Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные биполярные транзисторы
2SC6026MFVGR,L3F
  • В избранное
  • В сравнение
2SC6026MFVGR,L3F

2SC6026MFVGR,L3F

2SC6026MFVGR,L3F
;
2SC6026MFVGR,L3F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    2SC6026MFVGR,L3F
  • Описание:
    TRANS NPN 50V 0.15A VESMВсе характеристики

Минимальная цена 2SC6026MFVGR,L3F при покупке от 1 шт 36.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SC6026MFVGR,L3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SC6026MFVGR,L3F

2SC6026MFVGR, L3F Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN 50V 0.15A VESM

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN-транзистор
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 50В
    • Номинальный ток коллектора: 0.15А
    • Материал: Si (см. VESM)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологий Toshiba
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Экономичность при работе с низкими напряжениями
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность (0.15А)
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с высокими нагрузками
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Регулирование сигналов
    • Изоляция сигналов
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Пульты дистанционного управления
    • Маломощные электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 2SC6026MFVGR,L3F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Трансформация частоты
    60MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    VESM
  • Base Product Number
    2SC6026

Техническая документация

 2SC6026MFVGR,L3F.pdf
pdf. 0 kb
  • 25675 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    36 ₽
  • 100
    14 ₽
  • 1000
    9 ₽
  • 8000
    6.1 ₽
  • 24000
    5.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    2SC6026MFVGR,L3F
  • Описание:
    TRANS NPN 50V 0.15A VESMВсе характеристики

Минимальная цена 2SC6026MFVGR,L3F при покупке от 1 шт 36.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SC6026MFVGR,L3F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SC6026MFVGR,L3F

2SC6026MFVGR, L3F Toshiba Semiconductor and Storage TRANS NPN 50V 0.15A VESM

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN-транзистор
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера: 50В
    • Номинальный ток коллектора: 0.15А
    • Материал: Si (см. VESM)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологий Toshiba
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Экономичность при работе с низкими напряжениями
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность (0.15А)
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с высокими нагрузками
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками
    • Регулирование сигналов
    • Изоляция сигналов
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Пульты дистанционного управления
    • Маломощные электронные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 2SC6026MFVGR,L3F

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Трансформация частоты
    60MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-723
  • Исполнение корпуса
    VESM
  • Base Product Number
    2SC6026

Техническая документация

 2SC6026MFVGR,L3F.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MJD243T4GTRANS NPN 100V 4A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    MJD41CRLGTRANS NPN 100V 6A DPAK
    228Кешбэк 34 балла
    MJE180STUTRANS NPN 40V 3A TO126-3
    228Кешбэк 34 балла
    MMJT350T1GTRANS PNP 300V 0.5A SOT223
    230Кешбэк 34 балла
    KSE13003H1ASTUTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
    232Кешбэк 34 балла
    MJD148T4GTRANS NPN 45V 4A DPAK
    232Кешбэк 34 балла
    BD13516SТранзистор: TRANS NPN 45V 1.5A TO126-3
    232Кешбэк 34 балла
    MJD44H11-1GTRANS NPN 80V 8A IPAK
    236Кешбэк 35 баллов
    NJVMJD44H11RLGТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    237Кешбэк 35 баллов
    FSB619TRANS NPN 50V 2A SOT23-3
    238Кешбэк 35 баллов
    BD787GTRANS NPN 60V 4A TO126
    238Кешбэк 35 баллов
    BD135GTRANS NPN 45V 1.5A TO126
    238Кешбэк 35 баллов
    2SC3649S-TD-ETRANS NPN 160V 1.5A PCP
    238Кешбэк 35 баллов
    2SA2126-TL-ETRANS PNP 50V 3A TP-FA
    238Кешбэк 35 баллов
    KSD882YSTUТранзистор: TRANS NPN 30V 3A TO126-3
    239Кешбэк 35 баллов
    MJD41CT4GТранзистор: TRANS NPN 100V 6A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD128T4GTRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD42CT4GТранзистор: TRANS PNP 100V 6A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    MJD44H11RLGТранзистор: TRANS NPN 80V 8A DPAK
    240Кешбэк 36 баллов
    BD135TGTRANS NPN 45V 1.5A TO126
    240Кешбэк 36 баллов
    MJE182GТранзистор: TRANS NPN 80V 3A TO126
    241Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD243T4GTRANS NPN 100V 4A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    NJVMJD112T4GTRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    NSV1C301ET4GTRANS NPN 100V 3A DPAK
    244Кешбэк 36 баллов
    BD17510STUTRANS NPN 45V 3A TO126-3
    244Кешбэк 36 баллов
    TIP110GTRANS NPN DARL 60V 2A TO220
    244Кешбэк 36 баллов
    FJE3303H1TUTRANS NPN 400V 1.5A TO126-3
    244Кешбэк 36 баллов
    TIP50GTRANS NPN 400V 1A TO220
    246Кешбэк 36 баллов
    MJD117T4GTRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
    248Кешбэк 37 баллов
    2N6488GTRANS NPN 80V 15A TO220
    248Кешбэк 37 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторные модули
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП