Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
2SK880GRTE85LF
  • В избранное
  • В сравнение
2SK880GRTE85LF

2SK880GRTE85LF

2SK880GRTE85LF
;
2SK880GRTE85LF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    2SK880GRTE85LF
  • Описание:
    JFET N-CH 50V 0.1W USMВсе характеристики

Минимальная цена 2SK880GRTE85LF при покупке от 1 шт 145.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK880GRTE85LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK880GRTE85LF

2SK880GRTE85LF Toshiba JFET N-CH 50V 0.1W USM

  • Основные параметры:
    • N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Номинальное напряжение блокировки: 50В
    • Мощность: 0,1Вт
    • Тип: USM (Ultralow Standby Mode)
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление канала при малых напряжениях
    • Хорошая стабильность параметров при изменении температуры
    • Улучшенная работа в режиме ожидания благодаря USM технологии
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с транзисторами других типов
    • Высокие цены из-за сложности производства
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Работа в режимах управления напряжением и силами тока
    • Применение в устройствах с низкими уровнем потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Электронные часы и цифровые часы
    • Системы контроля энергопотребления
    • Маломощные цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK880GRTE85LF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    50 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2.6 mA @ 10 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1.5 V @ 100 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70
  • Base Product Number
    2SK880

Техническая документация

 2SK880GRTE85LF.pdf
pdf. 0 kb
  • 8535 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    145 ₽
  • 100
    63 ₽
  • 1000
    46.5 ₽
  • 6000
    35.6 ₽
  • 15000
    32 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba Semiconductor and Storage
  • Артикул:
    2SK880GRTE85LF
  • Описание:
    JFET N-CH 50V 0.1W USMВсе характеристики

Минимальная цена 2SK880GRTE85LF при покупке от 1 шт 145.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK880GRTE85LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK880GRTE85LF

2SK880GRTE85LF Toshiba JFET N-CH 50V 0.1W USM

  • Основные параметры:
    • N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Номинальное напряжение блокировки: 50В
    • Мощность: 0,1Вт
    • Тип: USM (Ultralow Standby Mode)
  • Плюсы:
    • Низкое сопротивление канала при малых напряжениях
    • Хорошая стабильность параметров при изменении температуры
    • Улучшенная работа в режиме ожидания благодаря USM технологии
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с транзисторами других типов
    • Высокие цены из-за сложности производства
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых схемах
    • Работа в режимах управления напряжением и силами тока
    • Применение в устройствах с низкими уровнем потребления энергии
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Электронные часы и цифровые часы
    • Системы контроля энергопотребления
    • Маломощные цифровые устройства
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK880GRTE85LF

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    50 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2.6 mA @ 10 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1.5 V @ 100 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    13pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SC-70
  • Base Product Number
    2SK880

Техническая документация

 2SK880GRTE85LF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK771-5-TB-EJFET N-CH 20MA 200MW SCP
    45Кешбэк 6 баллов
    SMMBFJ175LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH 30V SOT23
    55Кешбэк 8 баллов
    SMMBFJ177LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH SOT23
    55Кешбэк 8 баллов
    MMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    56Кешбэк 8 баллов
    J109JFET N-CH 25V 625MW TO92
    65Кешбэк 9 баллов
    2SK715W-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    71Кешбэк 10 баллов
    2SK715U-ACJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    71Кешбэк 10 баллов
    2SK715UJFET N-CH 50MA 300MW SPA
    71Кешбэк 10 баллов
    J113SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    74Кешбэк 11 баллов
    MMBF4393LT3GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    86Кешбэк 12 баллов
    TF412ST5GТиристор: JFET N-CH 30V 10MA SOT883
    94Кешбэк 14 баллов
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    95Кешбэк 14 баллов
    MMBFU310LT1GJFET N-CH 25V 0.225W SOT23-3
    100Кешбэк 15 баллов
    MMBFJ175LT3GТиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    100Кешбэк 15 баллов
    NSVJ3557SA3T1GJFET N-CH 15V 50MA SC59-3/CP3
    110Кешбэк 16 баллов
    CPH3910-TL-EТиристор: JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
    116Кешбэк 17 баллов
    2SK932-23-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    128Кешбэк 19 баллов
    2SK2394-6-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    132Кешбэк 19 баллов
    2SK932-22-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    142Кешбэк 21 балл
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    154Кешбэк 23 балла
    MCH3914-7-TL-HJFET N-CH 50MA 300MW SC70FL/MCPH
    189Кешбэк 28 баллов
    MCH5908H-TL-EJFET 2N-CH 0.3W MCPH5
    212Кешбэк 31 балл
    CPH6904-TL-EJFET 2N-CH 0.7W CPH6
    214Кешбэк 32 балла
    2SK879-GR(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    106Кешбэк 15 баллов
    2SK208-R(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    130Кешбэк 19 баллов
    2SK880GRTE85LFJFET N-CH 50V 0.1W USM
    145Кешбэк 21 балл
    PN4117JFET N-CH 40V 0.35W TO92
    735Кешбэк 110 баллов
    PN4391SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    843Кешбэк 126 баллов
    P1087JFET P-CH 30V 350MW TO92
    898Кешбэк 134 балла
    P1086JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    898Кешбэк 134 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП