2N6760

2N6760 International Rectifier N-CHANNEL POWER MOSFET

• Основные параметры:
• V_DS(max) — напряжение между дреном и селем: 45 В
• I_D(max) — максимальный ток дрене-села: 30 А
• R_DS(on) — сопротивление при проходящем токе: 1.3 Ω (при I_D = 30 A)
• Q_g(max) — максимальное зарядное напряжение: 12 V
• Температурный коэффициент R_DS(on): +0.008 Ω/°C
• Плюсы:
• Высокая проводимость в режиме ON
• Малое сопротивление при проходящем токе
• Низкий заряд передний края (Q_g)
• Стабильность параметров при изменении температуры
• Минусы:
• Высокий уровень шума (глубокий биттернистый эффект)
• Высокие требования к системе охлаждения из-за тепловых потерь
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения в электронных устройствах
• Переключение высоких токов в силовых системах
• Изоляция логических цепей от силовых цепей
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника
• Системы питания
• Промышленные преобразователи
• Устройства управления двигателем
• Инверторы и преобразователи энергии