Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
ALD1116SAL
  • В избранное
  • В сравнение
ALD1116SAL

ALD1116SAL

ALD1116SAL
;
ALD1116SAL

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Advanced Linear Devices Inc.
  • Артикул:
    ALD1116SAL
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена ALD1116SAL при покупке от 1 шт 1046.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ALD1116SAL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ALD1116SAL

ALD1116SAL MOSFET от Advanced Linear Devices Inc.

  • Тип: MOSFET N-канальный
  • Рейтинг напряжения на дrain-source (VDS(on)): 10.6В
  • Количество выводов: 8SOIC

Основные параметры:

  • Напряжение на дrain-source (VDS(on)): 10.6В
  • Предел температуры работы (TJ(max)): 150°C
  • Индуктивный ток (ID(max)): 3A
  • Диодный ток (IDS(on)): 3A
  • Частота насыщения (fT): 300MHz

Плюсы:

  • Высокий предел напряжения VDS(on)
  • Высокая скорость насыщения fT
  • Малый размер корпуса (8SOIC)
  • Высокие тепловые характеристики

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с аналогичными MOSFETами
  • Необходимость соблюдения правил проектирования для достижения оптимальной производительности

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Активное управление нагрузкой
  • Изоляция высоковольтных цепей

Применение:

  • Автомобильные системы
  • Портативные устройства
  • Промышленное оборудование
  • Электронные устройства потребления энергии
Выбрано: Показать

Характеристики ALD1116SAL

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    10.6V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500Ohm @ 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Рабочая температура
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    ALD1116

Техническая документация

 ALD1116SAL.pdf
pdf. 0 kb
  • 1312 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 046 ₽
  • 50
    548 ₽
  • 100
    500 ₽
  • 500
    416 ₽
  • 1000
    396 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Advanced Linear Devices Inc.
  • Артикул:
    ALD1116SAL
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOICВсе характеристики

Минимальная цена ALD1116SAL при покупке от 1 шт 1046.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ALD1116SAL с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ALD1116SAL

ALD1116SAL MOSFET от Advanced Linear Devices Inc.

  • Тип: MOSFET N-канальный
  • Рейтинг напряжения на дrain-source (VDS(on)): 10.6В
  • Количество выводов: 8SOIC

Основные параметры:

  • Напряжение на дrain-source (VDS(on)): 10.6В
  • Предел температуры работы (TJ(max)): 150°C
  • Индуктивный ток (ID(max)): 3A
  • Диодный ток (IDS(on)): 3A
  • Частота насыщения (fT): 300MHz

Плюсы:

  • Высокий предел напряжения VDS(on)
  • Высокая скорость насыщения fT
  • Малый размер корпуса (8SOIC)
  • Высокие тепловые характеристики

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с аналогичными MOSFETами
  • Необходимость соблюдения правил проектирования для достижения оптимальной производительности

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Активное управление нагрузкой
  • Изоляция высоковольтных цепей

Применение:

  • Автомобильные системы
  • Портативные устройства
  • Промышленное оборудование
  • Электронные устройства потребления энергии
Выбрано: Показать

Характеристики ALD1116SAL

  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    10.6V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500Ohm @ 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 1µA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3pF @ 5V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Рабочая температура
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Base Product Number
    ALD1116

Техническая документация

 ALD1116SAL.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI7923DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
    436Кешбэк 65 баллов
    SI7949DP-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    450Кешбэк 67 баллов
    SI4816BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    450Кешбэк 67 баллов
    SI4946BEY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
    450Кешбэк 67 баллов
    SI7949DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    450Кешбэк 67 баллов
    SI7913DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
    450Кешбэк 67 баллов
    SI4946BEY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
    450Кешбэк 67 баллов
    SI4943CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
    461Кешбэк 69 баллов
    SI4925BDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
    461Кешбэк 69 баллов
    SI4925BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
    461Кешбэк 69 баллов
    SIZ918DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
    465Кешбэк 69 баллов
    SI7922DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
    474Кешбэк 71 балл
    SI7220DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
    474Кешбэк 71 балл
    SI7922DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
    474Кешбэк 71 балл
    SI4943BDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
    533Кешбэк 79 баллов
    SI7252DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
    550Кешбэк 82 балла
    SQJ960EP-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 8A
    550Кешбэк 82 балла
    SI7997DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8
    556Кешбэк 83 балла
    SI4904DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
    562Кешбэк 84 балла
    SI4904DY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC
    562Кешбэк 84 балла
    SI7956DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
    710Кешбэк 106 баллов
    SI7942DP-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
    742Кешбэк 111 баллов
    SI7234DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
    748Кешбэк 112 баллов
    SI7220DN-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8
    748Кешбэк 112 баллов
    SI7956DP-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
    788Кешбэк 118 баллов
    ALD1116SALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    1 046Кешбэк 156 баллов
    ALD1117SALТранзистор: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
    1 046Кешбэк 156 баллов
    ALD110900SALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    1 178Кешбэк 176 баллов
    ALD110902SALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    1 178Кешбэк 176 баллов
    ALD111933SALТранзистор: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
    1 197Кешбэк 179 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторные модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП