2SB860-E

2SB860-E Renesas Electronics Corporation

• Тип компонента: Диод-биполярный транзистор (PNP)
• Основные параметры:
  • Максимальное напряжение Uceo: 45 В
  • Максимальная мощность dissipation (Ptot): 1.2 Вт
  • Максимальный ток collector (Ic): 1 А
• Плюсы:
  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к электромагнитному излучению (EMI)
  • Малый размер и легкость интеграции в системы
• Минусы:
  • Низкий коэффициент усиления
  • Требуется дополнительная схемотехника для работы в некоторых приложениях
• Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как регуляторы напряжения, стабилизаторы, защитные цепи и др.
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы
  • Промышленное оборудование
  • Электронные системы управления
  • Регуляторы напряжения
  • Защитные устройства