Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
2N5195G
  • В избранное
  • В сравнение
2N5195G

2N5195G

2N5195G
;
2N5195G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2N5195G
  • Описание:
    TRANS PNP 80V 4A TO126Все характеристики

Минимальная цена 2N5195G при покупке от 1 шт 77.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5195G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5195G

2N5195G onsemi TRANS PNP 80V 4A TO126

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор PNP
    • Номинальное напряжение блокировки: 80В
    • Номинальный ток collector-emitter: 4А
    • Монтаж: TO126
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокая скорость перехода
    • Простота применения в различных схемах
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и охлаждению
    • Могут быть чувствительны к электрическим помехам без дополнительной защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых цепях
    • Управление нагрузками
    • Регулировка уровня напряжения
    • Фильтрация сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства
    • Системы управления светильниками
    • Промышленное оборудование
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5195G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    4 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.4V @ 1A, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    20 @ 1.5A, 2V
  • Рассеивание мощности
    40 W
  • Трансформация частоты
    2MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-225AA, TO-126-3
  • Исполнение корпуса
    TO-126
  • Base Product Number
    2N5195

Техническая документация

 2N5195G.pdf
pdf. 0 kb
  • 876 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    77 ₽
  • 10
    72 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2N5195G
  • Описание:
    TRANS PNP 80V 4A TO126Все характеристики

Минимальная цена 2N5195G при покупке от 1 шт 77.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5195G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5195G

2N5195G onsemi TRANS PNP 80V 4A TO126

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор PNP
    • Номинальное напряжение блокировки: 80В
    • Номинальный ток collector-emitter: 4А
    • Монтаж: TO126
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Высокая скорость перехода
    • Простота применения в различных схемах
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и охлаждению
    • Могут быть чувствительны к электрическим помехам без дополнительной защиты
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых цепях
    • Управление нагрузками
    • Регулировка уровня напряжения
    • Фильтрация сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства
    • Системы управления светильниками
    • Промышленное оборудование
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5195G

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    4 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    80 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.4V @ 1A, 4A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1mA
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    20 @ 1.5A, 2V
  • Рассеивание мощности
    40 W
  • Трансформация частоты
    2MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-225AA, TO-126-3
  • Исполнение корпуса
    TO-126
  • Base Product Number
    2N5195

Техническая документация

 2N5195G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSVBSS63LT1GТранзистор: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
    73Кешбэк 10 баллов
    NST847BF3T5GTRANS NPN 45V 0.1A SOT1123
    75Кешбэк 11 баллов
    SMMBT3904TT1GTRANS NPN 40V 0.2A SC75 SOT416
    75Кешбэк 11 баллов
    SMMBT5088LT1GТранзистор: TRANS NPN 30V 0.05A SOT23-3
    75Кешбэк 11 баллов
    MJD117-1GTRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
    77Кешбэк 11 баллов
    KSC2328AOTATRANS NPN 30V 2A TO92-3
    77Кешбэк 11 баллов
    2SC3646S-P-TD-ETRANS NPN 100V 1A
    77Кешбэк 11 баллов
    2SB1215S-TL-HTRANS PNP 100V 3A TP-FA
    77Кешбэк 11 баллов
    SMMBT6427LT1GТранзистор: TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3
    77Кешбэк 11 баллов
    SMMBT5089LT1GTRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
    77Кешбэк 11 баллов
    2SC6099-ETRANS NPN 100V 2A TP
    77Кешбэк 11 баллов
    NST848BF3T5GTRANS NPN 30V 0.1A SOT1123
    77Кешбэк 11 баллов
    2SC6094-TD-ETRANS NPN 60V 3A PCP
    77Кешбэк 11 баллов
    NSVBCW68GLT1GTRANS PNP 45V 0.8A SOT23-3
    77Кешбэк 11 баллов
    2N5195GTRANS PNP 80V 4A TO126
    77Кешбэк 11 баллов
    2SD1816S-HTRANS NPN 100V 4A TP
    79Кешбэк 11 баллов
    2SC4614T-ANTRANS NPN 160V 1.5A 3NMP
    79Кешбэк 11 баллов
    NST857BF3T5GTRANS PNP 45V 0.1A SOT1123
    79Кешбэк 11 баллов
    SMMBT2369ALT1GТранзистор: TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3
    79Кешбэк 11 баллов
    CPH3107-TL-ETRANS PNP 15V 6A 3CPH
    81Кешбэк 12 баллов
    SMMBT3904WT1GTRANS NPN 40V 0.2A SC70-3
    81Кешбэк 12 баллов
    SBCW30LT1GTRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3
    81Кешбэк 12 баллов
    2SD1048-6-TB-ETRANS NPN 15V 0.7A 3CP
    81Кешбэк 12 баллов
    2SA1770T-ANTRANS PNP 160V 1.5A 3NMP
    83Кешбэк 12 баллов
    MJD127TFTRANS PNP DARL 100V 8A TO252-3
    83Кешбэк 12 баллов
    2SD1801S-ETRANS NPN 50V 2A TP
    83Кешбэк 12 баллов
    2SD1805G-ETRANS NPN 20V 5A TP
    83Кешбэк 12 баллов
    2SA2205-TL-ETRANS PNP 100V 2A TPFA
    83Кешбэк 12 баллов
    MJE18002TRANS NPN 450V 2A TO220
    83Кешбэк 12 баллов
    NJVMJD117T4GTRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
    83Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Симисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП