Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
2SK880GRTE85LF
  • В избранное
  • В сравнение
2SK880GRTE85LF

2SK880GRTE85LF

2SK880GRTE85LF
;
2SK880GRTE85LF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    2SK880GRTE85LF
  • Описание:
    JFET N-CH 50V 0.1W USMВсе характеристики

Минимальная цена 2SK880GRTE85LF при покупке от 1 шт 137.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK880GRTE85LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK880GRTE85LF

2SK880GRTE85LF Toshiba JFET N-CH 50V 0.1W USM

  • Основные параметры:
    • N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Номинальное напряжение блокировки: 50В
    • Мощность: 0,1Вт
    • Тип: USM (Ultralow Standby Mode)
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление канала при малых напряжениях
    • Хорошая стабильность параметров при изменении температуры
    • Улучшенная работа в режиме ожидания благодаря USM технологии
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с транзисторами других типов
    • Высокие цены из-за сложности производства
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Работа в режимах управления напряжением и силами тока
    • Применение в устройствах с низкими уровнем потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Электронные часы и цифровые часы
    • Системы контроля энергопотребления
    • Маломощные цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK880GRTE85LF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    50 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2.6 mA @ 10 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1.5 V @ 100 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70
  • Base Product Number
    2SK880

Техническая документация

 2SK880GRTE85LF.pdf
pdf. 0 kb
  • 8535 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    137 ₽
  • 100
    60 ₽
  • 1000
    44 ₽
  • 6000
    33.6 ₽
  • 15000
    30.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    2SK880GRTE85LF
  • Описание:
    JFET N-CH 50V 0.1W USMВсе характеристики

Минимальная цена 2SK880GRTE85LF при покупке от 1 шт 137.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK880GRTE85LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK880GRTE85LF

2SK880GRTE85LF Toshiba JFET N-CH 50V 0.1W USM

  • Основные параметры:
    • N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Номинальное напряжение блокировки: 50В
    • Мощность: 0,1Вт
    • Тип: USM (Ultralow Standby Mode)
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление канала при малых напряжениях
    • Хорошая стабильность параметров при изменении температуры
    • Улучшенная работа в режиме ожидания благодаря USM технологии
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с транзисторами других типов
    • Высокие цены из-за сложности производства
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Работа в режимах управления напряжением и силами тока
    • Применение в устройствах с низкими уровнем потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Электронные часы и цифровые часы
    • Системы контроля энергопотребления
    • Маломощные цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK880GRTE85LF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    50 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2.6 mA @ 10 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1.5 V @ 100 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70
  • Base Product Number
    2SK880

Техническая документация

 2SK880GRTE85LF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    91Кешбэк 13 баллов
    PN4391SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    795Кешбэк 119 баллов
    MMBFJ111Тиристор: JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3
    92Кешбэк 13 баллов
    MMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    53Кешбэк 7 баллов
    MCH3914-7-TL-HJFET N-CH 50MA 300MW SC70FL/MCPH
    178Кешбэк 26 баллов
    MMBFJ270Тиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    111Кешбэк 16 баллов
    MMBFJ176Тиристор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    120Кешбэк 18 баллов
    MMBF5103Тиристор: JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23
    69Кешбэк 10 баллов
    MMBFJ201Тиристор: JFET N-CH 40V 350MW SOT23
    78Кешбэк 11 баллов
    PF53012SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    18.5Кешбэк 2 балла
    MMBFJ110JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT
    120Кешбэк 18 баллов
    MMBFJ202SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    82Кешбэк 12 баллов
    MMBF5461SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    36Кешбэк 5 баллов
    MMBFJ113JFET N-CH 35V 350MW SOT23
    74Кешбэк 11 баллов
    MMBF5457Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    MMBF4392SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    72Кешбэк 10 баллов
    2SK880-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    157Кешбэк 23 балла
    PN4091SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    35Кешбэк 5 баллов
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    145Кешбэк 21 балл
    PN4393 TRAJFET N-CH 40V 0.625W TO92
    428Кешбэк 64 балла
    MMBFJ175LT1GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23-3
    86Кешбэк 12 баллов
    MMBF4117JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
    115Кешбэк 17 баллов
    MMBF4392LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    72Кешбэк 10 баллов
    MMBF4092N-CHANNEL JFET
    54Кешбэк 8 баллов
    JANTX2N4859JFET N-CH 30V 360MW TO-18
    2 798Кешбэк 419 баллов
    PN5434SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    63Кешбэк 9 баллов
    P1086JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    847Кешбэк 127 баллов
    PN4117JFET N-CH 40V 0.35W TO92
    695Кешбэк 104 балла
    2SK879-Y(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    98Кешбэк 14 баллов
    CPH3910-TL-EТиристор: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    105Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП