Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
APTM100UM45DAG

APTM100UM45DAG

APTM100UM45DAG
;
APTM100UM45DAG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена APTM100UM45DAG при покупке от 1 шт 58422.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APTM100UM45DAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APTM100UM45DAG

APTM100UM45DAG — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким напряжением смещения канала N-канальный с напряжением блокировки 1000В и током дrain 215А.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 1000В
    • Ток drain: 215А
    • Напряжение смещения канала: M
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокий коэффициент передачи
    • Низкое сопротивление при открытом канале
    • Малый размер и вес
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и использованию
    • Возможны проблемы с термическим управлением при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и тока в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Уменьшение энергопотерь в системах управления
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах для преобразования напряжений
    • Мощных электронных системах
    • Системах управления приводами
Выбрано: Показать

Характеристики APTM100UM45DAG

Техническая документация

APTM100UM45DAG.pdf
pdf. 0 kb
  • 24 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    58 422 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена APTM100UM45DAG при покупке от 1 шт 58422.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APTM100UM45DAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APTM100UM45DAG

APTM100UM45DAG — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким напряжением смещения канала N-канальный с напряжением блокировки 1000В и током дrain 215А.

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки: 1000В
    • Ток drain: 215А
    • Напряжение смещения канала: M
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокий коэффициент передачи
    • Низкое сопротивление при открытом канале
    • Малый размер и вес
  • Минусы:
    • Высокие требования к проектированию и использованию
    • Возможны проблемы с термическим управлением при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и тока в электронных устройствах
    • Переключение высоких токов
    • Уменьшение энергопотерь в системах управления
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Инверторах для преобразования напряжений
    • Мощных электронных системах
    • Системах управления приводами
Выбрано: Показать

Характеристики APTM100UM45DAG

Техническая документация

APTM100UM45DAG.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории