Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
AFT05MS006NT1
  • В избранное
  • В сравнение
AFT05MS006NT1

AFT05MS006NT1

AFT05MS006NT1
;
AFT05MS006NT1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFT05MS006NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLDВсе характеристики

Минимальная цена AFT05MS006NT1 при покупке от 1 шт 1230.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFT05MS006NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFT05MS006NT1

AFT05MS006NT1 от NXP Semiconductors — это транзистор FET RF с характеристиками:

  • Номинальное напряжение питания: 30В
  • Частота работы: 520 МГц
  • Тип: RF (радиочастотный)
  • Форм-фактор: PLD (плоский ламинированный диполь)

Плюсы:

  • Высокая надежность при работе на высоких частотах.
  • Устойчивость к помехам.
  • Малый размер и тонкая конструкция.

Минусы:

  • Высокие требования к условиям установки и охлаждению.
  • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов.

Общее назначение:

  • Используется для усиления радиочастотных сигналов.
  • Подходит для различных приложений, требующих высокой чувствительности и стабильности.

Применяется в:

  • Радиоуправляемых системах.
  • Системах спутниковой связи.
  • Мобильных телефонах.
  • Беспроводных сетях.
Выбрано: Показать

Характеристики AFT05MS006NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    520MHz
  • Усиление
    18.3dB
  • Тестовое напряжение
    7.5 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    6W
  • Нормальное напряжение
    30 V
  • Корпус
    PLD-1.5W
  • Исполнение корпуса
    PLD-1.5W
  • Base Product Number
    AFT05

Техническая документация

 AFT05MS006NT1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1068 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 230 ₽
  • 10
    946 ₽
  • 25
    875 ₽
  • 100
    797 ₽
  • 250
    760 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFT05MS006NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLDВсе характеристики

Минимальная цена AFT05MS006NT1 при покупке от 1 шт 1230.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFT05MS006NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFT05MS006NT1

AFT05MS006NT1 от NXP Semiconductors — это транзистор FET RF с характеристиками:

  • Номинальное напряжение питания: 30В
  • Частота работы: 520 МГц
  • Тип: RF (радиочастотный)
  • Форм-фактор: PLD (плоский ламинированный диполь)

Плюсы:

  • Высокая надежность при работе на высоких частотах.
  • Устойчивость к помехам.
  • Малый размер и тонкая конструкция.

Минусы:

  • Высокие требования к условиям установки и охлаждению.
  • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов.

Общее назначение:

  • Используется для усиления радиочастотных сигналов.
  • Подходит для различных приложений, требующих высокой чувствительности и стабильности.

Применяется в:

  • Радиоуправляемых системах.
  • Системах спутниковой связи.
  • Мобильных телефонах.
  • Беспроводных сетях.
Выбрано: Показать

Характеристики AFT05MS006NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    520MHz
  • Усиление
    18.3dB
  • Тестовое напряжение
    7.5 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    6W
  • Нормальное напряжение
    30 V
  • Корпус
    PLD-1.5W
  • Исполнение корпуса
    PLD-1.5W
  • Base Product Number
    AFT05

Техническая документация

 AFT05MS006NT1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRF8S9120NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2
    16 746Кешбэк 2 511 баллов
    BLF6G21-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A
    7 292Кешбэк 1 093 балла
    MRF8P20165WHSR5Транзистор: FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4
    22 317Кешбэк 3 347 баллов
    MRF6S27085HR5Транзистор: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    16 607Кешбэк 2 491 балл
    BF861C,215Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET TO236AB
    185Кешбэк 27 баллов
    MRF6P23190HR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    31 293Кешбэк 4 693 балла
    STAC2943Транзистор
    15 920Кешбэк 2 388 баллов
    ARF460AGТранзистор: FET RF N-CH 500V 14A TO247
    10 497Кешбэк 1 574 балла
    BLF6G22LS-40P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121B
    11 718Кешбэк 1 757 баллов
    SD2932BWТранзистор: IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244
    39 606Кешбэк 5 940 баллов
    BLF7G27L-150P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A
    25 383Кешбэк 3 807 баллов
    BLF6G38-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502A
    26 213Кешбэк 3 931 балл
    SD2941-10WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174
    15 922Кешбэк 2 388 баллов
    BLF8G22LS-270UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B
    17 580Кешбэк 2 637 баллов
    BLD6G22LS-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B
    20 539Кешбэк 3 080 баллов
    BLF8G10LS-270,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    15 031Кешбэк 2 254 балла
    CMPA1D1E025FIC AMP 13.75GHZ-14.5GHZ 440208
    168 828Кешбэк 25 324 балла
    BLF7G20LS-140P,112RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    18 254Кешбэк 2 738 баллов
    MRFE6VP61K25HSR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    66 737Кешбэк 10 010 баллов
    MRF140Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    28 355Кешбэк 4 253 балла
    BLF8G09LS-400PGWQТранзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V CDFM8
    16 865Кешбэк 2 529 баллов
    ARF465BGТранзистор: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247
    11 453Кешбэк 1 717 баллов
    VRF151GТранзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208
    32 344Кешбэк 4 851 балл
    BLF182XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
    22 514Кешбэк 3 377 баллов
    ARF465AGТранзистор: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247
    11 453Кешбэк 1 717 баллов
    CLF1G0035-100PUТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V LDMOST
    54 987Кешбэк 8 248 баллов
    LET9060SТранзистор
    8 822Кешбэк 1 323 балла
    MRF141GТранзистор: FET RF 2CH 65V 175MHZ 375-04
    64 812Кешбэк 9 721 балл
    BLF6G10LS-135R,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B
    20 044Кешбэк 3 006 баллов
    BLC8G27LS-140AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751
    11 238Кешбэк 1 685 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП