Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
2SB1132T100R

2SB1132T100R

2SB1132T100R
;
2SB1132T100R

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена 2SB1132T100R при покупке от 1 шт 128.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SB1132T100R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SB1132T100R

2SB1132T100R Rohm Semiconductor Транзистор: TRANS PNP 32V 1A MPT3

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор PNP
    • Номинальное напряжение (VCEO): 32 В
    • Номинальный ток (IC): 1 А
    • Максимальная мощность (MPT): 3 Вт
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (32 В)
    • Высокий номинальный ток (1 А)
    • Высокая мощность (3 Вт)
    • Стабильные характеристики
    • Производство Rohm Semiconductor, известного производителя
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при достижении максимальной мощности
    • Невысокая скорость переключения
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Контроль высоковольтных цепей
    • Управление нагрузками с высоким напряжением и током
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы питания и регулирования напряжения
    • Промышленное оборудование и автоматизация
    • Электронные устройства с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики 2SB1132T100R

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    32 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    180 @ 100mA, 3V
  • Рассеивание мощности
    2 W
  • Трансформация частоты
    150MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    MPT3
  • Base Product Number
    2SB1132

Техническая документация

2SB1132T100R.pdf
pdf. 0 kb
  • 1179 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    128 ₽
  • 100
    51 ₽
  • 1000
    35 ₽
  • 3000
    30 ₽
  • 7000
    26.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена 2SB1132T100R при покупке от 1 шт 128.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SB1132T100R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SB1132T100R

2SB1132T100R Rohm Semiconductor Транзистор: TRANS PNP 32V 1A MPT3

  • Основные параметры:
    • Тип: Транзистор PNP
    • Номинальное напряжение (VCEO): 32 В
    • Номинальный ток (IC): 1 А
    • Максимальная мощность (MPT): 3 Вт
  • Плюсы:
    • Высокое номинальное напряжение (32 В)
    • Высокий номинальный ток (1 А)
    • Высокая мощность (3 Вт)
    • Стабильные характеристики
    • Производство Rohm Semiconductor, известного производителя
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению при достижении максимальной мощности
    • Невысокая скорость переключения
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых электронных устройствах
    • Контроль высоковольтных цепей
    • Управление нагрузками с высоким напряжением и током
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы питания и регулирования напряжения
    • Промышленное оборудование и автоматизация
    • Электронные устройства с высокими требованиями к надежности
Выбрано: Показать

Характеристики 2SB1132T100R

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    PNP
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    1 A
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    32 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 500mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    180 @ 100mA, 3V
  • Рассеивание мощности
    2 W
  • Трансформация частоты
    150MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    MPT3
  • Base Product Number
    2SB1132

Техническая документация

2SB1132T100R.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории