Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
AFT05MS004NT1
  • В избранное
  • В сравнение
AFT05MS004NT1

AFT05MS004NT1

AFT05MS004NT1
;
AFT05MS004NT1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFT05MS004NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLDВсе характеристики

Минимальная цена AFT05MS004NT1 при покупке от 1 шт 782.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFT05MS004NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFT05MS004NT1

AFT05MS004NT1 NXP USA Inc. Транзистор: FET RF 30В 520МГц PLD

  • Основные параметры:
    • Тип: полупроводниковый транзистор FET (полевые эффектные транзисторы)
    • Рабочая частота: до 520 МГц
    • Рабочее напряжение: до 30 В
    • Технология: PLD (Planar Diffused)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы
    • Устойчивость к электромагнитным помехам
    • Экономичное потребление энергии
    • Малый размер и легкость интеграции в дизайн
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше, чем у традиционных транзисторов
    • Требуют более сложного проектирования и производства
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Для работы с радиочастотными сигналами
    • В системах связи
    • В мобильных устройствах
  • Применение:
    • Радиостанции
    • Мобильные телефоны
    • GPS-приемники
    • Беспроводные устройства
    • Инфраструктура беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики AFT05MS004NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    520MHz
  • Усиление
    20.9dB
  • Тестовое напряжение
    7.5 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    4.9W
  • Нормальное напряжение
    30 V
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-89A
  • Base Product Number
    AFT05

Техническая документация

 AFT05MS004NT1.pdf
pdf. 0 kb
  • 4520 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    782 ₽
  • 10
    588 ₽
  • 25
    540 ₽
  • 100
    487 ₽
  • 250
    462 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFT05MS004NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLDВсе характеристики

Минимальная цена AFT05MS004NT1 при покупке от 1 шт 782.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFT05MS004NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFT05MS004NT1

AFT05MS004NT1 NXP USA Inc. Транзистор: FET RF 30В 520МГц PLD

  • Основные параметры:
    • Тип: полупроводниковый транзистор FET (полевые эффектные транзисторы)
    • Рабочая частота: до 520 МГц
    • Рабочее напряжение: до 30 В
    • Технология: PLD (Planar Diffused)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость работы
    • Устойчивость к электромагнитным помехам
    • Экономичное потребление энергии
    • Малый размер и легкость интеграции в дизайн
  • Минусы:
    • Стоимость может быть выше, чем у традиционных транзисторов
    • Требуют более сложного проектирования и производства
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Для работы с радиочастотными сигналами
    • В системах связи
    • В мобильных устройствах
  • Применение:
    • Радиостанции
    • Мобильные телефоны
    • GPS-приемники
    • Беспроводные устройства
    • Инфраструктура беспроводной связи
Выбрано: Показать

Характеристики AFT05MS004NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    520MHz
  • Усиление
    20.9dB
  • Тестовое напряжение
    7.5 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    4.9W
  • Нормальное напряжение
    30 V
  • Корпус
    TO-243AA
  • Исполнение корпуса
    SOT-89A
  • Base Product Number
    AFT05

Техническая документация

 AFT05MS004NT1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF888DSUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
    51 418Кешбэк 7 712 баллов
    BLF188XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C
    52 140Кешбэк 7 821 балл
    BLF6G13LS-250PGJТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E
    58 859Кешбэк 8 828 баллов
    BLF888AS,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B
    59 093Кешбэк 8 863 балла
    BLS6G2731-120,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A
    59 982Кешбэк 8 997 баллов
    BLF888,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 19DB SOT979A
    60 190Кешбэк 9 028 баллов
    BLF10H6600PUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A
    62 378Кешбэк 9 356 баллов
    BLL6H1214LS-250,11Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B
    63 577Кешбэк 9 536 баллов
    BLF888DURF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    65 664Кешбэк 9 849 баллов
    BLF178XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    67 446Кешбэк 10 116 баллов
    BLL8H0514-25UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C
    68 276Кешбэк 10 241 балл
    BLA6G1011-200R,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
    73 229Кешбэк 10 984 балла
    BLF1721M8LS200UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    74 859Кешбэк 11 228 баллов
    BLF578,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A
    86 007Кешбэк 12 901 балл
    BLA8G1011L-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
    98 143Кешбэк 14 721 балл
    BLA8G1011LS-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
    98 143Кешбэк 14 721 балл
    BLA6H1011-600,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
    130 794Кешбэк 19 619 баллов
    BLA6H0912-500,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
    172 735Кешбэк 25 910 баллов
    BLS7G3135L-350P,11Транзистор
    176 747Кешбэк 26 512 баллов
    BLS7G3135LS-350P,1Транзистор: RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B
    176 747Кешбэк 26 512 баллов
    BLA6H0912L-1000UТранзистор
    186 108Кешбэк 27 916 баллов
    BLA6H0912LS-1000UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
    237 677Кешбэк 35 651 балл
    AFT05MS004NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    782Кешбэк 117 баллов
    AFT05MS006NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    1 325Кешбэк 198 баллов
    MHT1008NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS PLD1.5W
    2 943Кешбэк 441 балл
    AFT09MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
    3 900Кешбэк 585 баллов
    AFT05MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
    4 343Кешбэк 651 балл
    MRFG35003N6AT1Транзистор: FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
    4 533Кешбэк 679 баллов
    MW6S004NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    5 021Кешбэк 753 балла
    AFT09MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
    5 720Кешбэк 858 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторные модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Модули триодных тиристоров
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП