Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
2N5551 TIN/LEAD
  • В избранное
  • В сравнение
2N5551 TIN/LEAD

2N5551 TIN/LEAD

2N5551 TIN/LEAD
;
2N5551 TIN/LEAD

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Central Semiconductor Corp
  • Артикул:
    2N5551 TIN/LEAD
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3Все характеристики

Минимальная цена 2N5551 TIN/LEAD при покупке от 1 шт 304.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5551 TIN/LEAD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5551 TIN/LEAD

2N5551 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp Транзистор: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки U(BR)CEO: 160 В
    • Номинальная токовая характеристика I(C): 0.6 А
    • Форм-фактор: TO92-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер корпуса
    • Легкость монтажа
  • Минусы:
    • Высокий уровень шума
    • Высокие потери мощности при работе на полупроводниковых сетках
  • Общее назначение:
    • Используется для регулирования тока в электрических цепях
    • В качестве управляющего элемента в различных схемах
    • Для создания различных типов усилителей
  • В каких устройствах применяется:
    • Телевизоры
    • Компьютеры
    • Автомобили
    • Системы управления двигателей
    • Игровые приставки
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5551 TIN/LEAD

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    160 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3

Техническая документация

 2N5551 TIN/LEAD.pdf
pdf. 0 kb
  • 1867 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    304 ₽
  • 10
    192 ₽
  • 100
    129 ₽
  • 1000
    92 ₽
  • 5000
    77 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Central Semiconductor Corp
  • Артикул:
    2N5551 TIN/LEAD
  • Описание:
    Транзистор: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3Все характеристики

Минимальная цена 2N5551 TIN/LEAD при покупке от 1 шт 304.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5551 TIN/LEAD с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5551 TIN/LEAD

2N5551 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp Транзистор: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки U(BR)CEO: 160 В
    • Номинальная токовая характеристика I(C): 0.6 А
    • Форм-фактор: TO92-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Малый размер корпуса
    • Легкость монтажа
  • Минусы:
    • Высокий уровень шума
    • Высокие потери мощности при работе на полупроводниковых сетках
  • Общее назначение:
    • Используется для регулирования тока в электрических цепях
    • В качестве управляющего элемента в различных схемах
    • Для создания различных типов усилителей
  • В каких устройствах применяется:
    • Телевизоры
    • Компьютеры
    • Автомобили
    • Системы управления двигателей
    • Игровые приставки
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5551 TIN/LEAD

  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    600 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    160 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    50nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3

Техническая документация

 2N5551 TIN/LEAD.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTE215TRANS NPN DARL 100V 8A TO3P
    1 112Кешбэк 166 баллов
    NTE176TRANS PNP 2A TO39
    1 112Кешбэк 166 баллов
    NTE2320TRANS NPN 30V 0.5A 14DIP
    1 112Кешбэк 166 баллов
    NTE131TRANS PNP 32V 1A TO66
    1 112Кешбэк 166 баллов
    NTE384TRANS NPN 350V 7A TO66
    1 112Кешбэк 166 баллов
    NTE382TRANS NPN 100V 1A TO92L
    1 134Кешбэк 170 баллов
    NTE32TRANS PNP 160V 1A TO92L
    1 151Кешбэк 172 балла
    NTE31TRANS NPN 160V 1A TO92L
    1 159Кешбэк 173 балла
    NTE297TRANS NPN 80V 0.5A TO92
    1 242Кешбэк 186 баллов
    NTE154TRANS NPN 300V TO39
    1 305Кешбэк 195 баллов
    NTE331TRANS NPN 100V 15A TO220
    1 334Кешбэк 200 баллов
    NTE399TRANS NPN 300V 0.1A TO92L
    1 359Кешбэк 203 балла
    NTE306TRANS NPN 50V 1.5A TO202
    1 389Кешбэк 208 баллов
    NTE263TRANS NPN DARL 100V 10A TO220
    1 451Кешбэк 217 баллов
    NTE123TRANS NPN 40V 0.8A TO39
    1 528Кешбэк 229 баллов
    NTE376TRANS NPN 300V 0.2A TO220
    1 534Кешбэк 230 баллов
    NTE332TRANS PNP 100V 15A TO220
    1 567Кешбэк 235 баллов
    NTE251TRANS NPN DARL 100V 20A TO3
    1 630Кешбэк 244 балла
    NTE394TRANS NPN 400V 3A TO3PN
    1 792Кешбэк 268 баллов
    NTE243TRANS NPN DARL 80V 8A TO3
    2 034Кешбэк 305 баллов
    NTE281TRANS PNP 140V 12A TO3
    2 038Кешбэк 305 баллов
    NTE94TRANS NPN 300V 5A TO3
    2 088Кешбэк 313 баллов
    NTE163ATRANS NPN 700V 5A TO3
    2 097Кешбэк 314 баллов
    NTE100TRANS PNP 24V 0.1A TO5
    2 107Кешбэк 316 баллов
    NTE102TRANS PNP 24V 0.15A TO5
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE52TRANS NPN 450V 5A TO3
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE2324TRANS NPN 800V 8A TO3PML
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE2309TRANS NPN 800V 12A TO3P
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE101TRANS NPN 25V 0.3A TO5
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE126TRANS PNP 15V TO18
    2 223Кешбэк 333 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП