Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
2SC5347AE-TD-E
  • В избранное
  • В сравнение
2SC5347AE-TD-E

2SC5347AE-TD-E

2SC5347AE-TD-E
;
2SC5347AE-TD-E

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2SC5347AE-TD-E
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCPВсе характеристики

Минимальная цена 2SC5347AE-TD-E при покупке от 1 шт 185.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SC5347AE-TD-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SC5347AE-TD-E

2SC5347AE-TD-E от ON Semiconductor - RF NPN транзистор

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение питания: 12В
    • Максимальная частота работы: 4.7ГГц
    • Тип: NPN
    • Использование для радиочастотных приложений
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к шуму
    • Высокая надежность
    • Доступность и широкое применение
  • Минусы:
    • Требует внимания при проектировании радиочастотных схем из-за влияния на частоту работы
    • Могут быть ограничения по мощности при работе на высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Радиочастотные усилители
    • Переключатели радиочастотного сигнала
    • Фильтры и линейные блоки питания
  • Применяется в:
    • Сотовых телефонов
    • Радиоэлектронных системах
    • Интернет вещей (IoT)
    • Автомобильных системах
Выбрано: Показать

Характеристики 2SC5347AE-TD-E

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    4.7GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.8dB @ 1GHz
  • Усиление
    8dB
  • Рассеивание мощности
    1.3W
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    90 @ 50mA, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    PCP
  • Base Product Number
    2SC5347

Техническая документация

 2SC5347AE-TD-E.pdf
pdf. 0 kb
  • 291 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    185 ₽
  • 10
    115 ₽
  • 100
    75 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2SC5347AE-TD-E
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCPВсе характеристики

Минимальная цена 2SC5347AE-TD-E при покупке от 1 шт 185.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SC5347AE-TD-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SC5347AE-TD-E

2SC5347AE-TD-E от ON Semiconductor - RF NPN транзистор

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение питания: 12В
    • Максимальная частота работы: 4.7ГГц
    • Тип: NPN
    • Использование для радиочастотных приложений
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к шуму
    • Высокая надежность
    • Доступность и широкое применение
  • Минусы:
    • Требует внимания при проектировании радиочастотных схем из-за влияния на частоту работы
    • Могут быть ограничения по мощности при работе на высоких частотах
  • Общее назначение:
    • Радиочастотные усилители
    • Переключатели радиочастотного сигнала
    • Фильтры и линейные блоки питания
  • Применяется в:
    • Сотовых телефонов
    • Радиоэлектронных системах
    • Интернет вещей (IoT)
    • Автомобильных системах
Выбрано: Показать

Характеристики 2SC5347AE-TD-E

  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    4.7GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.8dB @ 1GHz
  • Усиление
    8dB
  • Рассеивание мощности
    1.3W
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    90 @ 50mA, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    PCP
  • Base Product Number
    2SC5347

Техническая документация

 2SC5347AE-TD-E.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MPSH10Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    28Кешбэк 4 балла
    NE85633-T1B-AТранзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
    333Кешбэк 49 баллов
    NE68033-T1B-AТранзистор
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68018-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343
    371Кешбэк 55 баллов
    NSVMMBTH10LT1GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
    48Кешбэк 7 баллов
    BFU530ARТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
    94Кешбэк 14 баллов
    BFP420FH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5.5V 25GHZ 4TSFP
    65Кешбэк 9 баллов
    BFU530WFТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
    102Кешбэк 15 баллов
    BFU550XRVLТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
    89Кешбэк 13 баллов
    BFU530VLТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
    124Кешбэк 18 баллов
    BFR340L3E6327XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1
    57Кешбэк 8 баллов
    HFA3134IHZ96Транзистор: RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6
    1 449Кешбэк 217 баллов
    CA3127MZТранзистор: RF TRANS 5NPN 15V 1.15GHZ 16SOIC
    3 728Кешбэк 559 баллов
    BFR193WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
    37Кешбэк 5 баллов
    MPSH11Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    14.8Кешбэк 2 балла
    SMMBTH10-4LT3GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
    89Кешбэк 13 баллов
    BF959RL1GТранзистор: RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3
    18.5Кешбэк 2 балла
    NE66219-T1-AТранзистор
    445Кешбэк 66 баллов
    BFG310W/XR,115Транзистор: RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4
    29.6Кешбэк 4 балла
    BFP540ESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 30GHZ SOT343-4
    93Кешбэк 13 баллов
    BFP420H6801XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343
    85Кешбэк 12 баллов
    MPS3563GRF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92
    13Кешбэк 1 балл
    BFP843H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 2.25V SOT343
    180Кешбэк 27 баллов
    MMBTH10M3T5GТранзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
    20.4Кешбэк 3 балла
    2N3663Транзистор: RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3
    7.4Кешбэк 1 балл
    55GN01CA-TB-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
    76Кешбэк 11 баллов
    BFP182WH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
    52Кешбэк 7 баллов
    BFP196E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT143-4
    41Кешбэк 6 баллов
    15GN03CA-TB-EТранзистор: RF TRANS NPN 10V 1.5GHZ 3CP
    72Кешбэк 10 баллов
    BFP420H6740XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 25GHZ SOT343
    91Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП