Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
AFT05MS006NT1
  • В избранное
  • В сравнение
AFT05MS006NT1

AFT05MS006NT1

AFT05MS006NT1
;
AFT05MS006NT1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFT05MS006NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLDВсе характеристики

Минимальная цена AFT05MS006NT1 при покупке от 1 шт 1325.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFT05MS006NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFT05MS006NT1

AFT05MS006NT1 от NXP Semiconductors — это транзистор FET RF с характеристиками:

  • Номинальное напряжение питания: 30В
  • Частота работы: 520 МГц
  • Тип: RF (радиочастотный)
  • Форм-фактор: PLD (плоский ламинированный диполь)

Плюсы:

  • Высокая надежность при работе на высоких частотах.
  • Устойчивость к помехам.
  • Малый размер и тонкая конструкция.

Минусы:

  • Высокие требования к условиям установки и охлаждению.
  • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов.

Общее назначение:

  • Используется для усиления радиочастотных сигналов.
  • Подходит для различных приложений, требующих высокой чувствительности и стабильности.

Применяется в:

  • Радиоуправляемых системах.
  • Системах спутниковой связи.
  • Мобильных телефонах.
  • Беспроводных сетях.
Выбрано: Показать

Характеристики AFT05MS006NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    520MHz
  • Усиление
    18.3dB
  • Тестовое напряжение
    7.5 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    6W
  • Нормальное напряжение
    30 V
  • Корпус
    PLD-1.5W
  • Исполнение корпуса
    PLD-1.5W
  • Base Product Number
    AFT05

Техническая документация

 AFT05MS006NT1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1068 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 325 ₽
  • 10
    1 018 ₽
  • 25
    942 ₽
  • 100
    858 ₽
  • 250
    818 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFT05MS006NT1
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLDВсе характеристики

Минимальная цена AFT05MS006NT1 при покупке от 1 шт 1325.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFT05MS006NT1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFT05MS006NT1

AFT05MS006NT1 от NXP Semiconductors — это транзистор FET RF с характеристиками:

  • Номинальное напряжение питания: 30В
  • Частота работы: 520 МГц
  • Тип: RF (радиочастотный)
  • Форм-фактор: PLD (плоский ламинированный диполь)

Плюсы:

  • Высокая надежность при работе на высоких частотах.
  • Устойчивость к помехам.
  • Малый размер и тонкая конструкция.

Минусы:

  • Высокие требования к условиям установки и охлаждению.
  • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов.

Общее назначение:

  • Используется для усиления радиочастотных сигналов.
  • Подходит для различных приложений, требующих высокой чувствительности и стабильности.

Применяется в:

  • Радиоуправляемых системах.
  • Системах спутниковой связи.
  • Мобильных телефонах.
  • Беспроводных сетях.
Выбрано: Показать

Характеристики AFT05MS006NT1

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    520MHz
  • Усиление
    18.3dB
  • Тестовое напряжение
    7.5 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    6W
  • Нормальное напряжение
    30 V
  • Корпус
    PLD-1.5W
  • Исполнение корпуса
    PLD-1.5W
  • Base Product Number
    AFT05

Техническая документация

 AFT05MS006NT1.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF888DSUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B
    51 418Кешбэк 7 712 баллов
    BLF188XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C
    52 140Кешбэк 7 821 балл
    BLF6G13LS-250PGJТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E
    58 859Кешбэк 8 828 баллов
    BLF888AS,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B
    59 093Кешбэк 8 863 балла
    BLS6G2731-120,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A
    59 982Кешбэк 8 997 баллов
    BLF888,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 19DB SOT979A
    60 190Кешбэк 9 028 баллов
    BLF10H6600PUТранзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A
    62 378Кешбэк 9 356 баллов
    BLL6H1214LS-250,11Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B
    63 577Кешбэк 9 536 баллов
    BLF888DURF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    65 664Кешбэк 9 849 баллов
    BLF178XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    67 446Кешбэк 10 116 баллов
    BLL8H0514-25UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C
    68 276Кешбэк 10 241 балл
    BLA6G1011-200R,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
    73 229Кешбэк 10 984 балла
    BLF1721M8LS200UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    74 859Кешбэк 11 228 баллов
    BLF578,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 24DB SOT539A
    86 007Кешбэк 12 901 балл
    BLA8G1011L-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
    98 143Кешбэк 14 721 балл
    BLA8G1011LS-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
    98 143Кешбэк 14 721 балл
    BLA6H1011-600,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A
    130 794Кешбэк 19 619 баллов
    BLA6H0912-500,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A
    172 735Кешбэк 25 910 баллов
    BLS7G3135L-350P,11Транзистор
    176 747Кешбэк 26 512 баллов
    BLS7G3135LS-350P,1Транзистор: RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B
    176 747Кешбэк 26 512 баллов
    BLA6H0912L-1000UТранзистор
    186 108Кешбэк 27 916 баллов
    BLA6H0912LS-1000UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 15.5DB SOT539B
    237 677Кешбэк 35 651 балл
    AFT05MS004NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    782Кешбэк 117 баллов
    AFT05MS006NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    1 325Кешбэк 198 баллов
    MHT1008NT1Транзистор: RF MOSFET LDMOS PLD1.5W
    2 943Кешбэк 441 балл
    AFT09MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
    3 900Кешбэк 585 баллов
    AFT05MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
    4 343Кешбэк 651 балл
    MRFG35003N6AT1Транзистор: FET RF 8V 3.55GHZ PLD-1.5
    4 533Кешбэк 679 баллов
    MW6S004NT1Транзистор: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
    5 021Кешбэк 753 балла
    AFT09MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO270-2G
    5 720Кешбэк 858 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты
    Диоды силовые
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторные модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП