Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
A2T21H360-24SR6
  • В избранное
  • В сравнение
A2T21H360-24SR6

A2T21H360-24SR6

A2T21H360-24SR6
;
A2T21H360-24SR6

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    A2T21H360-24SR6
  • Описание:
    Транзистор: IC TRANS RF LDMOSВсе характеристики

Минимальная цена A2T21H360-24SR6 при покупке от 1 шт 40427.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить A2T21H360-24SR6 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание A2T21H360-24SR6

A2T21H360-24SR6 — это транзистор, предназначенный для радиосвязи (IC TRANS RF LDMOS), произведенный компанией NXP USA Inc.

  • Основные параметры:
    • Мощность: 360 Ватт
    • Ток: 24 Ампера
    • Номинальное напряжение: 210 Вольт
    • Тип: LDMOS (Люминесцентный диод мозаики)
  • Плюсы:
    • Высокая мощность: способен передавать значительные сигналы.
    • Высокая эффективность: обеспечивает хорошую производительность при работе с высокими частотами.
    • Устойчивость к износу: прочная конструкция, способная выдерживать длительную работу.
  • Минусы:
    • Цена: относительно высокая по сравнению с другими типами транзисторов.
    • Тепловыделение: при работе может выделять значительное количество тепла, требует эффективного охлаждения.

Общее назначение: используется в различных радиоэлектронных устройствах, где требуется передача мощных сигналов на большие расстояния, такие как базовые станции сотовой связи, телевизионные трансляционные станции, спутниковые системы.

Применяется в:

  • Базовых станциях мобильной связи
  • Телевизионных трансляционных станциях
  • Спутниковых системах
  • Радарных установках
  • Других устройствах, требующих мощной радиосвязи

Выбрано: Показать

Характеристики A2T21H360-24SR6

  • Package
    Bulk

Техническая документация

 A2T21H360-24SR6.pdf
pdf. 0 kb
  • 3685 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    40 427 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    A2T21H360-24SR6
  • Описание:
    Транзистор: IC TRANS RF LDMOSВсе характеристики

Минимальная цена A2T21H360-24SR6 при покупке от 1 шт 40427.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить A2T21H360-24SR6 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание A2T21H360-24SR6

A2T21H360-24SR6 — это транзистор, предназначенный для радиосвязи (IC TRANS RF LDMOS), произведенный компанией NXP USA Inc.

  • Основные параметры:
    • Мощность: 360 Ватт
    • Ток: 24 Ампера
    • Номинальное напряжение: 210 Вольт
    • Тип: LDMOS (Люминесцентный диод мозаики)
  • Плюсы:
    • Высокая мощность: способен передавать значительные сигналы.
    • Высокая эффективность: обеспечивает хорошую производительность при работе с высокими частотами.
    • Устойчивость к износу: прочная конструкция, способная выдерживать длительную работу.
  • Минусы:
    • Цена: относительно высокая по сравнению с другими типами транзисторов.
    • Тепловыделение: при работе может выделять значительное количество тепла, требует эффективного охлаждения.

Общее назначение: используется в различных радиоэлектронных устройствах, где требуется передача мощных сигналов на большие расстояния, такие как базовые станции сотовой связи, телевизионные трансляционные станции, спутниковые системы.

Применяется в:

  • Базовых станциях мобильной связи
  • Телевизионных трансляционных станциях
  • Спутниковых системах
  • Радарных установках
  • Других устройствах, требующих мощной радиосвязи

Выбрано: Показать

Характеристики A2T21H360-24SR6

  • Package
    Bulk

Техническая документация

 A2T21H360-24SR6.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AFT18S230SR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V NI-780S-6
    31 673Кешбэк 4 750 баллов
    MRFE6VP6600NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V OM780-4
    32 105Кешбэк 4 815 баллов
    A2T21H360-24SR6Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    40 427Кешбэк 6 064 балла
    MRFE6VP5600HSR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230S
    45 563Кешбэк 6 834 балла
    AFT18P350-4S2LR6Транзистор: FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230
    51 562Кешбэк 7 734 балла
    CLF1G0035-100PUТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V LDMOST
    54 987Кешбэк 8 248 баллов
    BLL6H1214L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A
    59 274Кешбэк 8 891 балл
    MRFE6VP5600HR6Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    60 310Кешбэк 9 046 баллов
    MRF6VP2600HR5Транзистор: FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
    66 001Кешбэк 9 900 баллов
    MRFE6VP61K25HSR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    66 737Кешбэк 10 010 баллов
    MRFE6VP61K25HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    72 752Кешбэк 10 912 баллов
    BLF988S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    81 052Кешбэк 12 157 баллов
    MRFE6VP6300HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI780-4
    98 640Кешбэк 14 796 баллов
    MRFE6VP5600HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    155 981Кешбэк 23 397 баллов
    MRF6V12500HR5Транзистор: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H
    175 238Кешбэк 26 285 баллов
    AFV121KHR5Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    239 492Кешбэк 35 923 балла
    2SK3720-5-TB-EТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    56Кешбэк 8 баллов
    MRFE6VP5150NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270
    9 574Кешбэк 1 436 баллов
    NE3512S02-T1C-AТранзистор: HJ-FET NCH 13.5DB S02
    178Кешбэк 26 баллов
    NE3510M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 4GHZ M04
    204Кешбэк 30 баллов
    NE3503M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 12GHZ M04
    224Кешбэк 33 балла
    NE55410GR-T3-AZТранзистор: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
    1 099Кешбэк 164 балла
    CGHV1F006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
    14 390Кешбэк 2 158 баллов
    CGH40010FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    17 841Кешбэк 2 676 баллов
    CGH40010PRF MOSFET HEMT 28V 440196
    22 704Кешбэк 3 405 баллов
    CGH40035FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    55 982Кешбэк 8 397 баллов
    CGHV40050FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    64 838Кешбэк 9 725 баллов
    CGHV40100FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    68 595Кешбэк 10 289 баллов
    CGHV35150FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    97 456Кешбэк 14 618 баллов
    CGH40120FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    109 305Кешбэк 16 395 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП