2SB1151-S1-AZ

2SB1151-S1-AZ Renesas Electronics Corporation POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP

• Основные параметры:
• V_CEO: 60 В - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при базе открытой.
• I_C: 3 А - максимальный коллекторный ток.
• β_(hFE): 40-80 - коэффициент усиления.
• V_BE(on): 0.7-0.9 В - напряжение между базой и эмиттером при прохождении коллекторного тока.
• Плюсы:
• Высокая мощность.
• Устойчивость к перенапряжениям.
• Надежность и долговечность.
• Малый размер и легкость интеграции в разработки.
• Минусы:
• Высокий уровень тепловыделения требует эффективного охлаждения.
• Меньшая скорость перехода по сравнению с MOSFET.
• Общее назначение:
• Регулирование напряжений.
• Приведение сигналов к более высоким уровням.
• Контроль потребителей тока.
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных системах управления.
• Измерительной технике.
• Промышленном оборудовании.
• Электронных системах питания.