Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
APT6030BVRG
  • В избранное
  • В сравнение
APT6030BVRG

APT6030BVRG

APT6030BVRG
;
APT6030BVRG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT6030BVRG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 21A TO247Все характеристики

Минимальная цена APT6030BVRG при покупке от 1 шт 2411.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT6030BVRG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT6030BVRG

Разрешенные теги:

,

    ,
  • ,

    • Маркировка APT6030BVRG: Это модель MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании Microchip Technology.
    • Основные параметры:
      • N-канальный тип
      • Рабочее напряжение: 600В
      • Рейтинг тока: 21А
      • Пакет: TO247
    • Плюсы:
      • Высокая надежность
      • Устойчивость к перенапряжению
      • Низкое значение транзисторного сопротивления (Rds(on))
      • Способность работать при высоких температурах
    • Минусы:
      • Требует дополнительного охлаждения при работе на полной мощности
      • Могут возникнуть проблемы с отводом тепла через пакет TO247
    • Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как источники питания, преобразователи напряжения, усилители и др.
    • Применяется в:
      • Источниках питания
      • Преобразователях напряжения
      • Усилителях
      • Автомобильных системах
      • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики APT6030BVRG

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300mOhm @ 10.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150 nC @ 10 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3750 pF @ 25 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247 [B]
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    APT6030

Техническая документация

 APT6030BVRG.pdf
pdf. 0 kb
  • 40 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 411 ₽
  • 100
    2 079 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT6030BVRG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 21A TO247Все характеристики

Минимальная цена APT6030BVRG при покупке от 1 шт 2411.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT6030BVRG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT6030BVRG

Разрешенные теги:

,

    ,
  • ,

    • Маркировка APT6030BVRG: Это модель MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании Microchip Technology.
    • Основные параметры:
      • N-канальный тип
      • Рабочее напряжение: 600В
      • Рейтинг тока: 21А
      • Пакет: TO247
    • Плюсы:
      • Высокая надежность
      • Устойчивость к перенапряжению
      • Низкое значение транзисторного сопротивления (Rds(on))
      • Способность работать при высоких температурах
    • Минусы:
      • Требует дополнительного охлаждения при работе на полной мощности
      • Могут возникнуть проблемы с отводом тепла через пакет TO247
    • Общее назначение: Используется для управления токами в различных электронных устройствах, таких как источники питания, преобразователи напряжения, усилители и др.
    • Применяется в:
      • Источниках питания
      • Преобразователях напряжения
      • Усилителях
      • Автомобильных системах
      • Промышленном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики APT6030BVRG

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300mOhm @ 10.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150 nC @ 10 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3750 pF @ 25 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247 [B]
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    APT6030

Техническая документация

 APT6030BVRG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SCTW100N65G2AGSICFET N-CH 650V 100A HIP247
    5 413Кешбэк 811 баллов
    SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
    5 424Кешбэк 813 баллов
    SCTWA50N120SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
    5 443Кешбэк 816 баллов
    SCTL90N65G2VSILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
    5 570Кешбэк 835 баллов
    SCTH100N65G2-7AGSICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7
    5 574Кешбэк 836 баллов
    MSC090SMA070BSICFET N-CH 700V TO247-3
    839Кешбэк 125 баллов
    APT4F120SMOSFET N-CH 1200V 4A D3PAK
    859Кешбэк 128 баллов
    APT9M100SMOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
    1 042Кешбэк 156 баллов
    MSC060SMA070BSICFET N-CH 700V 39A TO247-3
    1 074Кешбэк 161 балл
    MSC750SMA170B4TRANS SJT 1700V TO247-4
    1 080Кешбэк 162 балла
    MSC060SMA070SSICFET N-CH 700V 37A D3PAK
    1 165Кешбэк 174 балла
    MSC360SMA120BMOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-24
    1 209Кешбэк 181 балл
    APT7F120SMOSFET N-CH 1200V 7A D3PAK
    1 230Кешбэк 184 балла
    MSC060SMA070B4TRANS SJT N-CH 700V 39A TO247-4
    1 261Кешбэк 189 баллов
    MSC035SMA070SMOSFET N-CH 700V D3PAK
    1 712Кешбэк 256 баллов
    MSC080SMA120B4SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4
    1 779Кешбэк 266 баллов
    MSC035SMA070B4TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4
    2 199Кешбэк 329 баллов
    APT10M19BVRGMOSFET N-CH 100V 75A TO247
    2 343Кешбэк 351 балл
    APT5017BVRGMOSFET N-CH 500V 30A TO247
    2 374Кешбэк 356 баллов
    APT6030BVRGMOSFET N-CH 600V 21A TO247
    2 411Кешбэк 361 балл
    APT5017BVFRGMOSFET N-CH 500V 30A TO247
    2 513Кешбэк 376 баллов
    APT6029BLLGMOSFET N-CH 600V 21A TO247
    2 517Кешбэк 377 баллов
    APT10M19SVRGMOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
    2 545Кешбэк 381 балл
    APT5015BVFRGMOSFET N-CH 500V 32A TO247
    2 572Кешбэк 385 баллов
    APT8052BLLGMOSFET N-CH 800V 15A TO247
    2 871Кешбэк 430 баллов
    APT6025BVRGMOSFET N-CH 600V 25A TO247
    2 959Кешбэк 443 балла
    APT8056BVRGMOSFET N-CH 800V 16A TO247
    2 984Кешбэк 447 баллов
    MSC015SMA070BSICFET N-CH 700V 131A TO247-3
    3 443Кешбэк 516 баллов
    APT5010LVRGMOSFET N-CH 500V 47A TO264
    3 550Кешбэк 532 балла
    MSC015SMA070SSICFET N-CH 700V 126A D3PAK
    3 616Кешбэк 542 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторные модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП