Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
2SK879-GR(TE85L,F)
  • В избранное
  • В сравнение
2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F)
;
2SK879-GR(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    2SK879-GR(TE85L,F)
  • Описание:
    JFET N-CH 0.1W USMВсе характеристики

Минимальная цена 2SK879-GR(TE85L,F) при покупке от 1 шт 98.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK879-GR(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba JFET N-CH 0.1W USM

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Проводимость: N-канальная
    • Мощность: 0.1 Вт
    • Технология: USM (Unipolar Semiconductor Material)
    • Номинальный напряжение блокировки: до 30 В
  • Плюсы:
    • Высокая частотная характеристика
    • Устойчивость к электрическому шуму
    • Низкий уровень шума
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокие требования к условиям эксплуатации
    • Сложность в изготовлении
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных цепях
    • Амплитудная модуляция
    • Детектирование радиосигналов
    • Цифровые и аналоговые системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK879-GR(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2.6 mA @ 10 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    400 mV @ 100 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8.2pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    USM
  • Base Product Number
    2SK879

Техническая документация

 2SK879-GR(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
  • 10335 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    98 ₽
  • 100
    46 ₽
  • 1000
    33 ₽
  • 6000
    24 ₽
  • 24000
    21 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    2SK879-GR(TE85L,F)
  • Описание:
    JFET N-CH 0.1W USMВсе характеристики

Минимальная цена 2SK879-GR(TE85L,F) при покупке от 1 шт 98.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK879-GR(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba JFET N-CH 0.1W USM

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Проводимость: N-канальная
    • Мощность: 0.1 Вт
    • Технология: USM (Unipolar Semiconductor Material)
    • Номинальный напряжение блокировки: до 30 В
  • Плюсы:
    • Высокая частотная характеристика
    • Устойчивость к электрическому шуму
    • Низкий уровень шума
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокие требования к условиям эксплуатации
    • Сложность в изготовлении
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных цепях
    • Амплитудная модуляция
    • Детектирование радиосигналов
    • Цифровые и аналоговые системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK879-GR(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2.6 mA @ 10 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    400 mV @ 100 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8.2pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    USM
  • Base Product Number
    2SK879

Техническая документация

 2SK879-GR(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSVJ3557SA3T1GJFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
    91Кешбэк 13 баллов
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    91Кешбэк 13 баллов
    MMBFJ175LT3GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    93Кешбэк 13 баллов
    MMBFU310LT1GJFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
    94Кешбэк 14 баллов
    CPH3910-TL-EТиристор: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    105Кешбэк 15 баллов
    2SK932-23-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    111Кешбэк 16 баллов
    2SK2394-6-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    121Кешбэк 18 баллов
    2SK932-22-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    133Кешбэк 19 баллов
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    145Кешбэк 21 балл
    MCH3914-7-TL-HJFET N-CH 50MA 300MW SC70FL/MCPH
    178Кешбэк 26 баллов
    CPH6904-TL-EJFET 2N-CH 0.7W CPH6
    202Кешбэк 30 баллов
    MCH5908H-TL-EJFET 2N-CH 0.3W MCPH5
    202Кешбэк 30 баллов
    2SK880-BL(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    157Кешбэк 23 балла
    2SK880-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    157Кешбэк 23 балла
    PN4117JFET N-CH 40V 0.35W TO92
    695Кешбэк 104 балла
    PN4391SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    795Кешбэк 119 баллов
    P1087JFET P-CH 30V 350MW TO92
    847Кешбэк 127 баллов
    P1086JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    847Кешбэк 127 баллов
    2N4391N CHANNEL J-FET T0-18
    2 701Кешбэк 405 баллов
    2N4392N CHANNEL J-FET T0-18
    2 703Кешбэк 405 баллов
    2N4393N CHANNEL J-FET T0-18
    2 703Кешбэк 405 баллов
    2N5116P-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 785Кешбэк 417 баллов
    2N4858AТиристор: JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
    2 842Кешбэк 426 баллов
    2N4118AMOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF
    4 055Кешбэк 608 баллов
    J111SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    78Кешбэк 11 баллов
    J112Тиристор: JFET N-CH 35V 625MW TO92
    96Кешбэк 14 баллов
    MMBF4093JFET N-CH 40V 350MW SOT23-3
    111Кешбэк 16 баллов
    2N5462JFET P-CH 40V 0.35W TO92
    97Кешбэк 14 баллов
    PN4091SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    35Кешбэк 5 баллов
    MMBF5461SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    36Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП