Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
3LP01C-TB-E
3LP01C-TB-E

3LP01C-TB-E

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    3LP01C-TB-E
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 100MA 3CPВсе характеристики

Минимальная цена 3LP01C-TB-E при покупке от 2597 шт 23.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 3LP01C-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 3LP01C-TB-E

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.4Ohm @ 50mA, 4V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.43 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7.5 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-59-3/CP3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    3LP01
Техническая документация
 3LP01C-TB-E.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 212421 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 2597
    23 ₽

Минимально и кратно 2597 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    3LP01C-TB-E
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 100MA 3CPВсе характеристики

Минимальная цена 3LP01C-TB-E при покупке от 2597 шт 23.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 3LP01C-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики 3LP01C-TB-E

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    100mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10.4Ohm @ 50mA, 4V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.43 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7.5 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250mW (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-59-3/CP3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    3LP01
Техническая документация
 3LP01C-TB-E.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFR9120MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
    IRFR014TRLPBFMOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    SI2318CDS-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
    FDMS8027SMOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
    PMV20ENRMOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
    SI2301CDS-T1-E3MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
    FDFMA2P853MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
    STD16N60M2MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
    STQ1NC45R-APMOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
    STH240N10F7-6MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
    FDMA86551LMOSFET N-CH 60V 7.5A 6MICROFET
    AO4354MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC
    FDS4465MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
    FDS6692AMOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
    IPP60R165CPXKSA1MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3
    CSD19534Q5ATТранзистор: MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
    FCPF400N60MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
    FDMT800100DCТранзистор: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
    FQD3N40TMMOSFET N-CH 400V 2A DPAK
    IXFK170N20TMOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
    NTB6412ANT4GMOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
    FDI150N10MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
    FDPF8N50NZMOSFET N-CH 500V 8A TO220F
    2SK4065-DL-1E
    STL42P4LLF6MOSFET P-CH 40V 42A POWERFLAT
    SI7615ADN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
    HUF75339G3MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
    BSS138WH6327XTSA1MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
    5LN01C-TB-EMOSFET N-CH 50V 100MA 3CP
    SI1424EDH-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП