Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
2SC5876T106Q
  • В избранное
  • В сравнение
2SC5876T106Q

2SC5876T106Q

2SC5876T106Q
;
2SC5876T106Q

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    2SC5876T106Q
  • Описание:
    TRANS NPN 60V 0.5A UMT3Все характеристики

Минимальная цена 2SC5876T106Q при покупке от 1 шт 139.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SC5876T106Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SC5876T106Q

2SC5876T106Q — это транзистор NPN с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки VCEO: 60В
  • Номинальная токовая характеристика IC: 0.5А
  • Обозначение типа: UMT (Универсальный Малогабаритный Транзистор)

Плюсы:

  • Малый размер и вес
  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Средняя скорость включения и выключения
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах

Общее назначение:

  • Управление нагрузками
  • Увеличение мощности
  • Изменение уровня напряжения

Применяется в:

  • Электронных устройствах для управления электрическими цепями
  • Автомобильной электронике
  • Медицинских аппаратах
  • Игровой и бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики 2SC5876T106Q

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 10mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 50mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    UMT3
  • Base Product Number
    2SC5876

Техническая документация

 2SC5876T106Q.pdf
pdf. 0 kb
  • 4301 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    139 ₽
  • 100
    56 ₽
  • 1000
    38 ₽
  • 6000
    30 ₽
  • 15000
    27 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Rohm Semiconductor
  • Артикул:
    2SC5876T106Q
  • Описание:
    TRANS NPN 60V 0.5A UMT3Все характеристики

Минимальная цена 2SC5876T106Q при покупке от 1 шт 139.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SC5876T106Q с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SC5876T106Q

2SC5876T106Q — это транзистор NPN с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки VCEO: 60В
  • Номинальная токовая характеристика IC: 0.5А
  • Обозначение типа: UMT (Универсальный Малогабаритный Транзистор)

Плюсы:

  • Малый размер и вес
  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Средняя скорость включения и выключения
  • Требует дополнительного охлаждения при высоких токах

Общее назначение:

  • Управление нагрузками
  • Увеличение мощности
  • Изменение уровня напряжения

Применяется в:

  • Электронных устройствах для управления электрическими цепями
  • Автомобильной электронике
  • Медицинских аппаратах
  • Игровой и бытовой технике
Выбрано: Показать

Характеристики 2SC5876T106Q

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    60 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 10mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1µA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 50mA, 2V
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Трансформация частоты
    300MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    UMT3
  • Base Product Number
    2SC5876

Техническая документация

 2SC5876T106Q.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SC5662T2LPТранзистор: TRANS NPN 11V 0.05A VMT3
    114Кешбэк 17 баллов
    2SD2654TLVTRANS NPN 50V 0.15A EMT3
    114Кешбэк 17 баллов
    2SB1689T106Транзистор: TRANS PNP 12V 1.5A UMT3
    118Кешбэк 17 баллов
    2SC4725TLPТранзистор: TRANS NPN 20V 0.05A EMT3
    122Кешбэк 18 баллов
    2SC5663T2LTRANS NPN 12V 0.5A VMT3
    123Кешбэк 18 баллов
    2SA2030T2LTRANS PNP 12V 0.5A VMT3
    123Кешбэк 18 баллов
    2SD2674TLTRANS NPN 12V 1.5A TSMT3
    123Кешбэк 18 баллов
    2SC4061KT146NTRANS NPN 300V 0.1A SMT3
    124Кешбэк 18 баллов
    2SD2142KT146TRANS NPN DARL 30V 0.3A SMT3
    127Кешбэк 19 баллов
    2SD1664T100PTRANS NPN 32V 1A MPT3
    129Кешбэк 19 баллов
    2SB1733TLTRANS PNP 30V 1A TUMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SD2657KT146TRANS NPN 30V 1.5A SMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SD1383KT146BTRANS NPN DARL 32V 0.3A SMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SD1757KT146STRANS NPN 15V 0.5A SMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SB1732TLTRANS PNP 12V 1.5A TUMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SD2702TLTRANS NPN 12V 1.5A TUMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SB1132T100RТранзистор: TRANS PNP 32V 1A MPT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SB1695KT146TRANS PNP 30V 1.5A SMT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SB1132T100PTRANS PNP 32V 1A MPT3
    131Кешбэк 19 баллов
    2SD2226KT146WTRANS NPN 50V 0.15A SMT3
    133Кешбэк 19 баллов
    2SD2226KT146VTRANS NPN 50V 0.15A SMT3
    133Кешбэк 19 баллов
    2SA2094TLQTRANS PNP 60V 2A TSMT3
    135Кешбэк 20 баллов
    2SB1690KT146TRANS PNP 12V 2A SMT3
    137Кешбэк 20 баллов
    2SB852KT146BTRANS PNP DARL 32V 0.3A SMT3
    137Кешбэк 20 баллов
    2SC5866TLRTRANS NPN 60V 2A TSMT3
    139Кешбэк 20 баллов
    2SD2652T106TRANS NPN 12V 1.5A UMT3
    139Кешбэк 20 баллов
    2SC5876T106QTRANS NPN 60V 0.5A UMT3
    139Кешбэк 20 баллов
    2SC5866TLQTRANS NPN 60V 2A TSMT3
    139Кешбэк 20 баллов
    2SD2657TLTRANS NPN 30V 1.5A TSMT3
    139Кешбэк 20 баллов
    2SC5876T106RTRANS NPN 60V 0.5A UMT3
    139Кешбэк 20 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы специального назначения
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП