Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
2SK3720-5-TB-E
2SK3720-5-TB-E

2SK3720-5-TB-E

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Sanyo
  • Артикул:
    2SK3720-5-TB-E
  • Описание:
    Транзистор: N-CHANNEL MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена 2SK3720-5-TB-E при покупке от 1010 шт 58.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK3720-5-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2SK3720-5-TB-E

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    100MHz
  • Усиление
    35dB
  • Тестовое напряжение
    10 V
  • Current Rating (Amps)
    30mA
  • Уровень шума
    2dB
  • Нормальное напряжение
    15 V
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-CP
Техническая документация
 2SK3720-5-TB-E.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 12721 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1010
    58 ₽

Минимально и кратно 1010 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Sanyo
  • Артикул:
    2SK3720-5-TB-E
  • Описание:
    Транзистор: N-CHANNEL MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена 2SK3720-5-TB-E при покупке от 1010 шт 58.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK3720-5-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2SK3720-5-TB-E

  • Тип транзистора
    N-Channel
  • Частота
    100MHz
  • Усиление
    35dB
  • Тестовое напряжение
    10 V
  • Current Rating (Amps)
    30mA
  • Уровень шума
    2dB
  • Нормальное напряжение
    15 V
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-CP
Техническая документация
 2SK3720-5-TB-E.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLC8G27LS-210PVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513
    15 669Кешбэк 2 350 баллов
    BLC2425M8LS300PZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501
    21 834Кешбэк 3 275 баллов
    BLF8G27LS-100GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C
    12 593Кешбэк 1 888 баллов
    BLF8G10LS-270,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    15 718Кешбэк 2 357 баллов
    BLS6G2735LS-30,112Транзистор
    30 106Кешбэк 4 515 баллов
    BLF184XRUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A
    42 776Кешбэк 6 416 баллов
    CGHV59350FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440217
    451 080Кешбэк 67 662 балла
    BLD6G21L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
    16 868Кешбэк 2 530 баллов
    BLF7G22LS-130,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    14 776Кешбэк 2 216 баллов
    AFV121KHR5Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    157 272Кешбэк 23 590 баллов
    BG3130RH6327XTSA1Транзистор: RF MOSFET N-CH DUAL 5V SOT363-6
    21.3Кешбэк 3 балла
    BLF884PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B
    35 742Кешбэк 5 361 балл
    PD54008L-EТранзистор: TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
    1 623Кешбэк 243 балла
    BLM7G1822S-40ABYRF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12112
    5 225Кешбэк 783 балла
    CGHV1F006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
    15 047Кешбэк 2 257 баллов
    MRFE6VP61K25HSR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    50 835Кешбэк 7 625 баллов
    NE3510M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 4GHZ M04
    213Кешбэк 31 балл
    BLP25M705ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    3 588Кешбэк 538 баллов
    MRFE6VP5600HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    40 072Кешбэк 6 010 баллов
    BLC8G27LS-100AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
    11 552Кешбэк 1 732 балла
    MRFG35003N6AT1Транзистор: FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
    3 454Кешбэк 518 баллов
    CGHV35400FТранзистор: RF MOSFET HEMT 45V 440210
    240 856Кешбэк 36 128 баллов
    SD2933WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF
    26 326Кешбэк 3 948 баллов
    MMRF1019NR4Транзистор: FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
    14 299Кешбэк 2 144 балла
    MRF8P20165WHSR5Транзистор: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
    23 337Кешбэк 3 500 баллов
    BLM7G1822S-80PBGYRF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122
    13 298Кешбэк 1 994 балла
    BLF10H6600PUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A
    60 574Кешбэк 9 086 баллов
    MRF8P23080HSR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    11 965Кешбэк 1 794 балла
    NE55410GR-T3-AZТранзистор: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
    1 149Кешбэк 172 балла
    BF1201WR,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    54Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Драйверы питания - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП