Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
AFV10700HSR5
AFV10700HSR5

AFV10700HSR5

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFV10700HSR5
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI780S-4LВсе характеристики

Минимальная цена AFV10700HSR5 при покупке от 1 шт 127742.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFV10700HSR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики AFV10700HSR5

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    19.2dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    10µA
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    770W
  • Нормальное напряжение
    105 V
  • Корпус
    NI-780S-4L
  • Исполнение корпуса
    NI-780S-4L
  • Base Product Number
    AFV10700
Техническая документация
 AFV10700HSR5.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 591 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    127 742 ₽
  • 50
    139 026 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFV10700HSR5
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI780S-4LВсе характеристики

Минимальная цена AFV10700HSR5 при покупке от 1 шт 127742.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFV10700HSR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики AFV10700HSR5

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    19.2dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Current Rating (Amps)
    10µA
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    770W
  • Нормальное напряжение
    105 V
  • Корпус
    NI-780S-4L
  • Исполнение корпуса
    NI-780S-4L
  • Base Product Number
    AFV10700
Техническая документация
 AFV10700HSR5.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SJ637-EPCH 4V DRIVE SERIES
    116Кешбэк 17 баллов
    IRF323N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
    154Кешбэк 23 балла
    CPH5608-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    47Кешбэк 7 баллов
    CPH6335-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    18Кешбэк 2 балла
    CPH3338-T-TL-HPCH 4V DRIVE SERIES
    22Кешбэк 3 балла
    2SK3617-ENCH 4V DRIVE SERIES
    147Кешбэк 22 балла
    2SK238-T1B-AТранзистор: RF SMALL SIGNAL FET
    64Кешбэк 9 баллов
    A2G35S200-01SR3Транзистор: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
    30 143Кешбэк 4 521 балл
    SCH2401-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    18Кешбэк 2 балла
    2SK772EN-CHANNEL JUNCTION SILICON FET
    55Кешбэк 8 баллов
    BLC9H10XS-60PZТранзистор: BLC9H10XS-60P/SOT1273/TRAYDP
    9 708Кешбэк 1 456 баллов
    BLF189XRASUТранзистор: BLF189XRA/SOT539/TRAY
    58 046Кешбэк 8 706 баллов
    CGHV27030SТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 12DFN
    14 786Кешбэк 2 217 баллов
    BLP9H10-30GZТранзистор: BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP
    5 227Кешбэк 784 балла
    BLC10G22XS-400AVTZТранзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
    13 557Кешбэк 2 033 балла
    2SK2617ALS-CB11NCH 15V DRIVE SERIES
    362Кешбэк 54 балла
    BLC2425M9LS250ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701
    23 034Кешбэк 3 455 баллов
    TAV1-541+Транзистор: RF MOSFET E-PHEMT 3V TE2769
    2 496Кешбэк 374 балла
    ASC2406HIGH POWER AMPLIFIER
    215 747Кешбэк 32 362 балла
    EC4404C-TLNCH 1.5V DRIVE SERIES
    18Кешбэк 2 балла
    CG2H40010FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    18 341Кешбэк 2 751 балл
    CPH6320-TL-EPCH 1.8V DRIVE SERIES
    64Кешбэк 9 баллов
    IGN1011L70Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
    46 699Кешбэк 7 004 балла
    SCH1402-TL-ENCH 1.8V DRIVE SERIES
    20Кешбэк 3 балла
    WP48007025Транзистор: RF GaN HEMT 48V DIE DC~7GHZ, 25W
    15 318Кешбэк 2 297 баллов
    CGH27030PТранзистор: 30W, GAN HEMT, 28V, DC-6.0GHZ, P
    28 569Кешбэк 4 285 баллов
    MWT-PH8FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    15 720Кешбэк 2 358 баллов
    CPH3424-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    42Кешбэк 6 баллов
    HIP5010ISМикросхема: COMPLEMENTARY DRIVE HALF-BRIDGE
    384Кешбэк 57 баллов
    RF3L05250CB4Транзистор: 250 W 28/32 V RF POWER LDMOS TRA
    35 014Кешбэк 5 252 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП