Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
2N5306 TIN/LEAD
  • В избранное
  • В сравнение
2N5306 TIN/LEAD

2N5306 TIN/LEAD

2N5306 TIN/LEAD
;
2N5306 TIN/LEAD

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Central Semiconductor Corp
  • Артикул:
    2N5306 TIN/LEAD
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3Все характеристики

Минимальная цена 2N5306 TIN/LEAD при покупке от 1 шт 213.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5306 TIN/LEAD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5306 TIN/LEAD

2N5306 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Номинальное напряжение вCollector-Emitter (VCEO): 25В
    • Номинальный ток Collector (IC): 0.3А
    • Коллекторный корпус: TO92-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Доступность
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий уровень шумов
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с другими моделями
    • Требует дополнительного охлаждения при работе на предельных нагрузках
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов
    • Переключение электрических цепей
    • Использование в цифровых и аналоговых системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
    • Автомобильные системы
    • Радиоприемники и передатчики
    • Микроконтроллерные системы
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5306 TIN/LEAD

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    300 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    25 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.4V @ 200µA, 200mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    7000 @ 2mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Трансформация частоты
    60MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3

Техническая документация

 2N5306 TIN/LEAD.pdf
pdf. 0 kb
  • 2176 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    213 ₽
  • 10
    133 ₽
  • 500
    68 ₽
  • 2500
    55 ₽
  • 10000
    47 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Central Semiconductor Corp
  • Артикул:
    2N5306 TIN/LEAD
  • Описание:
    TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3Все характеристики

Минимальная цена 2N5306 TIN/LEAD при покупке от 1 шт 213.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5306 TIN/LEAD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5306 TIN/LEAD

2N5306 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp TRANS NPN DARL 25V 0.3A TO92-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN транзистор
    • Номинальное напряжение вCollector-Emitter (VCEO): 25В
    • Номинальный ток Collector (IC): 0.3А
    • Коллекторный корпус: TO92-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Доступность
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий уровень шумов
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с другими моделями
    • Требует дополнительного охлаждения при работе на предельных нагрузках
  • Общее назначение:
    • Усиление сигналов
    • Переключение электрических цепей
    • Использование в цифровых и аналоговых системах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие портативные устройства
    • Автомобильные системы
    • Радиоприемники и передатчики
    • Микроконтроллерные системы
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5306 TIN/LEAD

  • Тип транзистора
    NPN - Darlington
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    300 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    25 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    1.4V @ 200µA, 200mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    7000 @ 2mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Трансформация частоты
    60MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3

Техническая документация

 2N5306 TIN/LEAD.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SC4081U3T106RTRANS NPN 50V 0.15A UMT3
    37Кешбэк 5 баллов
    2SAR586JFRGTLLTRANS PNP 80V 5A LPTL
    521Кешбэк 78 баллов
    DXTN07100BFG-7TRANS NPN 100V 2A POWERDI3
    154Кешбэк 23 балла
    BCP53HXTRANS PNP 80V 1A SOT223
    100Кешбэк 15 баллов
    BCP56TXTRANS NPN 80V 1A SOT223
    72Кешбэк 10 баллов
    2N3501 PBFREETRANS NPN 150V 0.3A TO39
    1 640Кешбэк 245 баллов
    PBSS5250THRPBSS5250TH/SOT23/TO-236AB
    102Кешбэк 15 баллов
    2SCR552PFRAT100TRANS NPN 30V 3A MPT3
    156Кешбэк 23 балла
    BCP56-10TFTRANS NPN 80V 1A SOT223
    46Кешбэк 6 баллов
    PBHV9110DA_R1_00001TRANS PNP 100V 1A SOT23
    69Кешбэк 10 баллов
    BC848C-AQTRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
    6.2Кешбэк 1 балл
    2SC2909S-AANPN SILICON TRANSISTOR
    26.7Кешбэк 4 балла
    2N5682TRANS NPN 120V 1A TO39
    187Кешбэк 28 баллов
    RCA9116ETRANS PNP 100V 200A TO3
    256Кешбэк 38 баллов
    2SAR340QTRTRANS PNP 400V 0.1A TSMT6
    178Кешбэк 26 баллов
    MJD41C-QJTRANS NPN 100V 10A DPAK
    193Кешбэк 28 баллов
    2N5320 PBFREETRANS NPN 75V 2A TO39
    587Кешбэк 88 баллов
    2N3741PNP TRANSISTOR
    2 735Кешбэк 410 баллов
    2SAR587D3TL1TRANS PNP 120V 3A TO252
    391Кешбэк 58 баллов
    NSV1C301ET4G-VF01TRANS NPN 100V 3A DPAK
    165Кешбэк 24 балла
    2SCR533PFRAT100TRANS NPN 50V 3A MPT3
    146Кешбэк 21 балл
    DXTP3C60PS-13TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8
    153Кешбэк 22 балла
    BCW61CTRANS PNP 32V 0.1A SOT23
    97Кешбэк 14 баллов
    2SD2337C-EPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
    339Кешбэк 50 баллов
    FZT491AQTATRANS NPN 40V 1A SOT223
    226Кешбэк 33 балла
    2SCR586D3TL1TRANS NPN 80V 5A TO252
    280Кешбэк 42 балла
    BC846BHZGT116TRANS NPN 65V 0.12A SST3
    59Кешбэк 8 баллов
    IRF121-00019.2A, 80V, 0.27OHM, N CHANNEL MO
    215Кешбэк 32 балла
    UPA2001C-AТранзистор: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    352Кешбэк 52 балла
    BC817K-16RTRANS NPN 45V 0.5A TO236AB
    41Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП