Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
2SB1132T100P

2SB1132T100P

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена 2SB1132T100P при покупке от 1 шт 127.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SB1132T100P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2SB1132T100P

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    32 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    82 @ 100mA, 3V
  • Рассеивание мощности
    2 W
  • Трансформация частоты
    150MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    MPT3
  • Base Product Number
    2SB1132
Техническая документация
2SB1132T100P.pdf
pdf. 0 kb
  • 25 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    127 ₽
  • 100
    51 ₽
  • 1000
    34.5 ₽
  • 3000
    29.5 ₽
  • 7000
    26.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена 2SB1132T100P при покупке от 1 шт 127.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SB1132T100P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2SB1132T100P

  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    32 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    82 @ 100mA, 3V
  • Рассеивание мощности
    2 W
  • Трансформация частоты
    150MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    MPT3
  • Base Product Number
    2SB1132
Техническая документация
2SB1132T100P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории