Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
AFV121KHR5
AFV121KHR5

AFV121KHR5

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFV121KHR5
  • Описание:
    Транзистор: IC TRANS RF LDMOSВсе характеристики

Минимальная цена AFV121KHR5 при покупке от 1 шт 152820.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFV121KHR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики AFV121KHR5

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    960MHz ~ 1.22GHz
  • Усиление
    19.6dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    1000W
  • Нормальное напряжение
    112 V
  • Корпус
    SOT-979A
  • Исполнение корпуса
    NI-1230-4H
  • Base Product Number
    AFV121
Техническая документация
 AFV121KHR5.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 62 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    152 820 ₽
  • 10
    134 715 ₽
  • 50
    127 475 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    AFV121KHR5
  • Описание:
    Транзистор: IC TRANS RF LDMOSВсе характеристики

Минимальная цена AFV121KHR5 при покупке от 1 шт 152820.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFV121KHR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики AFV121KHR5

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual)
  • Частота
    960MHz ~ 1.22GHz
  • Усиление
    19.6dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    100 mA
  • Мощность передачи
    1000W
  • Нормальное напряжение
    112 V
  • Корпус
    SOT-979A
  • Исполнение корпуса
    NI-1230-4H
  • Base Product Number
    AFV121
Техническая документация
 AFV121KHR5.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF6G27LS-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502B
    16 082Кешбэк 2 412 баллов
    BLF7G20LS-90P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121B
    13 720Кешбэк 2 058 баллов
    BLF183XRSUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B
    37 804Кешбэк 5 670 баллов
    BLF8G20LS-200V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1120B
    13 206Кешбэк 1 980 баллов
    PD57060S-EТранзистор: FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    10 036Кешбэк 1 505 баллов
    BLF10M6200UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A
    22 226Кешбэк 3 333 балла
    MRFG35010NR5Транзистор: FET RF 15V 3.55GHZ
    8 027Кешбэк 1 204 балла
    BF1009SRE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143R
    7 059Кешбэк 1 058 баллов
    SMMBFJ310LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    PD85035STR-EТранзистор: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    6 056Кешбэк 908 баллов
    PD54003-EТранзистор: FET RF 25V 500MHZ PWRSO10
    2 250Кешбэк 337 баллов
    SD57045Транзистор: FET RF 65V 945MHZ M243
    19 011Кешбэк 2 851 балл
    BLS7G3135LS-350P,1Транзистор: RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B
    166 777Кешбэк 25 016 баллов
    CGH40120FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    111 044Кешбэк 16 656 баллов
    BLL8H0514LS-130UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135B
    23 928Кешбэк 3 589 баллов
    BLF7G24LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    14 700Кешбэк 2 205 баллов
    CGH40006PТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440109
    18 330Кешбэк 2 749 баллов
    BLF2425M8LS140UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    22 932Кешбэк 3 439 баллов
    BLF8G22LS-205VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
    15 310Кешбэк 2 296 баллов
    PD57030-EТранзистор: FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    9 203Кешбэк 1 380 баллов
    MMRF1023HSR5Транзистор: FET RF 65V 2.3GHZ NI-1230-4LS2L
    6 807Кешбэк 1 021 балл
    BLF6G38-10G,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    5 772Кешбэк 865 баллов
    BLF2425M7LS250P,11Транзистор
    27 332Кешбэк 4 099 баллов
    A2T20H330W24SR6Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    30 912Кешбэк 4 636 баллов
    BLL6H0514L-130,112Транзистор
    45 564Кешбэк 6 834 балла
    MRF166CТранзистор: FET RF 65V 500MHZ 319-07
    14 079Кешбэк 2 111 баллов
    BLF8G20LS-230VJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
    15 310Кешбэк 2 296 баллов
    VRF141Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 28V 150W M174
    13 185Кешбэк 1 977 баллов
    PD57018-EТранзистор: FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
    6 013Кешбэк 901 балл
    BLD6G21L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
    16 391Кешбэк 2 458 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП