Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
2SK932-23-TB-E
  • В избранное
  • В сравнение
2SK932-23-TB-E

2SK932-23-TB-E

2SK932-23-TB-E
;
2SK932-23-TB-E

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2SK932-23-TB-E
  • Описание:
    JFET N-CH 50MA 200MW 3CPВсе характеристики

Минимальная цена 2SK932-23-TB-E при покупке от 1 шт 111.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK932-23-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK932-23-TB-E

2SK932-23-TB-E на семикремниевых транзисторах JFET N-канального типа:

  • Основные параметры:
    • Размер напряжения ввода: 23 В
    • Потребляемая мощность: 3 Вт
    • Максимальный ток дrain: 50 mA
    • Максимальная мощность: 200 мВ*мА
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Низкий коэффициент температурной компенсации
    • Высокая стабильность параметров при изменении температуры
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Уязвимость к удару электростатического разряда
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Для уменьшения шумов и помех
    • В качестве предварительного усилителя
  • Применение:
    • Мобильные устройства
    • Стационарные радиоприемники
    • Медицинское оборудование
    • Компьютеры и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK932-23-TB-E

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    15 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    10 mA @ 5 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    200 mV @ 100 µA
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SMCP
  • Base Product Number
    2SK932

Техническая документация

 2SK932-23-TB-E.pdf
pdf. 0 kb
  • 28364 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    111 ₽
  • 100
    41.5 ₽
  • 1000
    32 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2SK932-23-TB-E
  • Описание:
    JFET N-CH 50MA 200MW 3CPВсе характеристики

Минимальная цена 2SK932-23-TB-E при покупке от 1 шт 111.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK932-23-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK932-23-TB-E

2SK932-23-TB-E на семикремниевых транзисторах JFET N-канального типа:

  • Основные параметры:
    • Размер напряжения ввода: 23 В
    • Потребляемая мощность: 3 Вт
    • Максимальный ток дrain: 50 mA
    • Максимальная мощность: 200 мВ*мА
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Низкий коэффициент температурной компенсации
    • Высокая стабильность параметров при изменении температуры
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Уязвимость к удару электростатического разряда
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Для уменьшения шумов и помех
    • В качестве предварительного усилителя
  • Применение:
    • Мобильные устройства
    • Стационарные радиоприемники
    • Медицинское оборудование
    • Компьютеры и периферийное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK932-23-TB-E

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    15 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    10 mA @ 5 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    50 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    200 mV @ 100 µA
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SMCP
  • Base Product Number
    2SK932

Техническая документация

 2SK932-23-TB-E.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3320-BL(TE85L,FJFET DUAL N-CH USV
    209Кешбэк 31 балл
    J111,126JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
    76Кешбэк 11 баллов
    PF53012SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    18.5Кешбэк 2 балла
    PN4118SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    22.2Кешбэк 3 балла
    MMBFJ305Транзистор: JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    29.6Кешбэк 4 балла
    PN5434SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    63Кешбэк 9 баллов
    2N5639SMALL SIGNAL FET
    85Кешбэк 12 баллов
    PN4093JFET N-CH 40V 0.625W TO92
    85Кешбэк 12 баллов
    JANTX2N4859JFET N-CH 30V 360MW TO-18
    2 798Кешбэк 419 баллов
    JANTX2N4092UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    21 495Кешбэк 3 224 балла
    JANTX2N4093UBJFET N-CH 40V 0.36W SMD
    22 125Кешбэк 3 318 баллов
    CMPFJ176 TRТиристор: IC JFET P-CH SOT23-3
    193Кешбэк 28 баллов
    CMPFJ175 TRIC JFET P-CH SOT23-3
    265Кешбэк 39 баллов
    PN4393 TRAJFET N-CH 40V 0.625W TO92
    428Кешбэк 64 балла
    IJW120R100T1FKSA1JFET N-CHAN 26A TO247-3
    3 529Кешбэк 529 баллов
    MPF4393JFET N-CH 30V 0.35W TO92
    463Кешбэк 69 баллов
    JANTX2N4857JFET N-CH 40V 360MW TO-18
    4 224Кешбэк 633 балла
    2SK596S-CТиристор: JFET N-CH 0.1W
    13Кешбэк 1 балл
    TF202THC-3-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13Кешбэк 1 балл
    TF252TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13Кешбэк 1 балл
    2SK596S-AТиристор: JFET N-CH 0.1W
    14.8Кешбэк 2 балла
    2SK3666-2-TB-EJFET NCH 30V 200MW 3CP
    15.7Кешбэк 2 балла
    TF208TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    TF208TH-5-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    TF256TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SK3796-2-TL-EJFET N-CH 10MA 100MW SMCP
    31.5Кешбэк 4 балла
    2SK3738-TL-EMOSFET N-CH 40V SC-75
    39Кешбэк 5 баллов
    2SK771-5-TB-EJFET N-CH 20MA 200MW SCP
    43Кешбэк 6 баллов
    MMBF5457Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    SMMBFJ175LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH 30V SOT23
    52Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП