Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
2N7002AQ-13
  • В избранное
  • В сравнение
2N7002AQ-13

2N7002AQ-13

2N7002AQ-13
;
2N7002AQ-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    2N7002AQ-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23Все характеристики

Минимальная цена 2N7002AQ-13 при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N7002AQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N7002AQ-13

2N7002AQ-13 DIODES INCORPORATED

  • MOSFET N-ЧЕРТЯНОВОГО ТИПА 60В 180МА SOT23

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение питания (VDS(on)): 60В
  • Номинальный ток (ID): 180мА
  • Тип: N-чертянового типа
  • Форм-фактор: SOT23

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый размер и легкий вес
  • Низкий уровень дисперсии
  • Устойчивость к шумам

Минусы:

  • Предел номинального тока ограничен 180мА
  • Не подходит для высокоточных приложений из-за наличия вольт-амперной характеристики

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение и управление нагрузками
  • Изоляция сигналов

В каких устройствах применяется:

  • Компьютерная техника
  • Автомобильные системы
  • Электронные часы и другие портативные устройства
  • Домашняя электроника
Выбрано: Показать

Характеристики 2N7002AQ-13

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    180mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 115mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    23 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    370mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    2N7002

Техническая документация

 2N7002AQ-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 4588 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    37 ₽
  • 100
    12 ₽
  • 1000
    9.5 ₽
  • 5000
    8.6 ₽
  • 20000
    6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    2N7002AQ-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23Все характеристики

Минимальная цена 2N7002AQ-13 при покупке от 1 шт 37.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N7002AQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N7002AQ-13

2N7002AQ-13 DIODES INCORPORATED

  • MOSFET N-ЧЕРТЯНОВОГО ТИПА 60В 180МА SOT23

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение питания (VDS(on)): 60В
  • Номинальный ток (ID): 180мА
  • Тип: N-чертянового типа
  • Форм-фактор: SOT23

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малый размер и легкий вес
  • Низкий уровень дисперсии
  • Устойчивость к шумам

Минусы:

  • Предел номинального тока ограничен 180мА
  • Не подходит для высокоточных приложений из-за наличия вольт-амперной характеристики

Общее назначение:

  • Регулирование напряжения
  • Переключение и управление нагрузками
  • Изоляция сигналов

В каких устройствах применяется:

  • Компьютерная техника
  • Автомобильные системы
  • Электронные часы и другие портативные устройства
  • Домашняя электроника
Выбрано: Показать

Характеристики 2N7002AQ-13

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    180mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 115mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    23 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    370mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    2N7002

Техническая документация

 2N7002AQ-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN3025LFV-13MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
    111Кешбэк 16 баллов
    DMP2110UW-7MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
    70Кешбэк 10 баллов
    DMN2024U-7MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
    89Кешбэк 13 баллов
    DMT6005LSS-13MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
    365Кешбэк 54 балла
    DMTH4008LPSQ-13MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
    206Кешбэк 30 баллов
    DMTH43M8LFG-7MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
    256Кешбэк 38 баллов
    DMP2078LCA3-7MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN2053U-7MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3
    74Кешбэк 11 баллов
    DMP1009UFDFQ-7MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
    139Кешбэк 20 баллов
    DMN6069SFGQ-7MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
    209Кешбэк 31 балл
    DMP3026SFDF-13MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
    139Кешбэк 20 баллов
    DMG1012T-13MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
    46Кешбэк 6 баллов
    DMP2045U-7MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
    16.5Кешбэк 2 балла
    DMN10H220LQ-13MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
    70Кешбэк 10 баллов
    DMT35M7LFV-7MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333
    207Кешбэк 31 балл
    DMP2035UVTQ-7MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
    119Кешбэк 17 баллов
    DMN3042LFDF-7MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN
    119Кешбэк 17 баллов
    DMT36M1LPS-13MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
    98Кешбэк 14 баллов
    DMTH4008LFDFWQ-7MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
    187Кешбэк 28 баллов
    DMN61D9UWQ-7MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
    59Кешбэк 8 баллов
    DMN53D0LQ-13MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    DMT3020LFDF-7Транзистор: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
    141Кешбэк 21 балл
    DMTH6009LPS-13MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
    196Кешбэк 29 баллов
    DMTH4008LPS-13MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN32D0LFB4-7BMOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
    78Кешбэк 11 баллов
    DMT10H025SSS-13MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
    113Кешбэк 16 баллов
    DMP2045UQ-7MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
    91Кешбэк 13 баллов
    2N7002AQ-13Транзистор: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    DMTH4M70SPGWQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
    673Кешбэк 100 баллов
    DMNH6021SPSQ-13MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
    187Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП