Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
A3G26D055N-2110
  • В избранное
  • В сравнение
A3G26D055N-2110

A3G26D055N-2110

A3G26D055N-2110
;
A3G26D055N-2110

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    A3G26D055N-2110
  • Описание:
    Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22Все характеристики

Минимальная цена A3G26D055N-2110 при покупке от 1 шт 128089.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить A3G26D055N-2110 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание A3G26D055N-2110

A3G26D055N-2110 NXP USA Inc. Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22

  • Основные параметры:
    • Мощность: 25 Ватт
    • Тип: RF Reference Circuit
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Номер серии: A3G26D055N-2110
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Стабильность характеристик при изменении температуры
    • Устойчивость к воздействию внешних помех
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Требует точной настройки и установки
  • Общее назначение:
    • Создание стабильного источникаReference Signals для радиочастотных устройств
    • Поддержка высокочастотных сигнальных цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции
    • Беспроводные устройства
    • Системы спутниковой связи
    • Мобильные телефоны
    • Другие радиочастотные системы
Выбрано: Показать

Характеристики A3G26D055N-2110

  • Тип транзистора
    GaN
  • Частота
    100MHz ~ 2.69GHz
  • Усиление
    13.9dB
  • Тестовое напряжение
    48 V
  • Тестовый ток
    40 mA
  • Мощность передачи
    8W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    6-LDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    6-PDFN (7x6.5)

Техническая документация

 A3G26D055N-2110.pdf
pdf. 0 kb
  • 2 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    128 089 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    A3G26D055N-2110
  • Описание:
    Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22Все характеристики

Минимальная цена A3G26D055N-2110 при покупке от 1 шт 128089.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить A3G26D055N-2110 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание A3G26D055N-2110

A3G26D055N-2110 NXP USA Inc. Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22

  • Основные параметры:
    • Мощность: 25 Ватт
    • Тип: RF Reference Circuit
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Номер серии: A3G26D055N-2110
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Стабильность характеристик при изменении температуры
    • Устойчивость к воздействию внешних помех
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее дорогими аналогами
    • Требует точной настройки и установки
  • Общее назначение:
    • Создание стабильного источникаReference Signals для радиочастотных устройств
    • Поддержка высокочастотных сигнальных цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиостанции
    • Беспроводные устройства
    • Системы спутниковой связи
    • Мобильные телефоны
    • Другие радиочастотные системы
Выбрано: Показать

Характеристики A3G26D055N-2110

  • Тип транзистора
    GaN
  • Частота
    100MHz ~ 2.69GHz
  • Усиление
    13.9dB
  • Тестовое напряжение
    48 V
  • Тестовый ток
    40 mA
  • Мощность передачи
    8W
  • Нормальное напряжение
    125 V
  • Корпус
    6-LDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    6-PDFN (7x6.5)

Техническая документация

 A3G26D055N-2110.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    A3G26D055N-2110Транзистор: RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22
    128 089Кешбэк 19 213 баллов
    AFV10700HSR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI780S-4L
    133 366Кешбэк 20 004 балла
    TA9110KPA RF GAN PWR 6W .03-4GHZ 32V
    5 076Кешбэк 761 балл
    WP48007025Транзистор: RF GaN HEMT 48V DIE DC~7GHZ, 25W
    15 992Кешбэк 2 398 баллов
    WP4806025UHТранзистор: RF GaN HEMT 48V DC ~ 6GHZ, 25W
    25 881Кешбэк 3 882 балла
    SP6122ACUМикросхема: LOW VOLTAGE PFET BUCK CONTROLLER
    93Кешбэк 13 баллов
    2SK1482-T-AZSMALL SIGNAL FET
    114Кешбэк 17 баллов
    MRF300ANТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V TO247
    16 268Кешбэк 2 440 баллов
    2SK2552-T1-ASMALL SIGNAL FET
    42Кешбэк 6 баллов
    2SK3718-T1-AТранзистор: N-CHANNEL J-FET
    45.5Кешбэк 6 баллов
    2SK3749(91)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    51Кешбэк 7 баллов
    UPA608T(0)-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    51Кешбэк 7 баллов
    UPA608T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    51Кешбэк 7 баллов
    2SK238-T1B-AТранзистор: RF SMALL SIGNAL FET
    66Кешбэк 9 баллов
    2SK3105-T1B-ASMALL SIGNAL FET
    139Кешбэк 20 баллов
    NE3512S02-T1D-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    182Кешбэк 27 баллов
    NE3503M04-T2B-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    230Кешбэк 34 балла
    2SK3113-Z-E1-AZSMALL SIGNAL FET
    330Кешбэк 49 баллов
    MWT-PH33FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    3 289Кешбэк 493 балла
    MWT-5FТранзистор: GAAS MESFET
    13 247Кешбэк 1 987 баллов
    CGH60008D-GP4Транзистор: RF MOSFET HEMT 28V DIE
    6 440Кешбэк 966 баллов
    CGH27030SТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 12DFN
    17 486Кешбэк 2 622 балла
    GTVA262711FA-V2-R0Транзистор: GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ
    26 200Кешбэк 3 930 баллов
    CG2H80015D-GP4Транзистор: RF DISCRETE
    26 618Кешбэк 3 992 балла
    CGH60030D-GP4RF MOSFET HEMT 28V DIE
    38 318Кешбэк 5 747 баллов
    GTRA362002FC-V1-R0Транзистор: 200W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    40 262Кешбэк 6 039 баллов
    GTRA362802FC-V1-R0Транзистор: 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    46 457Кешбэк 6 968 баллов
    GTRA364002FC-V1-R0Транзистор: 400W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    52 773Кешбэк 7 915 баллов
    GTRA384802FC-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ
    55 748Кешбэк 8 362 балла
    CGH27060FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    63 420Кешбэк 9 513 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - SCR
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули триодных тиристоров
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП