Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
2SK3666-3-TB-E
  • В избранное
  • В сравнение
2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E
;
2SK3666-3-TB-E

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2SK3666-3-TB-E
  • Описание:
    JFET N-CH 10MA 200MW 3CPВсе характеристики

Минимальная цена 2SK3666-3-TB-E при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK3666-3-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2SK3666-3-TB-E

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.2 mA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    10 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    180 mV @ 1 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4pF @ 10V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    200 Ohms
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SMCP
  • Base Product Number
    2SK3666

Техническая документация

 2SK3666-3-TB-E.pdf
pdf. 0 kb
  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2SK3666-3-TB-E
  • Описание:
    JFET N-CH 10MA 200MW 3CPВсе характеристики

Минимальная цена 2SK3666-3-TB-E при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK3666-3-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2SK3666-3-TB-E

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.2 mA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    10 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    180 mV @ 1 µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4pF @ 10V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    200 Ohms
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SMCP
  • Base Product Number
    2SK3666

Техническая документация

 2SK3666-3-TB-E.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PF53012SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    20Кешбэк 3 балла
    PN4118SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    24Кешбэк 3 балла
    PN5434SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    68Кешбэк 10 баллов
    2N5639SMALL SIGNAL FET
    92Кешбэк 13 баллов
    PN4093JFET N-CH 40V 0.625W TO92
    92Кешбэк 13 баллов
    CMPFJ176 TRТиристор: IC JFET P-CH SOT23-3
    208Кешбэк 31 балл
    CMPFJ175 TRIC JFET P-CH SOT23-3
    285Кешбэк 42 балла
    PN4393 TRAJFET N-CH 40V 0.625W TO92
    461Кешбэк 69 баллов
    TF202THC-3-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    14Кешбэк 2 балла
    TF252TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    14Кешбэк 2 балла
    2SK3666-2-TB-EJFET NCH 30V 200MW 3CP
    17Кешбэк 2 балла
    TF208TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    20Кешбэк 3 балла
    TF208TH-5-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    20Кешбэк 3 балла
    TF256TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    20Кешбэк 3 балла
    2SK3796-2-TL-EJFET N-CH 10MA 100MW SMCP
    34Кешбэк 5 баллов
    2SK3738-TL-EMOSFET N-CH 40V SC-75
    42Кешбэк 6 баллов
    MMBF5457Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SOT23
    44.5Кешбэк 6 баллов
    2SK771-5-TB-EJFET N-CH 20MA 200MW SCP
    46Кешбэк 6 баллов
    SMMBFJ175LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH 30V SOT23
    56Кешбэк 8 баллов
    SMMBFJ177LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH SOT23
    56Кешбэк 8 баллов
    MMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    57Кешбэк 8 баллов
    J109JFET N-CH 25V 625MW TO92
    66Кешбэк 9 баллов
    2SK715W-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    72Кешбэк 10 баллов
    2SK715U-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    72Кешбэк 10 баллов
    2SK715UJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    72Кешбэк 10 баллов
    J113SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    75Кешбэк 11 баллов
    MMBF4393LT3GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    88Кешбэк 13 баллов
    TF412ST5GТиристор: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
    96Кешбэк 14 баллов
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    96Кешбэк 14 баллов
    MMBFU310LT1GJFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
    102Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторные модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Симисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП