Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
2V7002LT1G
2V7002LT1G

2V7002LT1G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2V7002LT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена 2V7002LT1G при покупке от 1 шт 42.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2V7002LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2V7002LT1G

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    115mA (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    50 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    225mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Техническая документация
 2V7002LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 50593 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    42 ₽
  • 100
    14.8 ₽
  • 1000
    13.4 ₽
  • 6000
    8.1 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    2V7002LT1G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена 2V7002LT1G при покупке от 1 шт 42.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2V7002LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 2V7002LT1G

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    115mA (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    50 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    225mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Техническая документация
 2V7002LT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SIHP12N60E-E3MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
    363Кешбэк 54 балла
    CSD17575Q3MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
    288Кешбэк 43 балла
    MCH6437-TL-WMOSFET N-CH 20V 7A SC88FL/MCPH6
    43.5Кешбэк 6 баллов
    NDBA170N06AT4HMOSFET N-CH 60V 170A D2PAK
    255Кешбэк 38 баллов
    FDU6512AMOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
    180Кешбэк 27 баллов
    STW69N65M5MOSFET N-CH 650V 58A TO247
    2 025Кешбэк 303 балла
    TK65S04N1L,LQMOSFET N-CH 40V 65A DPAK
    517Кешбэк 77 баллов
    STW65N65DM2AGТранзистор: MOSFET N-CH 650V 60A TO247
    2 002Кешбэк 300 баллов
    IRF2907ZPBFMOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
    394Кешбэк 59 баллов
    VP2206N3-GMOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
    486Кешбэк 72 балла
    STL15N60M2-EPMOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
    490Кешбэк 73 балла
    FDMA507PZMOSFET P-CH 20V 7.8A 6MICROFET
    189Кешбэк 28 баллов
    IRF2805SPBFMOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
    314Кешбэк 47 баллов
    FDW262PMOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
    132Кешбэк 19 баллов
    FCD600N60ZMOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
    435Кешбэк 65 баллов
    IRF3805PBFMOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    648Кешбэк 97 баллов
    STF7N60M2MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
    329Кешбэк 49 баллов
    FQP2N60MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220-3
    227Кешбэк 34 балла
    STD3NK80Z-1MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
    343Кешбэк 51 балл
    IRF2807PBFТранзистор: MOSFET N-CH 75V 82A TO220AB
    367Кешбэк 55 баллов
    IRFPG40PBFMOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
    766Кешбэк 114 баллов
    DMN3900UFA-7BMOSFET N-CH 30V 550MA 3DFN
    53Кешбэк 7 баллов
    STP18NM80MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
    1 480Кешбэк 222 балла
    ZVN4206AVSTZТранзистор: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
    217Кешбэк 32 балла
    RJK03M4DPA-00#J5AMOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
    452Кешбэк 67 баллов
    NDD60N550U1-35GMOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
    197Кешбэк 29 баллов
    STF8N80K5MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
    511Кешбэк 76 баллов
    NVTFS4C08NTWGMOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN
    339Кешбэк 50 баллов
    IXTY18P10TMOSFET P-CH 100V 18A TO252
    853Кешбэк 127 баллов
    NTTFS4928NTWGMOSFET N-CH 30V 7.3A/37A 8WDFN
    66Кешбэк 9 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП