Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
2N5306 TIN/LEAD
  • В избранное
  • В сравнение
2N5306 TIN/LEAD

2N5306 TIN/LEAD

2N5306 TIN/LEAD
;
2N5306 TIN/LEAD

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Central Semiconductor Corp
  • Артикул:
    2N5306 TIN/LEAD
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3Все характеристики

Минимальная цена 2N5306 TIN/LEAD при покупке от 1 шт 218.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5306 TIN/LEAD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5306 TIN/LEAD

2N5306 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Номинальное напряжение вCollector-Emitter (VCEO): 25В
    • Номинальный ток Collector (IC): 0.3А
    • Коллекторный корпус: TO92-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Доступность
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий уровень шумов
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с другими моделями
    • Требует дополнительного охлаждения при работе на предельных нагрузках
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов
    • Переключение электрических цепей
    • Использование в цифровых и аналоговых системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
    • Автомобильные системы
    • Радиоприемники и передатчики
    • Микроконтроллерные системы
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5306 TIN/LEAD

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    300 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    25 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.4V @ 200µA, 200mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    7000 @ 2mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Трансформация частоты
    60MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3

Техническая документация

 2N5306 TIN/LEAD.pdf
pdf. 0 kb
  • 2176 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    218 ₽
  • 10
    137 ₽
  • 500
    70 ₽
  • 2500
    56 ₽
  • 10000
    48 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Central Semiconductor Corp
  • Артикул:
    2N5306 TIN/LEAD
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3Все характеристики

Минимальная цена 2N5306 TIN/LEAD при покупке от 1 шт 218.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5306 TIN/LEAD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5306 TIN/LEAD

2N5306 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Номинальное напряжение вCollector-Emitter (VCEO): 25В
    • Номинальный ток Collector (IC): 0.3А
    • Коллекторный корпус: TO92-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Доступность
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий уровень шумов
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с другими моделями
    • Требует дополнительного охлаждения при работе на предельных нагрузках
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов
    • Переключение электрических цепей
    • Использование в цифровых и аналоговых системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
    • Автомобильные системы
    • Радиоприемники и передатчики
    • Микроконтроллерные системы
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5306 TIN/LEAD

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    300 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    25 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.4V @ 200µA, 200mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    7000 @ 2mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Трансформация частоты
    60MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3

Техническая документация

 2N5306 TIN/LEAD.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBT3904VLTRANS NPN 40V 0.2A TO236AB
    19Кешбэк 2 балла
    BCW66HRТранзистор: TRANS NPN 45V 0.8A TO236AB
    20.7Кешбэк 3 балла
    BC847BW-QFTRANS NPN 45V 0.1A SOT323
    26.6Кешбэк 3 балла
    BC847BW-QXTRANS NPN 45V 0.1A SOT323
    26.6Кешбэк 3 балла
    BC857BW-QXTRANS NPN 45V 0.1A SOT323
    26.6Кешбэк 3 балла
    BCW68HRTRANS PNP 45V 0.8A TO236AB
    29Кешбэк 4 балла
    BCP56TFТранзистор: TRANS NPN 80V 1A SOT223
    29Кешбэк 4 балла
    BCW66FRТранзистор: TRANS NPN 45V 0.8A TO236AB
    30Кешбэк 4 балла
    BCW68FRTRANS PNP 45V 0.8A TO236AB
    30.4Кешбэк 4 балла
    BC817-40W-QXТранзистор: TRANS NPN 45V 0.5A SOT323
    30.4Кешбэк 4 балла
    BC806-16VLTRANS PNP 80V 0.5A TO236AB
    30.4Кешбэк 4 балла
    BCW68HVLBCW68HSOT23TO-236AB
    32Кешбэк 4 балла
    BCW66HVLBCW66HSOT23TO-236AB
    32Кешбэк 4 балла
    BC806-16WFTRANS PNP 80V 0.5A SOT323
    32Кешбэк 4 балла
    BCW68GVLBCW68GSOT23TO-236AB
    32Кешбэк 4 балла
    BCW68FVLBCW68FSOT23TO-236AB
    32Кешбэк 4 балла
    BC806-25WXTRANS PNP 80V 0.5A SOT323
    32Кешбэк 4 балла
    BCW66GVLTRANS NPN 45V 0.8A TO236AB
    32Кешбэк 4 балла
    BCW68GRTRANS PNP 45V 0.8A TO236AB
    32Кешбэк 4 балла
    BCW66GRTRANS NPN 45V 0.8A TO236AB
    33Кешбэк 4 балла
    BC807-16LWXTRANS PNP 45V 0.5A SOT323
    34Кешбэк 5 баллов
    BC807-25LWXTRANS PNP 45V 0.5A SOT323
    34Кешбэк 5 баллов
    BC816-16WFTRANS NPN 80V 0.5A SOT323
    36Кешбэк 5 баллов
    BC816-16WXTRANS NPN 80V 0.5A SOT323
    36Кешбэк 5 баллов
    BC806-16WXTRANS PNP 80V 0.5A SOT323
    36Кешбэк 5 баллов
    BCW66FVLBCW66FSOT23TO-236AB
    38Кешбэк 5 баллов
    BC806-16RTRANS PNP 80V 0.5A TO236AB
    38Кешбэк 5 баллов
    PMBT2222AMYLPMBT2222AM/SOT883/XQFN3
    44Кешбэк 6 баллов
    BC806-16HVLTRANS PNP 80V 0.5A TO236AB
    44Кешбэк 6 баллов
    BC806-16HRTRANS PNP 80V 0.5A TO236AB
    44Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторные модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП