Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
2N5116

2N5116

2N5116
;
2N5116

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена 2N5116 при покупке от 1 шт 3030.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5116 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5116

2N5116 InterFET P-CHANNEL MOSFET TO-18

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Количество каналов: 1
    • Оболочка: TO-18
    • Максимальное напряжение коллектора (VDS(on)): 30 В
    • Максимальный ток канала (ID(on)): 4 А
    • Резистивность на ток (RDS(on)): 0,35 Ω при 5 В
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий ток срабатывания
    • Высокая надежность
    • Малые размеры
  • Минусы:
    • Требует дополнительного питания для работы
    • Высокие потери при высоких нагрузках
    • Требуется учитывать влияние температуры на характеристики
  • Общее назначение:
    • Изоляция цифровых сигналов
    • Управление нагрузками в электронных цепях
    • Использование в схемах регулирования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления электропитанием
    • Цифровых устройствах
    • Инверторах и преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5116

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 mV
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 15V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    150 Ohms
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-18

Техническая документация

2N5116.pdf
pdf. 0 kb
  • 91 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 030 ₽
  • 10
    2 345 ₽
  • 100
    2 026 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена 2N5116 при покупке от 1 шт 3030.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5116 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5116

2N5116 InterFET P-CHANNEL MOSFET TO-18

  • Основные параметры:
    • Тип: P-канальный MOSFET
    • Количество каналов: 1
    • Оболочка: TO-18
    • Максимальное напряжение коллектора (VDS(on)): 30 В
    • Максимальный ток канала (ID(on)): 4 А
    • Резистивность на ток (RDS(on)): 0,35 Ω при 5 В
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий ток срабатывания
    • Высокая надежность
    • Малые размеры
  • Минусы:
    • Требует дополнительного питания для работы
    • Высокие потери при высоких нагрузках
    • Требуется учитывать влияние температуры на характеристики
  • Общее назначение:
    • Изоляция цифровых сигналов
    • Управление нагрузками в электронных цепях
    • Использование в схемах регулирования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Системах управления электропитанием
    • Цифровых устройствах
    • Инверторах и преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5116

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 mV
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 15V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    150 Ohms
  • Рассеивание мощности
    500 mW
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-18

Техническая документация

2N5116.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории