Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
AFT05MS004NT1
  • В избранное
  • В сравнение
AFT05MS004NT1

AFT05MS004NT1

AFT05MS004NT1
;
AFT05MS004NT1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    AFT05MS004NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLDВсе характеристики

Минимальная цена AFT05MS004NT1 при покупке от 1 шт 719.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFT05MS004NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFT05MS004NT1

AFT05MS004NT1 NXP USA Inc. Транзистор: FET RF 30В 520МГц PLD

  • Основные параметры:
    • Тип: полупроводниковый транзистор FET (полевые эффектные транзисторы)
    • Рабочая частота: до 520 МГц
    • Рабочее напряжение: до 30 В
    • Технология: PLD (Planar Diffused)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы
    • Устойчивость к электромагнитным помехам
    • Экономичное потребление энергии
    • Малый размер и легкость интеграции в дизайн
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше, чем у традиционных транзисторов
    • Требуют более сложного проектирования и производства
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Для работы с радиочастотными сигналами
    • В системах связи
    • В мобильных устройствах
  • Применение:
    • Радиостанции
    • Мобильные телефоны
    • GPS-приемники
    • Беспроводные устройства
    • Инфраструктура беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики AFT05MS004NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    520MHz
  • Усиление
    20.9dB
  • Тестовое напряжение
    7.5 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    4.9W
  • Нормальное напряжение
    30 V
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-89A
  • Base Product Number
    AFT05

Техническая документация

 AFT05MS004NT1.pdf
pdf. 0 kb
  • 8690 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    719 ₽
  • 10
    498 ₽
  • 100
    426 ₽
  • 500
    411 ₽
  • 1000
    372 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    AFT05MS004NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLDВсе характеристики

Минимальная цена AFT05MS004NT1 при покупке от 1 шт 719.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFT05MS004NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFT05MS004NT1

AFT05MS004NT1 NXP USA Inc. Транзистор: FET RF 30В 520МГц PLD

  • Основные параметры:
    • Тип: полупроводниковый транзистор FET (полевые эффектные транзисторы)
    • Рабочая частота: до 520 МГц
    • Рабочее напряжение: до 30 В
    • Технология: PLD (Planar Diffused)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы
    • Устойчивость к электромагнитным помехам
    • Экономичное потребление энергии
    • Малый размер и легкость интеграции в дизайн
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше, чем у традиционных транзисторов
    • Требуют более сложного проектирования и производства
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Для работы с радиочастотными сигналами
    • В системах связи
    • В мобильных устройствах
  • Применение:
    • Радиостанции
    • Мобильные телефоны
    • GPS-приемники
    • Беспроводные устройства
    • Инфраструктура беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики AFT05MS004NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    520MHz
  • Усиление
    20.9dB
  • Тестовое напряжение
    7.5 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    4.9W
  • Нормальное напряжение
    30 V
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-89A
  • Base Product Number
    AFT05

Техническая документация

 AFT05MS004NT1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SMMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    BF256BТранзистор: JFET N-CH 30V 13MA TO92
    51Кешбэк 7 баллов
    2SK3557-7-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    102Кешбэк 15 баллов
    3SK264-5-TG-EТранзистор: 3SK264 - N-CHANNNEL DUAL GATE MO
    31.5Кешбэк 4 балла
    MMBF5486Транзистор: JFET N-CH 25V 20MA SOT23
    65Кешбэк 9 баллов
    MMBF5485Транзистор: JFET N-CH 25V 10MA SOT23
    28Кешбэк 4 балла
    MMBF4416Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 15V SOT23-3
    28Кешбэк 4 балла
    MMBF4416AТранзистор: JFET N-CH 35V 15MA SOT23
    23.5Кешбэк 3 балла
    MMBF5484Транзистор: RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
    28Кешбэк 4 балла
    BLP10H610ZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 572Кешбэк 685 баллов
    BLP7G22-05ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN
    1 201Кешбэк 180 баллов
    BLC9G20LS-361AVTYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583
    14 729Кешбэк 2 209 баллов
    BLP10H610AZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 572Кешбэк 685 баллов
    BLF8G10LS-160,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502B
    13 969Кешбэк 2 095 баллов
    BLP35M805ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB 16VDFN
    2 990Кешбэк 448 баллов
    BLC8G27LS-100AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
    13 080Кешбэк 1 962 балла
    BLF8G22LS-270JТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    17 580Кешбэк 2 637 баллов
    BLF8G27LS-150VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B
    15 068Кешбэк 2 260 баллов
    BLF7G10LS-250,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
    19 522Кешбэк 2 928 баллов
    BLF7G20LS-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B
    15 060Кешбэк 2 259 баллов
    BLC9G20LS-361AVTZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.7DB SOT12583
    12 843Кешбэк 1 926 баллов
    BLF878,112Транзистор: RF FET LDMOS 89V 21DB SOT979A
    42 122Кешбэк 6 318 баллов
    BLF8G10LS-300PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B
    19 894Кешбэк 2 984 балла
    BLF8G09LS-400PWJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242B
    16 865Кешбэк 2 529 баллов
    BLF7G24LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    14 467Кешбэк 2 170 баллов
    BLF8G24LS-150VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B
    14 453Кешбэк 2 167 баллов
    BLF888DURF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    60 979Кешбэк 9 146 баллов
    BLF6G38-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    6 827Кешбэк 1 024 балла
    BLF184XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214B
    44 445Кешбэк 6 666 баллов
    BLS6G2735L-30,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A
    44 193Кешбэк 6 628 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП