Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
55GN01CA-TB-E
  • В избранное
  • В сравнение
55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E
;
55GN01CA-TB-E

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    55GN01CA-TB-E
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CPВсе характеристики

Минимальная цена 55GN01CA-TB-E при покупке от 1 шт 76.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 55GN01CA-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E onsemi Транзистор: RF TRANS NPN 10В 4,5ГГц 3CP

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Напряжение блокировки обратного тока: 10В
    • Частота работы: до 4,5 ГГц
    • Количество каналов: 3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Многофункциональность благодаря количеству каналов
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
    • Требует более сложной конструкции для использования
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных (RF) устройствах
    • Работа в системах связи высокой частоты
    • Управление током в радиоэлектронных устройствах
  • Применение:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Локаторы
    • Беспроводные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики 55GN01CA-TB-E

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    10V
  • Трансформация частоты
    4.5GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.9dB @ 1GHz
  • Усиление
    9.5dB
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    70mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-CP
  • Base Product Number
    55GN01

Техническая документация

 55GN01CA-TB-E.pdf
pdf. 0 kb
  • 8242 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    76 ₽
  • 100
    29 ₽
  • 1000
    19.3 ₽
  • 6000
    14.7 ₽
  • 15000
    13 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    55GN01CA-TB-E
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CPВсе характеристики

Минимальная цена 55GN01CA-TB-E при покупке от 1 шт 76.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 55GN01CA-TB-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E onsemi Транзистор: RF TRANS NPN 10В 4,5ГГц 3CP

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Напряжение блокировки обратного тока: 10В
    • Частота работы: до 4,5 ГГц
    • Количество каналов: 3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Многофункциональность благодаря количеству каналов
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
    • Требует более сложной конструкции для использования
  • Общее назначение:
    • Использование в радиочастотных (RF) устройствах
    • Работа в системах связи высокой частоты
    • Управление током в радиоэлектронных устройствах
  • Применение:
    • Радиоприемники
    • Мобильные телефоны
    • Локаторы
    • Беспроводные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики 55GN01CA-TB-E

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    10V
  • Трансформация частоты
    4.5GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.9dB @ 1GHz
  • Усиление
    9.5dB
  • Рассеивание мощности
    200mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 5V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    70mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    3-CP
  • Base Product Number
    55GN01

Техническая документация

 55GN01CA-TB-E.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBTH10Транзистор: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
    9.3Кешбэк 1 балл
    PN3563Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    13Кешбэк 1 балл
    MPSH11Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    14.8Кешбэк 2 балла
    MMBTH10RGТранзистор: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
    18.5Кешбэк 2 балла
    MPSH17Транзистор: TRANS NPN 15V TO-92
    18.5Кешбэк 2 балла
    MPSH10Транзистор: RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
    28Кешбэк 4 балла
    NE68730-T1Транзистор
    113Кешбэк 16 баллов
    NE85619-T1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
    133Кешбэк 19 баллов
    NE68119-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523
    148Кешбэк 22 балла
    NE85619-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
    148Кешбэк 22 балла
    NE68819-T1-AТранзистор: TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD
    148Кешбэк 22 балла
    NE68519-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523
    148Кешбэк 22 балла
    NE85630-T1-R24-AТранзистор: RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
    333Кешбэк 49 баллов
    NE85633-T1B-R25-AТранзистор: SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
    333Кешбэк 49 баллов
    NE85633-T1B-AТранзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23
    333Кешбэк 49 баллов
    NE662M04-T2-AТранзистор: RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68133-T1B-R34-AТранзистор
    371Кешбэк 55 баллов
    NE85634-T1-RE-AТранзистор
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68139-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68030-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68033-T1B-AТранзистор
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68018-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68518-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343
    371Кешбэк 55 баллов
    NE68118-T1-AТранзистор: RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343
    371Кешбэк 55 баллов
    NE66219-T1-AТранзистор
    445Кешбэк 66 баллов
    NE663M04-T2-AТранзистор: RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343F
    445Кешбэк 66 баллов
    MRF314Транзистор: RF TRANS NPN 35V 211-07
    10 595Кешбэк 1 589 баллов
    MRF454Транзистор: RF TRANS NPN 18V 211-11
    15 171Кешбэк 2 275 баллов
    MRF455Транзистор: RF TRANS NPN 18V 211-07
    15 598Кешбэк 2 339 баллов
    MRF422Транзистор: RF TRANS NPN 35V 211-11
    25 719Кешбэк 3 857 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП