Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
AFV121KHR5

AFV121KHR5

AFV121KHR5
;
AFV121KHR5

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена AFV121KHR5 при покупке от 1 шт 239492.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFV121KHR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFV121KHR5

AFV121KHR5 NXP USA Inc. Транзистор: IC TRANS RF LDMOS

  • Основные параметры:
    • Тип: Trench RF LDMOS (Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)
    • Мощность: до 200 Вт
    • Частота: до 3 ГГц
    • Напряжение: 75 В
    • Ток: до 15 А
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и частота
    • Устойчивость к перенагрузкам
    • Эффективное управление тепловым распределением
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специализированной технологии производства
    • Нуждается в специальном охлаждении при работе под нагрузкой
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах высокой мощности
    • Радиостанции
    • Телевизионные приемники и передатчики
    • Системы спутниковой связи
    • Автомобильные системы навигации и связи
Выбрано: Показать

Характеристики AFV121KHR5

Техническая документация

AFV121KHR5.pdf
pdf. 0 kb
  • 61 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    239 492 ₽
  • 50
    202 067 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена AFV121KHR5 при покупке от 1 шт 239492.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить AFV121KHR5 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание AFV121KHR5

AFV121KHR5 NXP USA Inc. Транзистор: IC TRANS RF LDMOS

  • Основные параметры:
    • Тип: Trench RF LDMOS (Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)
    • Мощность: до 200 Вт
    • Частота: до 3 ГГц
    • Напряжение: 75 В
    • Ток: до 15 А
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и частота
    • Устойчивость к перенагрузкам
    • Эффективное управление тепловым распределением
    • Высокая надежность и долговечность
    • Компактный размер
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специализированной технологии производства
    • Нуждается в специальном охлаждении при работе под нагрузкой
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах высокой мощности
    • Радиостанции
    • Телевизионные приемники и передатчики
    • Системы спутниковой связи
    • Автомобильные системы навигации и связи
Выбрано: Показать

Характеристики AFV121KHR5

Техническая документация

AFV121KHR5.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории