Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
2SK879-GR(TE85L,F)
  • В избранное
  • В сравнение
2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F)
;
2SK879-GR(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    2SK879-GR(TE85L,F)
  • Описание:
    JFET N-CH 0.1W USMВсе характеристики

Минимальная цена 2SK879-GR(TE85L,F) при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK879-GR(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba JFET N-CH 0.1W USM

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Проводимость: N-канальная
    • Мощность: 0.1 Вт
    • Технология: USM (Unipolar Semiconductor Material)
    • Номинальный напряжение блокировки: до 30 В
  • Плюсы:
    • Высокая частотная характеристика
    • Устойчивость к электрическому шуму
    • Низкий уровень шума
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокие требования к условиям эксплуатации
    • Сложность в изготовлении
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных цепях
    • Амплитудная модуляция
    • Детектирование радиосигналов
    • Цифровые и аналоговые системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK879-GR(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2.6 mA @ 10 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    400 mV @ 100 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8.2pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    USM
  • Base Product Number
    2SK879

Техническая документация

 2SK879-GR(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
  • 15245 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    104 ₽
  • 100
    48.5 ₽
  • 1000
    34.6 ₽
  • 6000
    25.5 ₽
  • 15000
    23.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    2SK879-GR(TE85L,F)
  • Описание:
    JFET N-CH 0.1W USMВсе характеристики

Минимальная цена 2SK879-GR(TE85L,F) при покупке от 1 шт 104.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK879-GR(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba JFET N-CH 0.1W USM

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Проводимость: N-канальная
    • Мощность: 0.1 Вт
    • Технология: USM (Unipolar Semiconductor Material)
    • Номинальный напряжение блокировки: до 30 В
  • Плюсы:
    • Высокая частотная характеристика
    • Устойчивость к электрическому шуму
    • Низкий уровень шума
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокие требования к условиям эксплуатации
    • Сложность в изготовлении
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных цепях
    • Амплитудная модуляция
    • Детектирование радиосигналов
    • Цифровые и аналоговые системы
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Медицинское оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK879-GR(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2.6 mA @ 10 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    400 mV @ 100 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8.2pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    USM
  • Base Product Number
    2SK879

Техническая документация

 2SK879-GR(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    J109JFET N-CH 25V 625MW TO92
    65Кешбэк 9 баллов
    2SK715W-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    69Кешбэк 10 баллов
    2SK715U-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    69Кешбэк 10 баллов
    2SK715UJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    69Кешбэк 10 баллов
    J113SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    73Кешбэк 10 баллов
    MMBF4393LT3GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    85Кешбэк 12 баллов
    TF412ST5GТиристор: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
    92Кешбэк 13 баллов
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    93Кешбэк 13 баллов
    MMBFU310LT1GJFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
    98Кешбэк 14 баллов
    MMBFJ175LT3GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    98Кешбэк 14 баллов
    NSVJ3557SA3T1GJFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
    109Кешбэк 16 баллов
    CPH3910-TL-EТиристор: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    114Кешбэк 17 баллов
    2SK932-23-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    125Кешбэк 18 баллов
    2SK2394-6-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    129Кешбэк 19 баллов
    2SK932-22-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    139Кешбэк 20 баллов
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    151Кешбэк 22 балла
    MCH3914-7-TL-HJFET N-CH 50MA 300MW SC70FL/MCPH
    185Кешбэк 27 баллов
    MCH5908H-TL-EJFET 2N-CH 0.3W MCPH5
    209Кешбэк 31 балл
    CPH6904-TL-EJFET 2N-CH 0.7W CPH6
    210Кешбэк 31 балл
    2SK879-GR(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    104Кешбэк 15 баллов
    2SK208-R(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    127Кешбэк 19 баллов
    2SK880GRTE85LFJFET N-CH 50V 0.1W USM
    142Кешбэк 21 балл
    PN4117JFET N-CH 40V 0.35W TO92
    720Кешбэк 108 баллов
    PN4391SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    826Кешбэк 123 балла
    P1087JFET P-CH 30V 350MW TO92
    880Кешбэк 132 балла
    P1086JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    880Кешбэк 132 балла
    PN4117AJFET N-CH 40V 0.35W TO92
    920Кешбэк 138 баллов
    2N4391N CHANNEL J-FET T0-18
    2 807Кешбэк 421 балл
    2N4392N CHANNEL J-FET T0-18
    2 809Кешбэк 421 балл
    2N4393N CHANNEL J-FET T0-18
    2 809Кешбэк 421 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторные модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Варикапы и Варакторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП