2SB1126-TD-E

2SB1126-TD-E — это транзистор из серии ON Semiconductor, предназначенный для широкого спектра приложений.

• Основные параметры:
• Номинальный напряжение коллектора-эмиттера: 30 В
• Номинальная мощность: 500 мВт
• Тип: биполярный ненасытивный транзистор (NPN)
• Максимальное напряжение базы-эмиттера: 6 В
• Максимальный ток коллектора: 450 мА

• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Высокая скорость переключения
• Устойчивость к электромагнитному излучению

• Минусы:
• Высокие требования к охлаждению при высоких нагрузках
• Требует точной настройки базового тока

Общее назначение: Используется для регулирования тока в электрических цепях, усиления сигналов и управления другими компонентами в различных устройствах.

• В каких устройствах применяется:
• Компьютеры и периферийное оборудование
• Автомобильные системы
• Электронные часы и другие цифровые устройства
• Промышленное оборудование и автоматизация