRIACs
    Модули триодных тиристоров
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП